图形化掩膜的制作方法及三维NAND存储器的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种图形化掩膜的制作方法及三维NAND存储器的制作方法。该制作方法包括以下步骤：S1，在基体上顺序形成层叠的第一掩膜层和第二掩膜层；S2，对第二掩膜层进行刻蚀，以形成贯穿至第一掩膜层的第一凹槽，第一凹槽具有沿远离第一掩膜层的方向上顺序连通的第二槽段和第一槽段，第二槽段贯穿至第一掩膜层，且第二槽段的任意横截面大于第一槽段的任意横截面；S3，以具有第一凹槽的第二掩膜层为掩膜对第一掩膜层进行刻蚀，以形成具有贯穿至基体的第二凹槽；S4，去除第二掩膜层，以得到图形化掩膜。上述制作方法减少了杂质在形成图形化掩膜的过程中的堆积，有效地避免了图形化掩膜中内壁的弯曲，保证了高深宽比的栅极隔槽的刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
图形化掩膜的制作方法及三维NAND存储器的制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种图形化掩膜的制作方法及三维NAND存储器的制作方法。
技术介绍
现有技术中，闪存(FlashMemory)存储器的主要功能是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在电子产品中得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(BitDensity)，同时减少位成本(BitCost)，进一步提出了3DNAND存储器。在目前3DNAND存储器中，通常采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器结构。为了得到上述堆叠式的3DNAND存储器结构，需要在硅衬底上形成堆叠结构，并形成位于沟道通孔中的存储结构，然后形成栅极隔槽(GLS)以分开存储器阵列中的存储区域，并在栅极隔槽中形成导电通道。现有技术中通常先在堆叠结构上形成具有较大的深宽比的图形化掩膜，然后通过该图形化掩膜对堆叠结构进行刻蚀以形成高深宽比的栅极隔槽。为了得到上述图形化掩膜，现有技术中通常先本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图形化掩膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，在基体上顺序形成层叠的第一掩膜层和第二掩膜层；/nS2，对所述第二掩膜层进行刻蚀，以形成贯穿至所述第一掩膜层的第一凹槽，所述第一凹槽具有沿远离所述第一掩膜层的方向上顺序连通的第二槽段和第一槽段，所述第二槽段贯穿至所述第一掩膜层，且所述第二槽段的任意横截面大于所述第一槽段的任意横截面；/nS3，以具有所述第一凹槽的所述第二掩膜层为掩膜对所述第一掩膜层进行刻蚀，以形成具有贯穿至所述基体的第二凹槽；/nS4，去除所述第二掩膜层，以得到所述图形化掩膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种图形化掩膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在基体上顺序形成层叠的第一掩膜层和第二掩膜层；
S2，对所述第二掩膜层进行刻蚀，以形成贯穿至所述第一掩膜层的第一凹槽，所述第一凹槽具有沿远离所述第一掩膜层的方向上顺序连通的第二槽段和第一槽段，所述第二槽段贯穿至所述第一掩膜层，且所述第二槽段的任意横截面大于所述第一槽段的任意横截面；
S3，以具有所述第一凹槽的所述第二掩膜层为掩膜对所述第一掩膜层进行刻蚀，以形成具有贯穿至所述基体的第二凹槽；
S4，去除所述第二掩膜层，以得到所述图形化掩膜。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽具有第一侧壁，所述第一侧壁与所述第二槽段对应的部分具有倒角。


3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下过程：
对所述第二掩膜层进行一次干法刻蚀，以形成所述第一槽段，所述一次干法刻蚀的具有第一刻蚀速率；
沿所述第一槽段继续对所述第二掩膜层进行二次干法刻蚀，以形成所述第二槽段，所述二次干法刻蚀具有第二刻蚀速率，且所述第二刻蚀速率大于所述第一刻蚀速率。


4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率和所述第二刻蚀速率均恒定。


5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀速率恒定，且所述第二刻蚀速率渐变。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料选自无定...

【专利技术属性】
技术研发人员：单静静，钟杜，陈韦斌，曾最新，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42