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旺宏电子股份有限公司专利技术
旺宏电子股份有限公司共有3210项专利
存储器装置制造方法及图纸
本发明公开了一种存储器装置,包括一存储器控制器、一计算存储器以及一功能电路。计算存储器耦接至存储器控制器,且用以接收多个第一信号以输出多个第二信号,其中各第二信号具有一参数值,参数值为电压值或电流值。功能电路耦接至计算存储器,且用以指出...
存储器装置以及存储器的数据存取方法制造方法及图纸
一种存储器装置以及存储器的数据存取方法。数据存取方法包括:接收数据擦除命令以执行数据擦除动作;以及,在数据擦除动作中:依据数据擦除命令以设定存储器中的选中存储单元区块;提供对应该选中存储单元区块的标识存储单元,依据数据擦除命令擦除标识存...
写入与读取目标存储器单元的方法及其集成电路技术
本发明公开了一种写入与读取目标存储器单元的方法及其集成电路,用以适应在读取窗口或写入窗口中的变化,该变化是由处于每一逻辑状态中并与目标单元共享存取线的半选定单元的数目变化引起的。大致来说,在读取操作或写入操作的一个区段中的存取线上侦测漏...
三维存储器元件及其制造方法技术
一种三维存储器元件及其制造方法,三维存储器元件包括基底、第一叠层结构、第二叠层结构以及刻蚀终止层。基底具有存储单元区以及周边区。第一叠层结构配置于存储单元区以及周边区上,且在存储单元区具有穿过第一叠层结构的至少一第一垂直通道柱。第二叠层...
堆叠存储器及ASIC装置制造方法及图纸
本发明涉及一种包括存储器芯片的装置,所述存储器芯片具有存储器阵列、与存储器阵列的数据携带节点通信的位线以及与存储器阵列的某些栅极控制节点通信的字线。存储器芯片具有在各自存储器芯片内连线位置处形成于内连线表面上的接合垫。存储器阵列的每个位...
电子装置、存储器装置及其存储数据的读取方法制造方法及图纸
本发明公开了一种电子装置、存储器装置以及存储数据的读取方法,该存储器装置包含储存电路、存储器电路、附加信息产生电路以及输入输出接口。储存电路储存指定数据长度信息。存储器电路依据读取指令产生至少一存储数据。附加信息产生电路依据指定数据长度...
存储器装置及其操作方法制造方法及图纸
一种存储器装置,包括多个存储单元区块及源极电压产生器。每一存储单元区块具有至少一个存储单元。源极电压产生器耦接多个存储单元区块,用以:依据每一存储单元区块中一存储单元为被选取状态,使存储单元区块的源极电压为第一电压,依据每一存储单元区块...
存储装置及编程存储装置中存储单元的方法制造方法及图纸
本发明公开了一种存储装置及编程存储装置中存储单元的方法,所述存储装置包括:存储单元阵列,具有多个存储单元被排列为单元串列而耦接至金属位线;感测放大器,用于向存储单元阵列提供感测电流;以及存储控制器,用于控制感测放大器提供感测电流以在存储...
存储器与其操作方法技术
本发明公开了一种存储器与其操作方法,该存储器包含:存储单元阵列、多条匹配线和多对搜寻线。存储单元阵列包含多个存储单元。存储单元的任一者包含输出端、二个整流元件和二个电阻元件。二个电阻元件经配置以储存代表数据状态的二个位值。匹配线分别耦接...
立体存储器阵列装置与乘积累加方法制造方法及图纸
本发明公开了一种立体存储器阵列装置与乘积累加方法,该立体存储器阵列装置包括区块、位线、字线、源极线、互补式金属氧化物半导体(CMOS)与源极线感测放大器。每一区块包括含多个NAND串的阵列,且NAND串中的每一存储单元存储一个或多个权重...
存储器装置及其安全读取方法制造方法及图纸
本发明公开了一种存储器装置及其安全读取方法,主机装置从存储器装置接收安全数据,安全数据包括第一内容区块及第二内容区块。在确定第一内容区块被加密时,主机装置对第一内容区块进行解密以获得对应的第一明文数据。在确定第二内容区块未被加密时,主机...
电阻电路及人工智能芯片制造技术
本发明公开了电阻电路及人工智能芯片。电阻电路包括一堆叠结构。堆叠结构包括交错堆叠的多个电阻材料层与多个绝缘层。电阻电路包括电性串联或电性并联的至少两个单元电阻。该至少两个单元电阻分别定义在不同层的电阻材料层中。
扇出型电路的线路结构及其制造方法技术
本发明公开了一种扇出型电路的线路结构及其制造方法,该扇出型电路的线路结构中所述扇出型电路具有一密集线区与一扇出区,所述线路结构包括平行于一第一方向排列在所述密集线区内的多条密集线、位于所述扇出区内的多个接垫以及平行于一第二方向排列在所述...
类神经计算装置制造方法及图纸
本发明公开了一种类神经计算装置,该类神经计算装置包括突触权重,突触权重具有由不同晶体管配置造成的不同权重值。
可变电阻式存储器、其编程方法及电压编程方法技术
本发明公开了一种可变电阻式存储器、其编程方法及电压编程方法,该可变电阻式存储器包括一上电极层、一下电极层以及一可变电阻层。可变电阻层设置于上电极层与下电极层之间。可变电阻层的阻值介于100K至100M欧姆之间。
类神经计算装置制造方法及图纸
本发明公开了类神经计算装置,该装置包括多个第一神经元电路、多个第二神经元电路及多个突触权重。第一神经元电路配置在第一神经元区域中。第二神经元电路配置在第二神经元区域中。突触权重电性连接在第一神经元电路与第二神经元电路之间,并配置在突触区...
数据完整性检查的方法与集成电路技术
本发明公开了一种数据完整性检查的方法与集成电路,集成电路包括可寻址(addressable)存储器和接收器。数据完整性逻辑耦接到输入数据路径并接收具有参考地址的数据流,且接收具有数据完整性代码的数据块(chunks)。数据完整性逻辑包括...
非易失性存储器装置的操作方法制造方法及图纸
本发明公开了一种非易失性存储器装置的操作方法,适用于非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包含列译码器和存储器阵列。非易失性存储器装置的操作方法包含以下流程:利用列译码器传输多个字信号至存储器阵列;依据总线,利用列译码器将多个字信号中的...
安全启动系统、方法及装置制造方法及图纸
本发明公开了一种安全启动系统、方法及装置,适于由启动装置启动主机。所述启动装置具有储存装置及处理器。此方法是由处理器从储存装置读取用于启动主机的启动程序(boot code)及启动金钥,并利用启动金钥对启动程序执行加密算法,以获得执行期...
存储器装置、电子装置以及与其相关的读取方法制造方法及图纸
本发明公开了一种存储器装置、一种电子装置,以及与其相关的读取方法。电子装置包含彼此电连接的存储器装置与主装置。电子装置包含NAND闪存存储器与控制逻辑。NAND闪存存储器包含第一实体分页,且第一实体分页包含多个第一撷取单位。控制逻辑电连...
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