本发明公开了一种三维闪存模块。所述三维闪存模块包括三维闪存结构以及导电层。所述三维闪存结构设置于衬底上。所述导电层设置于所述衬底上且邻近所述三维闪存结构的至少一侧壁。所述导电层沿所述三维闪存的所述至少一侧壁延伸，且所述导电层在其延伸方向...

本发明公开了一种三维闪存及其阵列布局结构。所述三维闪存包括栅极叠层结构、环状的通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱以及电荷存储结构。所述栅极叠层结构设置于介电衬底上，且包括彼此电性绝缘的多个栅极层。所述环状的通道柱设置所述介电衬底...

本发明公开了一种半导体结构与连线结构的制作方法，该半导体结构包含半导体装置、设置于半导体装置上的第一金属化层、设置于第一金属化层上的第二金属化层，以及设置于第一金属化层与第二金属化层之间的第三介电层。第一金属化层包含第一介电层与设置在第...

本发明公开了一种非易失性存储器与其操作方法，该非易失性存储器的操作方法包含：产生具有第一时间长度的第一写入脉冲至存储单元阵列中的目标存储单元；读取并验证目标存储单元的导通阈值电压是否达到目标电平；以及当目标存储单元的导通阈值电压未达目标...

一种用于数据传送的系统及存储器装置，特别是一种用于在共享总线上在存储器装置之间进行数据传送的系统及装置。系统包含一第一存储器装置、一第二存储器装置与一共享总线。一主装置配置以通过该共享总线将至少一控制信号发送至第一存储器装置和第二存储器...

本发明公开了一种立体存储器元件及其制作方法，该立体存储器元件包括多层叠层结构、存储层通道层以及开关元件。多层叠层结构包括多个导电层、多个绝缘层和至少一个开口。绝缘层与导电层沿着一个堆叠方向交错堆叠，开口穿过导电层。存储层与导电层至少部分...

本发明公开了一种存储器元件及其形成方法，该存储器元件，包括一衬底、一叠层结构、多个存储器结构、多个隔离结构以及多个共同源极柱。叠层结构包括交替叠层结构于衬底上的多个导电层与多个绝缘层。存储器结构形成于衬底上且穿过叠层结构。隔离结构形成于...

本发明提供一种擦除具有极少编程页面的区块的系统与方法。在一个实施例中，系统包含存储器及耦接至存储器的控制器。存储器包含各自具有页面的区块。控制器经组态以判定存储器的区块中具有特定页码的阈值页面是否经编程，以回应于判定阈值页面经编程而根据...

一种存储器系统、存储器控制器以及存储器控制方法，包含用于部分地擦除存储器系统中的区块以增强可靠性的计算机可读介质。在一个方面中，存储器系统包含具有多个区块的存储器及耦接至存储器的存储器控制器。存储器控制器经组态以：对存储器中的特定区块执...

本发明公开了一种用于静电保护电路的控制电路，包括一电阻单元及一电压控制单元。当第一节点的电压小于电压控制单元的一阈值时，电压控制单元关闭，且将一第一电压作为一控制信号输出至第二节点，以令静电保护电路不动作；当第一节点的电压大于或等于电压...

本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，该存储器装置用于实现一人工神经网络，该操作方法包括：从该存储器装置读出该人工神经网络的多层中的一目前层的一权重矩阵，以取出多个神经值；判断是否进行校正；当判断要进行校正时，重新计算并更新这些神经值...

一种存储器元件及其制作方法，存储器元件包含多个叠层的多个字线与多个绝缘带交替层叠，这些叠层被多个沟道所分离，这些字线沿一第一方向延伸。多个垂直导体结构位于相邻这些叠层之间的沟道内。多个层存储器材料以及层通道材料位于这些沟道的至少一侧的这...

一种耳机驱动器及驱动方法，其中该耳机驱动器包括第一差分驱动器与第二差分驱动器。第一差分驱动器有第一正输出端与第一负输出端，该第一正输出端连接到第一喇叭的第一端，其中该第一负输出端通过该第一差分驱动器的第一反馈电路，虚拟短路到一参考电压。...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括导电层的堆叠以及穿过堆叠的柱的阵列。柱中的每一者包括多个串联连接的存储单元，所述多个串联连接的存储单元在柱位置的布局图案中位于柱与导电层之间的交叉点处。阵列中的柱排列成在第一方向上...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构用于形成阶梯结构的参考标记沿着3D存储器结构的狭缝区域设置，并且3D存储器结构中的狭缝是配置在上述狭缝区域上。在阶梯区域中，通过刻蚀叠层结构中最上面的具有介电层和牺牲层的一对叠层来形成...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含衬底、多个导电层、多个介电层、绝缘结构、第一存储器结构及第二存储器结构。导电层及介电层交错堆叠于衬底上方。绝缘结构设置于衬底上方，且穿过导电层及介电层。第一存储器结构及第二存储器结...

本发明公开了一种存储器装置，包括存储器阵列以及控制器。控制器用以：读取先前页面以获得第一读取数据，将输入数据写入目前页面，读取先前页面或目前页面以获得第二读取数据，并分析第一读取数据及第二读取数据至少其中之一以决定是否备份第一读取数据及...

本发明公开了一种输入输出延迟最佳化的方法、应用其的系统及存储器装置，用于一电子系统。电子系统包括一主控制器及一存储器装置。所述方法包括：将存储器装置由一第一模式切换为一第二模式；发送一或多个第一读取指令至存储器装置，第一读取指令依据不同...

本发明公开了一种静电放电防护元件，包括：衬底、高压N阱区与高压P阱区。衬底具有第一区与第二区，第二区环绕所述第一区。高压N阱区配置于衬底上，高压P阱区配置于高压N阱区上。第一区配置于高压N阱区上，包括具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二...

本发明公开了一种通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法，该形成半导体结构的方法包含以下步骤：形成具有第一穿孔的第一介电层于前驱衬底上，第一穿孔贯穿第一介电层；填充牺牲材料于第一穿孔中；形成具有第二穿孔的第二介电层于第一介电层上方...