半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，该层叠结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；以及沟道层，该沟道层穿过层叠结构，其中，沟道层是单层，该单层包括第一GIDL区域、单元区域和第二GIDL区域，并且第一GIDL区域比单元区域和第二GIDL区域中的每个具有更大的厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
各个实施方式总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体装置和该半导体装置的制造方法。
技术介绍
非易失性存储器装置即使在没有电力供应的情况下也保留所存储的数据。其中存储器单元以单层形式形成在基板上方的二维非易失性存储器装置的集成度的增加近来已经受到限制。因此，已经提出了其中存储器单元在垂直方向上层叠在基板上的三维非易失性存储器装置。三维非易失性存储器装置可以包括彼此交替层叠的层间绝缘层和栅电极以及穿过层叠结构的沟道层，并且存储器单元可以沿着沟道层层叠。已经开发出各种结构和制造方法以提高三维非易失性存储器装置的操作可靠性。
技术实现思路
根据实施方式，半导体装置可以包括：层叠结构，该层叠结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；以及沟道层，该沟道层穿过层叠结构，其中，沟道层是单层，该单层包括第一GIDL区域、单元区域和第二GIDL区域，并且第一GIDL区域比单元区域和第二GIDL区域中的每个具有更大的厚度。根据实施方式，半导体装置可以包括源极层；位线；以及沟道层，该沟道层联接在源极层和位线之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：/n层叠结构，该层叠结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；以及/n沟道层，该沟道层穿过所述层叠结构，/n其中，所述沟道层是单层，所述单层包括第一GIDL区域、单元区域和第二GIDL区域，并且所述第一GIDL区域比所述单元区域和所述第二GIDL区域中的每个具有更大的厚度。/n

【技术特征摘要】
20190513 KR 10-2019-00557711.一种半导体装置，该半导体装置包括：
层叠结构，该层叠结构包括彼此交替层叠的导电层和绝缘层；以及
沟道层，该沟道层穿过所述层叠结构，
其中，所述沟道层是单层，所述单层包括第一GIDL区域、单元区域和第二GIDL区域，并且所述第一GIDL区域比所述单元区域和所述第二GIDL区域中的每个具有更大的厚度。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括在所述沟道层中的间隙填充绝缘层。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述间隙填充绝缘层的对应于所述第一GIDL区域的第一部分比所述间隙填充绝缘层的对应于所述单元区域的第二部分具有更小的宽度。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述间隙填充绝缘层的所述第一部分比所述间隙填充绝缘层的对应于所述第二GIDL区域的第三部分具有更小的宽度。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
源极层；以及
位线，
其中，所述层叠结构位于所述源极层与所述位线之间，所述第一GIDL区域与所述源极层相邻，并且所述第二GIDL区域与所述位线相邻。


6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述单元区域位于所述第一GIDL区域和所述第二GIDL区域之间。


7.根据权利要求5所述的半导体装置，该半导体装置还包括：导电焊盘，该导电焊盘被配置为将所述沟道层联接到所述位线并且被配置为与所述沟道层的所述第二GIDL区域接触。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一GIDL区域是在擦除操作期间生成GIDL电流的区域。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一GIDL区域和所述第二GIDL区域是在擦除操作期间生成GIDL电流的区域。


10.一种半导体装置，该半导体装置包括：
源极层；
位线；以及
沟道层，该沟道层联接在所述源极层和所述位线之间，
其中，所述沟道层为单层，所述单层包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述源极层相邻，所述第二区域与所述位线相邻，并且所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度。


11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一区域是在擦除操作期间生成GIDL电流的区域。


12.根据权利要求10所述的半导体装置，该半导体装置还包括在所述沟道层中的间隙填充绝缘层。


13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述间隙填充绝缘层的对应于所述第一区域的部分的宽度小于所述间隙填充绝缘层的对应于所述第二区域的部分的宽度。


14.根据权利要求10所述的半导体装置，该半导体装置还包括：导电焊盘，该导电焊盘被配置为将所述沟道层联接到所述位线并且被配置为与所述沟道层的所述第二区域接触。


15.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
形成层叠结构；
形成穿过所述层叠结构的开口；
在所述开口中形成沟道层，所述沟道层包括第一GIDL区域、单元区域和第二GIDL区域；
在所述沟道层中形成牺牲层；以及
通过使用所述牺牲层作为蚀刻屏障来蚀刻所述沟道层的所述单元区域和所述第二GIDL区域。


16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述牺牲层覆盖所述沟道层的所述第一GIDL区域，并且使所述沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇河，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR