存储器元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括一衬底。第一介电层设置在该衬底上方。多层导电层与多层介电层，交替且水平地设置在该衬底上。通道柱结构设置在该衬底上且在该多层导电层与该多层介电层中。该通道柱结构的侧壁与该多层导电层接触。第二介电层覆盖在该第一介电层上。导电柱结构在该第一与第二介电层中，相邻于该通道柱结构，与该多层导电层的其一接触。该导电柱结构包括一衬绝缘层当作外层。缘层当作外层。缘层当作外层。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件及其制造方法


[0001]本专利技术是有关于半导体制造，且特别是关于存储器元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]存储器元件在数字电子装置中是属于必备的部件。当电子装置的处理功能大幅提升的状况下，其存储器元件的存储容量也因应要提升，且同时也要维持缩小存储器元件尺寸的趋势。
[0003]因应需求，三维的NAND存储器已有被提出，其是闪存，从二维的NAND存储器改变成三维的架构，其通道层修改为垂直于衬底的垂直通道结构，其是通道柱(channel column)的结构。多层的字线层在垂直于衬底的方向叠置，构成一串晶体管。字线层的末端是以类似楼梯(staircase)状的结构，通过导电柱将字线往上连接到外部的控制电路。如此在三维的架构下，晶体管可以往垂直的方向制造，可以提升存储容量。
[0004]然而由于元件面积是有限，因此横向的二维面积还是需要大幅缩减，对于大数量的导电柱结构与通道柱结构是需要高密度配置，而柱之间的距离需要缩小。由于导电柱结构所提供字线层数大幅增加，导电柱结构与通道柱结构的长度也因应增加能连接到上部的控制电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，包括：一衬底；第一介电层在该衬底上方；多层导电层与多层介电层，交替且水平设置在该衬底上；通道柱结构，在该衬底上的该多层导电层与该多层介电层中，其中该通道柱结构的侧壁与该多层导电层接触；第二介电层，覆盖在该第一介电层上；以及导电柱结构在该第一与第二介电层中，相邻于该通道柱结构，与该多层导电层的其一接触，其中该导电柱结构包括一衬绝缘层当作外层。2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该通道柱结构包括：垂直于该衬底的硅柱；以及电荷存储层，包覆该硅柱，该电荷存储层与该多层导电层接触，其中该硅柱对应每一层该导电层处提一通道。3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该电荷存储层是氧化物/氮化物/氧化物的叠层结构。4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该导电柱结构包括：垂直于该衬底的导电中心柱，与该多层导电层中所预定的其一接触；以及该衬绝缘层，包覆该导电中心柱，辅助使该导电中心柱与该通道柱结构隔离。5.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该导电柱结构高于该通道柱结构。6.一种制造存储器元件的方法，包括：提供一衬底；形成第一介电层在该衬底上方；形成多层导电层与多层介电层，交替且水平地设置在衬底上；形成通道柱结构在衬底上且在该多层导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟曜安，裘元杰，廖廷丰，刘光文，陈光钊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：