【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件及其制造方法
专利技术构思涉及一种半导体器件和/或制造该半导体器件的方法，更具体地，涉及具有提高的集成度的半导体存储器件和/或制造该半导体存储器件的方法。
技术介绍
半导体器件已经被高度集成以满足消费者所要求和/或期望的半导体器件的高性能和低制造成本。由于半导体器件的集成度是决定产品价格的重要因素，所以对高度集成的半导体器件的需求日益增长。典型的二维或平面半导体器件的集成度主要由单位存储单元所占的面积决定，使得它受用于形成精细图案的技术水平的极大影响。然而，提高图案精细度所需的或用于提高图案精细度的极其昂贵的处理设备会对提高二维或平面半导体器件的集成度设置实际的限制。因此，已经提出具有三维布置的存储单元的三维半导体存储器件。
技术实现思路
专利技术构思的一些示例实施方式提供一种具有提高的集成度的半导体存储器件。专利技术构思的一些示例实施方式提供一种制造半导体存储器件的方法，该方法能够提高生产率。专利技术构思的目的不限于以上所述，并且以上没有提及的其它目的将从以下描述而被本领域...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：/n在衬底上的第一半导体图案，所述第一半导体图案包括第一端和背对所述第一端的第二端；/n与所述第一半导体图案的侧表面相邻的第一导电线，所述第一导电线在所述第一端和所述第二端之间，所述第一导电线垂直于所述衬底的顶表面；/n第二导电线，与所述第一半导体图案的所述第一端接触并与所述第一导电线间隔开，所述第二导电线平行于所述衬底的所述顶表面；以及/n数据存储图案，与所述第一半导体图案的所述第二端接触，/n其中所述第一导电线包括与所述第一半导体图案的所述侧表面相邻地突出的突起。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190430 KR 10-2019-00506951.一种半导体存储器件，包括：
在衬底上的第一半导体图案，所述第一半导体图案包括第一端和背对所述第一端的第二端；
与所述第一半导体图案的侧表面相邻的第一导电线，所述第一导电线在所述第一端和所述第二端之间，所述第一导电线垂直于所述衬底的顶表面；
第二导电线，与所述第一半导体图案的所述第一端接触并与所述第一导电线间隔开，所述第二导电线平行于所述衬底的所述顶表面；以及
数据存储图案，与所述第一半导体图案的所述第二端接触，
其中所述第一导电线包括与所述第一半导体图案的所述侧表面相邻地突出的突起。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
在所述第一半导体图案和所述衬底之间的层间电介质图案，
其中与所述第一半导体图案的所述侧表面朝向所述第一导电线突出相比，所述层间电介质图案的侧表面朝向所述第一导电线更加突出。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第二导电线包括与所述第一半导体图案的所述第一端接触的突起。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第二导电线的侧表面接触所述第一半导体图案的所述第一端，并且所述第二导电线的所述侧表面具有不平坦的结构。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，
所述半导体存储器件包括多个所述第一半导体图案，并且所述多个第一半导体图案顺序地堆叠在所述衬底上，
所述第一导电线与所述多个第一半导体图案的侧表面相邻，并且
所述半导体存储器件还包括：
在所述多个第一半导体图案之间的多个层间电介质图案，以及
栅极电介质层，在所述第一导电线和每个所述层间电介质图案之间以及在所述第一导电线和每个所述第一半导体图案之间，
其中所述栅极电介质层的侧表面具有不平坦的结构。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
第二半导体图案，在所述衬底上在与所述第一半导体图案的高度相同的高度处并与所述第一半导体图案间隔开，所述第二半导体图案包括第三端和背对所述第三端的第四端；以及
与所述第二半导体图案的侧表面相邻的第三导电线，所述第三导电线在所述第三端和所述第四端之间，所述第三导电线垂直于所述衬底的所述顶表面，
其中所述第三导电线包括与所述第二半导体图案的所述侧表面相邻地突出的突起。
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中所述第三导电线具有与所述第一导电线的形状成镜像的形状。
8.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中所述第二导电线延伸以与所述第二半导体图案的所述第三端接触。
9.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中所述第一导电线和所述第三导电线彼此间隔开，并在所述第一半导体图案和所述第二半导体图案之间。
10.根据权利要求6所述的半导体存储器件，还包括：
连接半导体图案，将所述第一半导体图案的所述第一端连接到所述第二半导体图案的所述第三端，
其中所述连接半导体图案与所述第二导电线接触。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中所述连接半导体图案、所述第一端和所述第三端被掺杂有相同的导电类型的杂质。
12.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，
所述数据存储图案包括第一电极，
所述第一电极的顶表面与所述第一半导体图案的顶表面共平面，并且
所述第一电极的底表面与所述第一半导体图案的底表面共平面。
13.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，
所述第一导电线在第一方向上延伸，
所述第二导电线在第二方向上延伸，所述第二方向交叉所述第一方向，并且
所述第一半导体图案在所述第一方向上具有第一长度并在所述第二方向上具有第二长度，
其中所述第一长度大于所述第二长度。
技术研发人员：孙龙勋，金亨俊，李炫姃，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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