一种可配置安全存储区域的存储装置及其操作方法，存储装置包含存储阵列和安全电路，存储阵列具有I/O路径，以及耦接到存储阵列的I/O路径的安全电路。存储装置包含控制电路，以响应于配置数据而使用安全电路。存储装置包含配置储存器，以储存控制电路...

本发明公开了一种存储器元件，具有NAND存储单元串列以及连接到对应位线的串列选择线、第一电源电路、第二电源电路，用于分配比第一电源电路还高的电压、产生具有电位介于第一电源电压和第一参考电压之间的写入/抑制信号的页面缓冲器、数据线驱动器利...

一种存储器，其包含第一及第二存储器组，第一存储器组包含多个第一存储器片，该第一存储器片包含多个第一存储器区块，第二存储器组包含多个第二存储器片，该第二存储器片包含多个第二存储器区块。当数据储存于这些第一存储器片的第一目标存储器片的这些第...

一种半导体结构包含一存储器阵列。存储器阵列具有多个存储单元。这些存储单元包含一第一存储单元和一第二存储单元。第一存储单元具有一第一电阻。第二存储单元具有一第二电阻。第一电阻和第二电阻都落在10

本发明公开了一种存储器元件，包括通过位于基材上被绝缘层隔离的多个导电条带所组成的导电条带堆叠结构，以及设置在穿过导电条带堆叠结构到基材的开孔中的垂直通道结构。垂直通道结构设置在穿过导电条带堆叠结构的开孔中。电荷储存结构设置在导电条带和垂...

一种半导体结构包含多个叠层、多个有源柱状元件、以及一绝缘材料。这些叠层通过多个沟道彼此分离。这些有源柱状元件设置在沟道中，且在这些沟道的每一者中彼此分离。有源柱状元件分别在其二侧包括二个n型重掺杂部分。n型重掺杂部分分别在一实质上垂直的...

一种闪存装置及其控制方法。闪存装置包括一存储器阵列、一原地更新模块、一外地更新模块及一延迟感知模块。原地更新模块用以通过一位擦除操作或一页面擦除操作，于存储器阵列执行一写入程序或一存储器回收程序。外地更新模块用以通过一区块擦除操作或一迁...

本发明公开了一种立体存储器元件及其制作方法，该立体存储器元件包括：位于该基材上的多层叠层结构，具有O形开口。存储结构层具有位于O形开口侧壁一侧上的第一串行部、位于侧壁另一侧上的第二串行部，以及位于O形开口底部，连接第一串行部和第二串行部...

实现内乘积运算的存储器储存装置包括：一存储器阵列，接收一输入，以得到一单元电流，其中，该单元电流相关于该输入及该存储器阵列的多个存储器单元的多个转导；一参考阵列，输出一参考电流；一模拟数字转换单元，耦接至该存储器阵列与该参考阵列，该模拟...

本发明公开了一种用于存储器内乘法及累加运算的电路，包括多个NAND区块。NAND区块包括NAND串阵列，NAND串阵列包括B个行及S个列以及L个电平的存储器单元。W个字线耦接至L个电平中的各别电平中的(B×S个)存储器单元。源极线耦接至...

本发明公开了一种存储器电路，存储器电路的数据接收级电路接收串列输入信号及芯片使能信号。存储器电路的数据写入电路依据串列输入信号以产生命令信号以及数据信号的至少其中之一。存储器电路的电源电路产生操作电压，以提供存储单元阵列执行数据存取动作...

本发明公开了一种非易失性存储器及其读取方法。读取方法包括：擦除存储单元串的多个存储单元；设定存储单元中的目标存储单元，设定初始电压，依据步阶值以递增初始电压来产生多个编程电压，并使目标存储单元分别依据编程电压以依序执行多个编程动作，并在...

本发明公开了一种存储器装置，包括第一区块的存储单元、第二区块的存储单元以储存特征阵列、第三区块的存储单元以储存输出值阵列。感测电路耦接至第一区块的存储单元及第二区块的存储单元，以比较第一区块的存储单元及第二区块的存储单元之间的电性差异，...

本发明公开了一种用于加速核矩阵在输入矩阵上的卷积，以用于使用存储器内运算来计算输出矩阵的方法，上述方法涉及在存储单元阵列中的不同存储单元集合中储存核矩阵或多个核矩阵的元素的相应组合。为了执行卷积，将来自输入矩阵的输入向量的序列施加至阵列...

本发明提供一种半导体元件，其包括基底、第一阱区、源极区、漏极区、隔离结构、栅极结构以及顶掺杂区。第一阱区设置于基底中。源极区与漏极区设置于基底中，且漏极区位于所述第一阱区中。隔离结构设置于源极区与漏极区之间。栅极结构设置于源极区与漏极区...

本发明公开了一种存储器装置，该存储器装置包括一参考导体，及被多个绝缘条分开的一叠层的导电条，此叠层中的这些导电条朝一第一方向延伸，且此叠层被配置在参考导体上。存储器装置包括多个半圆柱形垂直通道结构，延伸通过此叠层中的这些导电条中的各个开...

一种类神经网络系统，执行积项和操作，包括存储器元件及控制器，存储器元件包括：立体存储单元阵列，具有多个存储单元具有多个可写入电导；栅极驱动器耦接至栅极线，施加多个控制栅极电压结合可写入电导，对应多个乘积项的多个权重；输入驱动器对存储单元...

本发明公开了一种产生具有脉冲周期的脉冲输出信号的脉冲电路，电路包括：电容器、第一调整电路以及第二调整电路。第一调整电路经组态以基于第一参数用第一周期调整步骤调整脉冲周期，且第二调整电路经组态以基于第二参数用第二周期调整步骤调整脉冲周期。...

一种数据池化方法，包括一储存一输入阵列的第一区块的存储单元以及一第二区块的存储单元。池化电路可操作地耦接至第一区块的存储单元，以依据一个关于输入阵列的函数执行原地池化以产生一阵列的输出值。写入电路可操作地耦接至第二区块，以储存阵列的输出...

本发明公开了一种用来执行乘积和运算的半导体装置。半导体装置用来执行一乘积和运算。半导体装置包括一输入电路、一缩放电路、一计算存储器及一输出电路。输入电路用来接收多个输入信号。输入信号为电压或是电流的其中的一个。缩放电路连接于输入电路，以...