立体存储器元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种立体存储器元件及其制作方法，该立体存储器元件包括多层叠层结构、存储层通道层以及开关元件。多层叠层结构包括多个导电层、多个绝缘层和至少一个开口。绝缘层与导电层沿着一个堆叠方向交错堆叠，开口穿过导电层。存储层与导电层至少部分重叠。通道层位于开口中，并与存储层至少部分重叠。开关元件包括：位于多层叠层结构上方，并与通道层电性连接的第一通道插塞；环绕第一通道插塞的栅极介电层；以及环绕栅极介电层的栅极。

【技术实现步骤摘要】
立体存储器元件及其制作方法
本
技术实现思路
是有关于一种存储器元件及其制造方法，且特别是有关于一种具有高存储密度的立体(threedimensional，3D)存储器元件及其制造方法。
技术介绍
存储器元件是可携式电子装置，例如MP3播放器、数码相机、笔记本电脑、智能手机等…中重要的数据储存元件。随着各种应用程序的增加及功能的提升，对于存储器元件的需求，也趋向较小的尺寸、较大的存储容量。而为了因应这种需求，目前设计者转而开发一种包含有多个存储单元阶层(multipleplaneofmemorycells)堆叠的立体存储器元件，例如垂直通道式(Vertical-Channel，VC)立体NAND快闪存储器元件。典型的NAND快闪存储器元件是以具有多层介电电荷捕捉结构(multilayerdielectricchargetrappingstructure)的薄膜晶体管来作为存储单元串列的存储单元及串列/接地选择开关，并采用较高的漏极或源极电压与较低的栅极电压(或浮接)，以诱发带对带隧穿(band-to-bandtunneling，BBT)产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种立体存储器元件包括：/n一多层叠层结构，包括多个导电层、多个绝缘层和至少一开口，该多个绝缘层与该多个导电层沿着一堆叠方向交错堆叠，该至少一开口穿过该多个导电层；/n一存储层，位于该至少一开口中，并与该多个导电层至少部分重叠；/n一通道层，位于该至少一开口中，并与该存储层至少部分重叠；以及/n一开关元件，包括：/n一通道插塞，位于该多层叠层结构上方，并与该通道层电性连接；/n一栅极介电层，环绕该通道插塞；以及/n一栅极，环绕该栅极介电层。/n

【技术特征摘要】
20190516 US 16/413,7061.一种立体存储器元件包括：
一多层叠层结构，包括多个导电层、多个绝缘层和至少一开口，该多个绝缘层与该多个导电层沿着一堆叠方向交错堆叠，该至少一开口穿过该多个导电层；
一存储层，位于该至少一开口中，并与该多个导电层至少部分重叠；
一通道层，位于该至少一开口中，并与该存储层至少部分重叠；以及
一开关元件，包括：
一通道插塞，位于该多层叠层结构上方，并与该通道层电性连接；
一栅极介电层，环绕该通道插塞；以及
一栅极，环绕该栅极介电层。


2.如权利要求1所述的立体存储器元件，其中该通道层具有一U形剖面轮廓，该U形剖面轮廓垂直该堆叠方向。


3.如权利要求1所述的立体存储器元件，更包括：
一落着接触垫，位于该至少一开口之中，分别与该通道插塞和该通道层接触，且与该栅极电性隔离。


4.如权利要求1所述的立体存储器元件，更包括：
一源极导体层，位于该多层叠层结构下方，且与该通道层接触；以及
一介层插塞，穿过该多层叠层结构，且与该源极导体层接触。


5.如权利要求1所述的立体存储器元件，其中该栅极介电层不具有一介电电荷捕捉结构。


6.一种立体存储器元件的制作方法，包括：
提供一多层叠层结构，使该多层叠层结构包括多个导电层、多个绝缘层和至少一开口，该多个绝缘层与该多个导电层沿着一堆叠方向交错堆叠，该至少一开口穿过该多个导电层；
在该至少一开口中形成一存储层，使该存储层与该多个导电层至少部分重叠；
在该至少一开口中形成一通道层，使该...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志玮，叶腾豪，江昱维，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71