存储器结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器结构及其制造方法，存储器结构包含基板、栅极、第一绝缘层、薄金属层、多个氧化铟镓锌(IGZO)颗粒、第二绝缘层、IGZO通道层与源极/漏极。栅极位于基板上。第一绝缘层位于栅极上。薄金属层位于第一绝缘层上，且具有多个金属颗粒。IGZO颗粒位于金属颗粒上。第二绝缘层位于IGZO颗粒上。IGZO通道层位于第二绝缘层上。源极/漏极位于IGZO通道层上。IGZO颗粒可作为储存由穿隧效应进入的载子(电子)的媒介，能减少存储器结构的侧向漏电，确保存储器结构能够长期正常操作，避免数据的遗漏。

【技术实现步骤摘要】
存储器结构及其制造方法
本专利技术是有关于一种存储器结构与一种存储器结构的制造方法。
技术介绍
现今，举凡手机、笔记本电脑、平板电脑、随身碟、及数码相机等电子产品，已算是生活中不可或缺的必需品。其中，电子产品内的存储器扮演一个相当重要的角色。存储器可分为挥发性(Volatile)存储器及非易失性(Non-volatile)存储器两种。挥发性存储器意指存储器内的储存数据会随着外部供应电源的移除而消失，如静态随机存取存储器、动态随机存取存储器。非挥发存储器意指存储器内的储存数据不会随着外部供应电源的移除消失，且可长时间地被储存，如只读存储器、可编程只读存储器、可抹除可编程只读存储器、可用电抹除可编程只读存储器及快闪存储器。非易失性存储器为了让载子的信息能够长期的储存，减少元件的侧向漏电(Lateralleakage)为重要的课题，才能够确保元件能够长期正常操作，且避免信息的遗漏。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种存储器结构，其能减少存储器结构的侧向漏电，确保存储器结构能够长期正常操作，避免数据的遗漏。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器结构，其特征在于，包含：/n基板；/n栅极，位于所述基板上；/n第一绝缘层，位于所述栅极上；/n薄金属层，位于所述第一绝缘层上，具有多个金属颗粒；/n多个氧化铟镓锌颗粒，位于所述多个金属颗粒上；/n第二绝缘层，位于所述多个氧化铟镓锌颗粒上；/n氧化铟镓锌通道层，位于所述第二绝缘层上；以及/n源极/漏极，位于所述氧化铟镓锌通道层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器结构，其特征在于，包含：
基板；
栅极，位于所述基板上；
第一绝缘层，位于所述栅极上；
薄金属层，位于所述第一绝缘层上，具有多个金属颗粒；
多个氧化铟镓锌颗粒，位于所述多个金属颗粒上；
第二绝缘层，位于所述多个氧化铟镓锌颗粒上；
氧化铟镓锌通道层，位于所述第二绝缘层上；以及
源极/漏极，位于所述氧化铟镓锌通道层上。


2.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述薄金属层的厚度在1nm至20nm的范围中。


3.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，每个所述氧化铟镓锌颗粒的厚度在2nm至20nm的范围中。


4.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述薄金属层的材料包含银。


5.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述多个氧化铟镓锌颗粒接触所述薄金属层。


6.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述薄金属层接触所述第一绝缘层。


7.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述多个氧化铟镓锌颗粒位于所述薄金属层与所述第二绝缘层之间。


8.一种存储器结构的制造方法，其特征在于，包含：
在栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：冉晓雯，蔡娟娟，林敬富，李宗玹，陈蔚宗，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71