非易失性存储器装置的操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种非易失性存储器装置的操作方法，适用于非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包含列译码器和存储器阵列。非易失性存储器装置的操作方法包含以下流程：利用列译码器传输多个字信号至存储器阵列；依据总线，利用列译码器将多个字信号中的被选择字信号自预设电压电平切换至编程电压电平；利用列译码器将多个字信号中的至少一辅助字信号自预设电压电平切换至第一通过电压电平；当被选择字信号维持于编程电压电平时，利用列译码器将至少一辅助字信号自第一通过电压电平切换至第二通过电压电平，其中第二通过电压电平高于第一通过电压电平。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置的操作方法
本专利技术有关一种非易失性存储器装置的操作方法，尤指一种3D快闪存储器装置的操作方法。
技术介绍
在2D快闪存储器的工艺已逐渐接近微型化的极限的情况下，为了更有效率地增加快闪存储器的单位面积容量，3D快闪存储器逐渐受到业界重视。快闪存储器包含NAND型和NOR型，其中NAND型快闪存储器又因其高编程与擦除速度而被广泛应用。在3DNAND型快闪存储器中，多条字线以紧密的间距平行排列，且每一条字线用于控制数千个存储单元，使得每一条字线具有相当大的传输阻抗。因此，传统的3DNAND型快闪存储器的驱动方法需要相当长的编程时间，以确保目标字线被完整充电至编程电压。然而，较长的编程时间将使得3DNAND型快闪存储器受到更严重的编程干扰。有鉴于此，如何提供一个能快速抬升字线的电压电平的非易失性存储器装置与相关的操作方法，实为业界有待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术文件提供一种非易失性存储器装置的操作方法，适用于非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包含列译码器和存储器阵列。非易失性存储器装置的操本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置的操作方法，适用于一非易失性存储器装置，其中该非易失性存储器装置包含一列译码器和一存储器阵列，且该非易失性存储器装置的操作方法包含：/n利用该列译码器传输多个字信号至该存储器阵列的多个字线；/n依据一总线，利用该列译码器将该多个字信号中的一被选择字信号自一预设电压电平切换至一编程电压电平，其中该被选择字信号通过该多个字线中的一被选择字线传输，以对该被选择字线所耦接的一存储单元进行编程；/n利用该列译码器将该多个字信号中的至少一辅助字信号自该预设电压电平切换至一第一通过电压电平，其中该至少一辅助字信号通过该多个字线中不同于该被选择字线的至少一辅助字线传输；以及/n当该被...

【技术特征摘要】
20190605 US 16/431,9131.一种非易失性存储器装置的操作方法，适用于一非易失性存储器装置，其中该非易失性存储器装置包含一列译码器和一存储器阵列，且该非易失性存储器装置的操作方法包含：
利用该列译码器传输多个字信号至该存储器阵列的多个字线；
依据一总线，利用该列译码器将该多个字信号中的一被选择字信号自一预设电压电平切换至一编程电压电平，其中该被选择字信号通过该多个字线中的一被选择字线传输，以对该被选择字线所耦接的一存储单元进行编程；
利用该列译码器将该多个字信号中的至少一辅助字信号自该预设电压电平切换至一第一通过电压电平，其中该至少一辅助字信号通过该多个字线中不同于该被选择字线的至少一辅助字线传输；以及
当该被选择字信号维持于该编程电压电平时，利用该列译码器将该至少一辅助字信号自该第一通过电压电平切换至一第二通过电压电平，其中该第二通过电压电平高于该第一通过电压电平。


2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的操作方法，其中，当该被选择字信号维持于该编程电压电平时，该多个字信号中不同于该被选择字信号与该至少一辅助字信号的其他字信号维持于该第二通过电压电平。


3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置的操作方法，其中，当该至少一辅助字信号自该第一通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：张馨文，张耀文，秦启元，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71