三维存储器元件及其制造方法技术

一种三维存储器元件及其制造方法，三维存储器元件包括基底、第一叠层结构、第二叠层结构以及刻蚀终止层。基底具有存储单元区以及周边区。第一叠层结构配置于存储单元区以及周边区上，且在存储单元区具有穿过第一叠层结构的至少一第一垂直通道柱。第二叠层结构位于第一叠层结构上、配置于存储单元区以及周边区上，且在存储单元区具有穿过第二叠层结构的至少一第二垂直通道柱。第二垂直通道柱电性连接至第一垂直通道柱。刻蚀终止层位于第一叠层结构与第二叠层结构之间、配置于存储单元区上并延伸至周边区上，且环绕第二垂直通道柱的下部。且环绕第二垂直通道柱的下部。且环绕第二垂直通道柱的下部。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器元件及其制造方法


[0001]本专利技术属于存储器
，涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是有关于一种三维存储器元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器元件(如，闪存)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人计算机和其他电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
[0003]目前业界较常使用的闪存数组包括或非门(NOR)闪存和与非门 (NAND)闪存。由于NAND闪存的结构是使各存储单元串接在一起，其集成度与面积利用率较NOR闪存更佳，已经广泛地应用在多种电子产品中。此外，为了进一步地提升存储器元件的集成度，发展出一种三维NAND 闪存。然而，仍存在许多与三维NAND闪存相关的挑战。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种三维存储器元件及其制造方法，通过多个刻蚀步骤来增加垂直通道柱的总深宽比，且在邻近两个垂直通道柱之间设置刻蚀终止层，可加宽对准偏移的工艺裕度，以提升元件的性能。
[0005]本专利技术提供一种三维存储器元件，其包括基底、第一叠层结构、第二叠层结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器元件，其特征在于，包括：一基底，具有一存储单元区以及一周边区；一第一叠层结构，配置于该存储单元区以及该周边区上，且在该存储单元区具有穿过该第一叠层结构的至少一第一垂直通道柱；一第二叠层结构，位于该第一叠层结构上、配置于该存储单元区以及该周边区上，且在该存储单元区具有穿过该第二叠层结构的至少一第二垂直通道柱，该第二垂直通道柱电性连接至该第一垂直通道柱；以及一刻蚀终止层，位于该第一叠层结构与该第二叠层结构之间、配置于该存储单元区上并延伸至该周边区，且环绕该第二垂直通道柱的下部。2.如权利要求1所述的三维存储器元件，还包括：一绝缘衬层，配置于该刻蚀终止层与该第一叠层结构之间，该绝缘衬层覆盖部分该第一叠层结构，且该绝缘衬层与该刻蚀终止层由不同材料组成。3.如权利要求1所述的三维存储器元件，其中该第一叠层结构包括交替叠层的多个第一绝缘层与多个第一栅极层，该第二叠层结构包括交替叠层的多个第二绝缘层与多个第二栅极层，这些第一栅极层与这些第二栅极层凸出于该存储单元区的部分在该周边区形成阶梯结构。4.如权利要求3所述的三维存储器元件，其中该刻蚀终止层的厚度大于这些第一栅极层或这些第二栅极层的厚度。5.如权利要求1所述的三维存储器元件，其中该刻蚀终止层的材料包括氧化物、氮化物或氮氧化物。6.如权利要求1所述的三维存储器元件，其中该刻蚀终止层的材料包括多晶硅、金属、金属硅化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨智凯，韩宗廷，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：