本发明公开了一种间距可扩充立体NAND存储器，该存储器包含与多个通道线阶层交错的多个字线阶层。多个水平的数据储存阶层设置于多个字线阶层与多个通道线阶层之间，数据储存阶层包含各自的多个数据储存区域阵列，位于多个字线阶层与多个通道线阶层中相...

本发明公开了一种电压减法器及其电压相减的运算方法。电压减法器包括第一电荷储存器以及第二电荷储存器。第一电荷储存器在第一时间区间接收第一电压与第二电压，并储存第一电压与第二电压的第一差值电压。第二电荷储存器在第一时间区间接收第一电压与参考...

本发明公开了一种存储器与集成电路的制造方法，存储器包括具有多个存储单元阶层的一三维交叉点存储器，这些存储单元阶层设置在具有交替的宽区域与窄区域的第一存取线与第二存取线的交叉点上。三维交叉点存储器的制造方法包括使用三个图案来进行图案化：一...

本发明公开了一种存储器装置及应用其的集成电路的制造方法，该三维存储器包括多个第一存取线阶层、多个第二存取线阶层及多个存储单元阶层。存储单元阶层配置于对应的第一存取线阶层及第二存取线阶层之间。第一存取线阶层包括沿第一方向延伸的多个第一存取...

本发明揭露禁止对存储器阵列中未选定串的存储单元中的单元进行编程的同时对所述存储器阵列中的选定存储单元进行编程的方法及存储器系统。粗略来说，在预充电阶段中，在连接至被选定进行编程的字线但位于未选定串中的存储单元的通道中建立禁止电压。在后续...

一种存储器元件包括一链接单元堆叠结构，包括第一群链接单元和不同于第一群链接单元的第二群链接单元。多个第一层间连接器，其中的多个层间连接器，分别连接到第一群链接单元中的多个链接单元。多个第二层间连接器，其中的多个层间连接器，分别连接到第二...

本发明提供一种存储器元件中重新编排数据的方法、及其控制器与系统。此方法包括：判定逻辑区块中的一个特定逻辑页面，因为存在于一个特定实体页面中的多个错误位而导致失效。此特定实体页面位于与逻辑区块映射的第一实体区块之中，并且对应于此特定逻辑页...

本揭露描述一种在单一集成电路上的三维与非存储器。此三维与非存储器包括包含多个次区块的垂直与非串行区块。多个次区块中的每个次区块包括在上阶层中的上选择线；上阶层之下的中间阶层中的字线；在中间阶层之下的第一下阶层中的第一下选择线；在第一下阶...

一种存储器元件包括一导电条带堆叠结构，包括多个第一阶层中且具有一第一开口的多个导电条带，以及第二阶层中且具有一第二开口的多个导电条带，且两种开口都将导电条带侧壁暴露于外。数据储存结构形成于第一阶层中的导电条带的侧壁上。第一垂直通道结构包...

一种用以制造存储器装置的方法，包括形成初始硅化物层，其包含于叠层导电条纹叠层的顶表面上的硅材料层上沉积及退火前驱物金属，前驱物金属的量有效造成初始硅化物层的过半部分为前驱物金属的单硅硅化物。方法包括在初始硅化物层上沉积并退火额外的硅材料...

一种静电放电保护装置，包括形成于基材中且具有相异多数载流子的第一双极晶体管寄生电路和第二双极晶体管寄生电路以及静电放电保护元件。静电放电保护元件具有一个接地端以及一个连接端与第一双极晶体管寄生电路连接。当静电放电电压大于接地电压时，第一...

本发明公开了一种用于执行错误侦测协议的存储器装置及方法。该存储器装置包含：一存储器阵列；一第一输入端，用以接收对应于一命令周期期间的一控制讯号；一第二输入端，用以在该命令周期期间接收一访问控制讯号，并用以在该命令周期期间接收一错误侦测讯...

一种被构建来作为立体NAND闪存的存储器元件，包括一导电条带叠层结构和穿过导电条带叠层结构的开口，使导电条带的侧壁从开口的第一侧和第二侧暴露出来。导电条带叠层结构中的一些导电条带被构建来作为字线。数据存储结构设置在导电条带叠层结构的侧壁...

一种电阻式存储器元件(resistive memory)包括：第一电极层、第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层以及第二电极层。其中，第一电极层包括钨(Tungsten，W)。第一过渡金属氧化物(transition metal o...

本发明提供具有双台阶场板结构的高电压晶体管装置及制作其的方法。一种示例性高电压晶体管装置包括栅电极、第一膜、第二膜以及场板。栅电极设置在源极区与漏极区之间的基底上。第一膜从栅电极之上横向延伸至漂移区之上，其中漂移区横向配置于栅电极与漏极...

本发明揭露一种存储器装置包括多条位线、多条字线及一控制电路。位线用以接收一影像的多个像素数据。各字线包括多个参数单元。各字线的参数单元依据一滤镜的多个参数进行配置。各字线的配置相互不同。当以滤镜处理影像的一第一区域时，控制电路将位于影像...

一种用于产生积项和的装置，包括可变电阻单元的一阵列、m个输入驱动器、n个行驱动器、以及电压感测电路。阵列中的各个可变电阻单元包括并联连接的一晶体管以及一可编程电阻器，阵列包括n个单元行，n个单元行包括串联连接的单元串以及m个单元列。m个...

本发明公开了一种存储器装置的数据探测方法，该存储器装置包括多个区块，该数据探测方法包括：读取这些区块的一目标区块；当从该目标区块所读出的数据的一错误比特率超过一门限值，则以一调整后读取电压来对该目标区块重试读取；以及当以该调整后读取电压...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底以及介电层。介电层形成于基底上且与基底接触，介电层中具有多个开口，开口的侧壁具有凹凸轮廓；在介电层的每个开口中均具有势垒层以及导体插塞，势垒层位于开口的侧壁上，导体插塞覆盖势垒层...

可自动校准的电压参考产生器具有第一模式以及第二模式。电压参考产生器利用具有电容的电压参考节点提供带隙参考电压。可在与电压参考产生器相同的集成电路装置上的校准逻辑执行校准序列，所述校准序列包含使能在第一模式下的电压参考产生器以在电压参考节...