【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件
一些示例实施方式涉及半导体存储器件。更具体地，一些示例实施方式涉及集成度得到提高的半导体存储器件。
技术介绍
近来，由于信息通信设备的多功能化而对大容量和高度集成的半导体存储器件存在需求。随着半导体存储器件的集成度增加，工艺分布对半导体存储器件性能的影响同样增加。因此，将会需要控制工艺分布以提高半导体存储器件的可靠性的各种方法。
技术实现思路
一些示例实施方式提供了具有提高的可靠性的半导体存储器件及其制造方法。一些示例实施方式不限于上述任务，并且本领域技术人员可以由以下描述清楚地理解未提及的其它任务。根据一些示例实施方式，提供了一种半导体存储器件，其包括：第一半导体层、第二半导体层以及在第一半导体层和第二半导体层之间的第三半导体层；多个栅电极，布置在第二半导体层上并在与第二半导体层的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开；以及多个沟道结构，被第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以及所述多个栅电极围绕，所述多个沟道结构中的每个相应沟道结构包括栅极绝缘膜、沟道层和掩埋绝缘膜，栅极...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：/n第一半导体层、第二半导体层以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第三半导体层；/n多个栅电极，在所述第二半导体层上并且在与所述第二半导体层的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开；以及/n多个沟道结构，被所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层以及所述多个栅电极围绕，所述多个沟道结构中的每个相应沟道结构包括栅极绝缘膜、沟道层和掩埋绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括与所述沟道层相邻的隧道绝缘膜、与所述多个栅电极相邻的电荷阻挡膜、以及在所述隧道绝缘膜和所述电荷阻挡膜之间的电荷存储膜，所述电荷存储膜包括朝向所述多个沟道结构中的相应沟道结构的...
【技术特征摘要】
20190430 KR 10-2019-00509841.一种半导体存储器件，包括：
第一半导体层、第二半导体层以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第三半导体层；
多个栅电极，在所述第二半导体层上并且在与所述第二半导体层的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开；以及
多个沟道结构，被所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层以及所述多个栅电极围绕，所述多个沟道结构中的每个相应沟道结构包括栅极绝缘膜、沟道层和掩埋绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括与所述沟道层相邻的隧道绝缘膜、与所述多个栅电极相邻的电荷阻挡膜、以及在所述隧道绝缘膜和所述电荷阻挡膜之间的电荷存储膜，所述电荷存储膜包括朝向所述多个沟道结构中的相应沟道结构的外部突出的上部盖。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
其中所述电荷阻挡膜的下部分与所述第三半导体层间隔开且所述上部盖在它们之间。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
其中所述电荷阻挡膜的下表面被所述上部盖覆盖。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
其中所述电荷阻挡膜的下表面的水平在所述第二半导体层的上表面的水平和所述第二半导体层的下表面的水平之间。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
其中所述上部盖与所述第二半导体层的侧表面接触。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
导电平板，在所述第一半导体层下方并且与所述第一半导体层接触。
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，
其中所述导电平板包括钨和钨化合物中的一种。
8.一种半导体存储器件，包括：
第一半导体层和在所述第一半导体层上的第二半导体层；
多个栅电极，在所述第二半导体层上并且在与所述第二半导体层的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开；以及
多个沟道结构，在所述第一方向上穿透所述第一半导体层和所述第二半导体层以及所述多个栅电极，所述多个沟道结构中的每个包括栅极绝缘膜、沟道层和掩埋绝缘膜，所述沟道层连接到所述第一半导体层，所述栅极绝缘膜包括与所述第二半导体层的侧表面接触的上部电荷存储膜。
9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，
其中所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此接触。
10.根据权利要求8所述的半导体存储器件，还包括：
上部电荷阻挡膜，在所述上部电荷存储膜和所述第二半导体层之间。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，
其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金森宏治，姜书求，姜信焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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