多次可编程存储单元及存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种多次可编程存储单元，包括：第一衬底；第一阱，配置于第一衬底上；第二阱，配置于第一阱上；第一电极区，配置于第二阱上；第二电极区，配置于第二阱上；第一栅极，配置于第二阱上，位于第一电极区、第二电极区之间；第三电极区，配置于第二阱上，包括第一子电极区及与其相耦接的第二子电极区，第一、第二子电极区的导电类型不同；第二栅极，配置于第二阱上，位于第二电极区、第二子电极区之间；第三阱，配置于第一阱上；第四电极区，配置于第三阱上，包括第三子电极区及与其相耦接的第四子电极区，第三、第四子电极区的导电类型不同；以及第三栅极，配置于第三阱上，位于第三子电极区、第四子电极区之间，耦接于第一栅极。

【技术实现步骤摘要】
多次可编程存储单元及存储装置
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及一种多次可编程存储单元及存储装置。
技术介绍
MTP(多次可编程存储单元)是集成电路中常用的技术。该项技术可实现在芯片出厂后的精度调整或客户定制，并且可以作为芯片的存储记忆模块使用。其基本原理是通过捕获或释放存储介质中的电荷，来调整器件的阈值电压等参数，进而影响输出的电流值。现有技术中，双层多晶硅栅存储单元是最常用的技术手段。但由于双层多晶硅结构需要增加掩膜板层数，增加了芯片的成本。因此，提供一种多次可编程存储单元及存储装置，以降低芯片成本，是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种多次可编程存储单元及存储装置，解决了现有技术中多次可编程存储单元的尺寸及成本的技术问题。一方面，本专利技术提出了一种多次可编程存储单元，包括：一第一衬底；一第一阱，配置于所述第一衬底上；一第二阱，配置于所述第一阱上；一第一电极区，配置于所述第二阱上；一第二电极区，配置于所述第二阱上；一第一栅极，配置于所述第二阱上，位于所述第一电极区、所述第二电极区之间；一第三电极区，配置于所述第二阱上，包括一第一子电极区、与所述第一子电极区相耦接的一第二子电极区，所述第一子电极区与所述第二子电极区的导电类型不同；一第二栅极，配置于所述第二阱上，位于所述第二电极区、所述第二子电极区之间；一第三阱，配置于所述第一阱上；一第四电极区，配置于所述第三阱上，包括一第三子电极区、与所述第三子电极区相耦接的一第四子电极区，所述第三子电极区与所述第四子电极区的导电类型不同；以及一第三栅极，配置于所述第三阱上，位于所述第三子电极区、所述第四子电极区之间，耦接于所述第一栅极，所述第三栅极与所述第三阱形成控制栅电容。可选地，所述第三栅极的面积大于所述第一栅极的面积。可选地，所述第三栅极的面积大于或等于所述第一栅极的面积的10倍。可选地，所述第一阱为高压阱。可选地，所述多次可编程存储单元包括：所述第一衬底配置为P型衬底；所述第一阱配置为高压N型阱；所述第二阱配置为P型阱；所述第三阱配置为P型阱；所述第一电极区、所述第二电极区配置为N型重掺杂；所述第一子电极区配置为P型重掺杂、第二子电极区配置为N型重掺杂；以及所述第三子电极区配置为P型重掺杂、第四子电极区配置为N型重掺杂。可选地，包括：当所述多次可编程存储单元进行编程时，所述第一子电极区、所述第二子电极区接入负电位，所述第三子电极区、所述第四子电极区接入正电位；当所述多次可编程存储单元进行擦除时，所述第一子电极区、所述第二子电极区接入正电位，所述第三子电极区、所述第四子电极区接入负电位；当所述多次可编程存储单元进行读取时，所述第一子电极区、所述第二子电极区接入0电位，所述第三子电极区、所述第四子电极区、所述第二栅极、所述第一电极区接入高电位。可选地，所述多次可编程存储单元还包括：一第四阱，位于所述第二阱与所述第三阱间，用于隔离所述第二阱与所述第三阱。可选地，所述多次可编程存储单元还包括：一第五电极区，配置于所述第四阱上。另一方面，提出了一种存储装置，包括：一如上述任一项所述的多次可编程存储单元。本专利技术所提出的一种多次可编程存储单元及存储装置，由于采用隧穿原理来使浮空栅进行捕获、释放电子来分别进行编程、擦除，即，采用隧穿原理设计可多次可编程存储单元，减小了多次可编程存储单元的尺寸，进而降低了成本。并且设计了相耦接的第一子电极区、第二子电极区，可以更好地引出编程时的电位，及相耦接的第三子电极区、第四子电极区，可以更好地引出擦除时的电位。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1为本专利技术一实施例的多次可编程存储单元的电路示意图；图2为图1所示多次可编程存储单元的结构示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。参考图1、图2，图1为本专利技术一实施例的多次可编程存储单元的电路示意图，图2为图1所示多次可编程存储单元的结构示意图。如图2所示，多次可编程存储单元包括：一第一衬底110、一第一阱120、一第二阱130、一第一电极区131、一第二电极区132、一第一栅极133、一第一子电极区134、一第二子电极区135、一第二栅极136、一第三阱140、一第三子电极区141、一第四子电极区142、一第三栅极143。其中，第一阱120，配置于第一衬底110上；第二阱130，配置于第一阱120上；第一电极区131，配置于第二阱131上；第二电极区132，配置于第二阱132上；第一栅极133，配置于第二阱132上，位于第一电极区131、第二电极区132之间；第三电极区，配置于第二阱130上，包括一第一子电极区134、与第一子电极区134相耦接的一第二子电极区135，第一子电极区134与第二子电极区135的导电类型不同；第二栅极136，配置于第二阱130上，位于第二电极区132、第二子电极区之间；第三阱140，配置于第一阱120上；第四电极区，配置于第三阱140上，包括第三子电极区141、与第三子电极区141相耦接的第四子电极区142，第三子电极区141与第四子电极区142的导电类型不同；第三栅极143，配置于第三阱140上，位于第三子电极区141、第四子电极区143之间，耦接于第一栅极133，第三栅极143与第三阱140形成控制栅电容。下面，本实施例中，结合图2所示，将以多次可编程存储单元的晶体管是NMOS管为例进行说明，即，导电类型为N型。本实施例中，第一衬底110，可以是P型衬底。本实施例中，第一阱120，可以是高压阱，具体地，可以是高压N型阱(HVNwell)，配置于第一衬底110上，即，配置在P型衬底上。本实施例中，第二阱130，可以是P型阱(Pwell)，配置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多次可编程存储单元，其特征在于，包括：/n一第一衬底；/n一第一阱，配置于所述第一衬底上；/n一第二阱，配置于所述第一阱上；/n一第一电极区，配置于所述第二阱上；/n一第二电极区，配置于所述第二阱上；/n一第一栅极，配置于所述第二阱上，位于所述第一电极区、所述第二电极区之间；/n一第三电极区，配置于所述第二阱上，包括一第一子电极区、与所述第一子电极区相耦接的一第二子电极区，所述第一子电极区与所述第二子电极区的导电类型不同；/n一第二栅极，配置于所述第二阱上，位于所述第二电极区、所述第二子电极区之间；/n一第三阱，配置于所述第一阱上；/n一第四电极区，配置于所述第三阱上，包括一第三子电极区、与所述第三子电极区相耦接的一第四子电极区，所述第三子电极区与所述第四子电极区的导电类型不同；以及/n一第三栅极，配置于所述第三阱上，位于所述第三子电极区、所述第四子电极区之间，耦接于所述第一栅极，所述第三栅极与所述第三阱形成控制栅电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种多次可编程存储单元，其特征在于，包括：
一第一衬底；
一第一阱，配置于所述第一衬底上；
一第二阱，配置于所述第一阱上；
一第一电极区，配置于所述第二阱上；
一第二电极区，配置于所述第二阱上；
一第一栅极，配置于所述第二阱上，位于所述第一电极区、所述第二电极区之间；
一第三电极区，配置于所述第二阱上，包括一第一子电极区、与所述第一子电极区相耦接的一第二子电极区，所述第一子电极区与所述第二子电极区的导电类型不同；
一第二栅极，配置于所述第二阱上，位于所述第二电极区、所述第二子电极区之间；
一第三阱，配置于所述第一阱上；
一第四电极区，配置于所述第三阱上，包括一第三子电极区、与所述第三子电极区相耦接的一第四子电极区，所述第三子电极区与所述第四子电极区的导电类型不同；以及
一第三栅极，配置于所述第三阱上，位于所述第三子电极区、所述第四子电极区之间，耦接于所述第一栅极，所述第三栅极与所述第三阱形成控制栅电容。


2.根据权利要求1所述的多次可编程存储单元，其特征在于，所述第三栅极的面积大于所述第一栅极的面积。


3.根据权利要求2所述的多次可编程存储单元，其特征在于，所述第三栅极的面积大于或等于所述第一栅极的面积的10倍。


4.根据权利要求1所述的多次可编程存储单元，其特征在于，所述第一阱为高压阱。


5.根据权利要求1所述的多次可编程存储单...

【专利技术属性】
技术研发人员：王炜槐，胡涛，陆阳，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33