切换装置及存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种切换装置及存储器装置，该切换装置具有一第一电极；一第二电极；以及一切换层，位于第一电极以及第二电极之间，切换层包括碳C、砷As、硒Se及锗Ge的组成物，此组成物是热稳定至超过400℃的温度。此切换装置是使用于3D交叉点存储器之中。

【技术实现步骤摘要】
切换装置及存储器装置
本专利技术是有关于一种切换装置及存储器装置，使用于集成电路之中，包括集成电路存储器装置(integratedcircuitmemorydevice)。
技术介绍
切换装置具有许多应用，例如集成电路之中的晶体管以及二极管。新的非易失性存储器(nonvolatilememory,NVM)技术的兴起，例如相变化存储器及电阻式存储器(resistivememory)，已被令人兴奋的应用所激励(motivated)，例如存储级存储器(storageclassmemory)、固态硬盘(solid-statedisk)、嵌入式非易失性存储器(embeddednonvolatilememory)以及类神经计算(neuromorphiccomputing)。许多的这些应用在巨形「交叉点」阵列(vastcrosspointarray)之中是显示密集叠层的(packeddensely)，可提供许多的千兆位组(gigabyte)。此阵列之中，准确读取或低功率(low-power)写入的任何小子集阵列的存取是需要强非线性(strongnon本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切换装置，包括：/n一第一电极；/n一第二电极；以及/n一切换层，位于该第一电极以及该第二电极之间，该切换层包括砷(As)、硒(Se)、锗(Ge)及碳(C)的一组成物，碳(C)是该组成物的10at％至30at％的范围内。/n

【技术特征摘要】
20191217 US 16/716,9481.一种切换装置，包括：
一第一电极；
一第二电极；以及
一切换层，位于该第一电极以及该第二电极之间，该切换层包括砷(As)、硒(Se)、锗(Ge)及碳(C)的一组成物，碳(C)是该组成物的10at％至30at％的范围内。


2.根据权利要求1所述的切换装置，其中该组成物所包括砷(As)、硒(Se)、锗(Ge)及碳(C)的量，有效地使该组成物于高于400℃的温度是稳定的。


3.根据权利要求1所述的切换装置，其中该组成物包括20at％至35at％的范围的砷(As)、35at％至55at％的范围的硒(Se)以及8at％至25at％的范围的锗(Ge)。


4.根据权利要求1所述的切换装置，其中该切换层具有小于50nm的厚度，该组成物所包括砷(As)、硒(Se)、锗(Ge)及碳(C)的量，有效地在阈值电压Vt<4V的小于5纳秒(ns)的期间使用一施加的电压脉冲进行切换。


5.根据权利要求1所述的切换装置，其中该切换层具有小于50nm的厚度，该组成物所包括砷(As)、硒(Se)、锗(Ge)及碳(C)的量，有效地使该切换层具有高于400℃的结晶转换温度。


6.根据权利要求1所述的切换装置，其中该切换层具有小于50nm的厚度，该组成物所包括砷(As)、硒(Se)、锗(Ge)及碳(C)的量，有效地使该切换层具有高于450℃的结晶转换...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑怀瑜，郭奕廷，龙翔澜，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71