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本发明公开了一种立体存储器元件及其制作方法，该立体存储器元件包括多层叠层结构、存储层通道层以及开关元件。多层叠层结构包括多个导电层、多个绝缘层和至少一个开口。绝缘层与导电层沿着一个堆叠方向交错堆叠，开口穿过导电层。存储层与导电层至少部分重叠...
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