【技术实现步骤摘要】
竖直半导体装置相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月25日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2019-0048138的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文中。
示例实施例涉及竖直半导体装置和/或其制造方法。
技术介绍
竖直半导体装置可包括在垂直于衬底的表面的方向上堆叠的存储器单元。竖直半导体装置可包括具有以交替和重复方式堆叠的栅极图案和绝缘图案的堆叠结构。随着堆叠的存储器单元的数量增加(从而增大堆叠件的高度)，堆叠结构的高宽比可增大。因此，形成具有稳定结构的堆叠结构可为困难的。
技术实现思路
一些示例实施例提供了一种具有稳定结构和/或优秀或改进的电特性的竖直半导体装置。一些示例实施例提供了制造具有稳定结构和/或优秀或改进的电特性的竖直半导体装置的方法。根据一些示例实施例，提供了一种竖直半导体装置，该竖直半导体装置包括：衬底，其包括上表面；堆叠结构，其包括绝缘层和栅极图案，绝缘层与栅极图案交替和重复地堆叠在衬底上，堆叠结构在平行于衬底的上表...
【技术保护点】
1.一种竖直半导体装置，包括：/n衬底，其包括上表面；/n堆叠结构，其包括绝缘层和栅极图案，所述绝缘层与所述栅极图案交替和重复地堆叠在所述衬底上，所述堆叠结构在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸，所述栅极图案包括至少多个第一栅极图案，并且所述堆叠结构包括所述第一栅极图案之间的牺牲图案；以及/n多个沟道结构，其穿过所述堆叠结构，所述沟道结构中的每一个延伸至所述衬底的上表面，并且所述沟道结构中的每一个包括电荷存储结构和沟道，/n其中，在所述堆叠结构中，所述沟道结构中的至少一个穿过所述牺牲图案到达衬底的上表面，并且延伸至所述衬底的上表面。/n
【技术特征摘要】
20190425 KR 10-2019-00481381.一种竖直半导体装置，包括：
衬底，其包括上表面；
堆叠结构，其包括绝缘层和栅极图案，所述绝缘层与所述栅极图案交替和重复地堆叠在所述衬底上，所述堆叠结构在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸，所述栅极图案包括至少多个第一栅极图案，并且所述堆叠结构包括所述第一栅极图案之间的牺牲图案；以及
多个沟道结构，其穿过所述堆叠结构，所述沟道结构中的每一个延伸至所述衬底的上表面，并且所述沟道结构中的每一个包括电荷存储结构和沟道，
其中，在所述堆叠结构中，所述沟道结构中的至少一个穿过所述牺牲图案到达衬底的上表面，并且延伸至所述衬底的上表面。
2.根据权利要求1所述的竖直半导体装置，其中，所述沟道结构中的所述至少一个穿过邻近于所述牺牲图案的两侧的第一栅极图案。
3.根据权利要求1所述的竖直半导体装置，其中，所述栅极图案中的每一个对应于接地选择晶体管的栅极、单元晶体管的栅极和串选择晶体管的栅极中的一个，并且所述牺牲图案在所述单元晶体管的栅极图案上方。
4.根据权利要求1所述的竖直半导体装置，其中，沟槽在所述牺牲图案与所述第一栅极图案之间，并且所述牺牲图案与所述第一栅极图案间隔开。
5.根据权利要求4所述的竖直半导体装置，其中，所述沟槽在所述第一方向上按照直线或z字形延伸。
6.根据权利要求4所述的竖直半导体装置，其中，所述牺牲图案包括与所述绝缘层中的绝缘材料不同的绝缘材料。
7.根据权利要求6所述的竖直半导体装置，其中，
所述牺牲图案包括氮化硅，并且
所述绝缘层包括氧化硅。
8.根据权利要求1所述的竖直半导体装置，其中，与所述栅极图案中的邻近于所述牺牲图案的两侧的栅极图案相对应的晶体管被构造为被编程以具有正阈电压。
9.根据权利要求1所述的竖直半导体装置，其中，与所述栅极图案中的位于所述牺牲图案下方的栅极图案相对应的晶体管被构造为被编程以具有正阈电压。
10.根据权利要求1所述的竖直半导体装置，其中，邻近于所述牺牲图案的侧部的栅极图案和位于所述牺牲图案下方的栅极图案对应于串选择晶体管。
11.根据权利要求1所述的竖直半导体装置，其中，邻近于所述牺牲图案的两侧的栅极图案用作上选择晶体管，并且所述牺牲图案下方的栅极图案对应于串选择晶体管。
12.一种竖直半导体装置，包括：
衬底，其包括上表面；
堆叠结构，其包括所述衬底上的绝缘层和栅极图案，所述绝缘层与所述栅极图案交替和重复地堆叠，所述堆叠结构在第一方向上延伸，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜信焕，孙荣晥，李海旻，金森宏治，韩智勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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