立体存储器阵列装置与乘积累加方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种立体存储器阵列装置与乘积累加方法，该立体存储器阵列装置包括区块、位线、字线、源极线、互补式金属氧化物半导体(CMOS)与源极线感测放大器。每一区块包括含多个NAND串的阵列，且NAND串中的每一存储单元存储一个或多个权重值。位线作为信号输入端分别耦接所有区块内沿一方向排列的串选择线。字线分别耦接存储单元，且相同层的字线作为卷积层，以对输入的信号执行卷积运算。不同源极线则耦接不同区块内的所有接地选择线，以独立收集各区块内的NAND串的总和电流。作为开关的CMOS设置于区块底下并耦接至各个源极线，以传输所述总和电流至SL SA，并经SL SA输出各区块的乘积累加结果。

【技术实现步骤摘要】
立体存储器阵列装置与乘积累加方法
本专利技术是有关于一种立体存储器阵列技术，且特别是有关于一种立体存储器阵列装置与使用立体存储器阵列进行乘积累加方法。
技术介绍
人工智能(ArtificialIntelligence，AI)是指通过电脑程序来呈现人类智慧的技术。目前已经在影像辨识、语言分析、棋类游戏等方面达到优越的水准。以影像辨识的AI网络为例，卷积神经网络(Convolutionalneuralnetwork，CNN)是目前广泛用于处理影像辨识的方案，其中包括许多乘积累加(multiply-accumulate，MAC)的计算。然而，因为MAC计算需求大量的权重值(weight，wi，j)，因此需要大量的存储密度，且计算值的传输时间也会因信息量大而发生延迟。因此目前最新的高级AI硬件解决方案旨在提供高性能和低功耗的MAC解决方案。
技术实现思路
本专利技术提供一种立体存储器阵列装置，能用更少的数据移动直接在存储器阵列中执行乘积累加(multiply-accumulate，MAC)，以节省功率和延迟。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种立体存储器阵列装置，包括：/n多个区块，各所述区块包括一阵列，所述阵列包括在Z方向延伸的多个NAND串，各所述NAND串包括一串选择线、一接地选择线以及串联连接于所述串选择线及所述接地选择线之间的多个存储单元，其中各所述存储单元存储一个或多个权重值w

【技术特征摘要】
20190621 US 16/449,1581.一种立体存储器阵列装置，包括：
多个区块，各所述区块包括一阵列，所述阵列包括在Z方向延伸的多个NAND串，各所述NAND串包括一串选择线、一接地选择线以及串联连接于所述串选择线及所述接地选择线之间的多个存储单元，其中各所述存储单元存储一个或多个权重值wi，j；
多条位线，分别耦接所述多个区块内沿Y方向排列的所述多个串选择线，其中各所述位线作为信号输入端xi；
多条字线，分别耦接所述多个存储单元，其中相同层的所述多条字线作为一卷积层，以对从所述位线输入的信号执行卷积运算
多个源极线，分别耦接所述区块内的所有所述NAND串的所述多个接地选择线，以独立收集各所述区块内的所述多个NAND串的总和电流；
多个互补式金属氧化物半导体，设置于所述多个区块底下，且每个互补式金属氧化物半导体耦接至各所述源极线作为开关；以及
多个源极线感测放大器，通过所述多个互补式金属氧化物半导体分别耦接所述多个源极线，以接收各所述区块内的所述总和电流并与至少一参考电平进行比较，以输出各所述区块的乘积累加结果。


2.如权利要求1所述的立体存储器阵列装置，更包括多个共通源极线开关，设置于所述多个源极线之间，以控制所述多个源极线断路或接通。


3.如权利要求1所述的立体存储器阵列装置，更包括多个串选择线驱动器，分别耦接各所述NAND串中的所述串选择线，经组态以驱动所述串选择线或使其浮置。


4.如权利要求1所述的立体存储器阵列装置，其中所述参考电平为参考电压电平，则所述源极线感测放大器包括电阻或电容，以转换所述总和电流为电压信号。


5.如权利要求1所述的立体存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶腾豪，吕函庭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71