一种存储器装置的编程方法，该存储器装置包括一存储器阵列与一控制器，该存储器阵列包括多个存储器单元，该编程方法包括：由该控制器控制对该存储器阵列的一第一字线的一第一页面进行编程；由该控制器控制对该存储器阵列的一第二字线的一第一页面进行编程...

存储器阵列的操作方法。存储器阵列包括一第一NAND存储器串行。第一NAND存储器串行包括一第i个存储单元、一第i‑1个存储单元、一第i条字线与一第i‑1条字线。第i个存储单元与第i‑1个存储单元依序电性串联。第i条字线电性连接至第i个存...

可调式随机数生成电路包括：多个低位环形振荡器模块，产生多个低位随机数；一计数器，耦接至所述低位环形振荡器模块，该计数器计数所述低位随机数的位元0与位元1的个数；一判断单元，耦接至该计数器，该判断单元从该计数器的一计数结果来计算所述低位随...

一种半导体基板与半导体装置，所述基板包括多个芯片。每个芯片包括至少一阵列区与至少一周边电路区。所述半导体基板具有多个沟道，设置于阵列区以及/或是周边电路区，其中沟道的深度与半导体基板的厚度之比在0.001至0.008之间，且所有沟道的面...

本发明揭露一种可用于存储器电路中的参考电流产生电路，包含：一输入走线，此输入走线包含一电流槽与一第一电阻，电流槽包含一输出节点，第一电阻连接在电流槽和电压供电节点之间；一输出走线，连接在电压供电节点与一负载之间，输出走线包含一第二电阻以...

本发明公开了一种存储器装置包含一存储单元阵列，及耦接至该存储单元阵列的多个存储单元的多个感测放大器。一控制器系响应于一命令及一地址来执行包含一读取周期的一读取操作，其中，在该读取周期内，位于此地址的这些存储单元被电性耦接至这些感测放大器...

一种类神经网络系统，包括第一电性掺杂阱区。存储器单元串行包括多个存储单元，其每一者具有栅极和位于掺杂阱区中的第二电性的源极区和漏极区。第二电性埋藏通道层，位于掺杂阱区中。字线驱动器对栅极施加多个输入电压，以对应积项和操作中多个乘积项的输...

本发明公开了一种存储器电路以及用于操作三维交叉点存储器阵列的方法，存储器电路包括三维交叉点存储器阵列，此三维交叉点存储器阵列具有设置在N个第一存取线层和P个第二存取线层的交叉点处的M层的存储单元。此存储器电路还包括第一和第二组的第一存取...

一种电压敏感开关元件，具有一第一电极、一第二电极及一位于第一电极与第二电极之间的开关层，包括一无碲、低锗含量的组成份，该组成份包括砷、硒与锗。开关元件用于立体交叉点存储器(3D cross‑point memory)。

一种存储元件及其制造方法。存储元件包括基底、第一电路结构、多个第一导电柱、第二电路结构以及多个第二导电柱。第一电路结构设置于基底上。多个第一导电柱设置于第一电路结构中且沿第一方向排列，多个第一导电柱自第一电路结构的上层延伸至基底。第二电...

本发明公开了一种用于类神经网路的存储器内运算装置，该存储器内运算装置包括多个突触层。此些突触层包括一第一类型突触层及一第二类型突触层。第一类型突触层包括多个第一类型存储单元，第二类型的突触层包括多个第二类型存储单元。第一类型存储单元相异...

本发明公开了一种半导体电路及其操作方法。半导体电路的操作方法包括以下步骤：在第一时间操作存储器电路以获得第一存储器状态信号S1；第一时间之后的第二时间操作存储器电路以获得第二存储器状态信号S2；计算第一存储器状态信号S1和第二存储器状态...

一种集成电路，包括存储器阵列及错误更正逻辑，存储器阵列被配置以储存数据块(chunk)及对应的错误更正码；集成电路包括控制逻辑，控制逻辑执行复原程序以从存储器阵列存取被选取数据块及对应的错误更正码，以使用错误更正码来识别在被选取数据块内...

本发明公开了一种具有局限单元的三维存储器和制造集成电路的方法，多个存储单元于一交叉点阵列中，在交叉点阵列中的存储单元叠层包括串联的一开关元件、一导电势垒层、及一局限单元结构，且具有多个侧边于对应的交叉点的交叉点区域内对准。局限单元结构包...

本发明提供一种电路结构，其包括：多条第一导电线，在第一方向上延伸，所述第一导电线在与所述第一方向正交的第二方向上具有第一节距；多条连接线，在所述第二方向上延伸，所述连接线在第一方向上具有第二节距，所述第二节距大于所述第一节距；以及多个连...

本发明提出的系统、方法和设备包括计算机可读取介质，用以通过重叠非易失性存储系统页面的范围来管理存储器。一种范例存储系统包括：存储器控制器，耦接到存储器且被配置以：决定与指令关联的逻辑地址范围；搜寻多个特定映射表格，这些特定映射表格包括存...

在交叉点阵列中的多个存储单元，在交叉点阵列中交叉点中的存储单元叠层包括串联的一开关元件、一导电势垒层、及一存储单元，及具有在对应交叉点的交叉点面积中对准的多个侧边。叠层中的存储单元包括多个局限间隔物，位于交叉点面积中。这些局限间隔物包括...

一种可缓解存储单元干扰的编程抑制程序方法、存储器装置及控制器。编程抑制程序方法包括以下步骤。对一存储单元阵列(cell array)的一存储单元串行(cell string)执行一校验程序(verify operation)。对该存储单...

存储器装置的编程方法包括：以一编程电压与一编程码来编程一目标存储器单元；施加一第一验证电压与一第二验证电压于该目标存储器单元，并得到一第一读取数据与一第二读取数据；以及根据该编程码、该第一读取数据与该第二读取数据来判断该目标存储器单元是...

一种存储器装置，包括一存储器控制器、一控制单元、以及包括存储器区块的一存储器单元阵列。各存储器区块包括存储器单元、各耦接至存储器单元的字线、输送信号以编程存储器单元的信号线、耦接至线路的一第一组且将线路的第一组布径至控制单元的一第一金属...