半导体结构与连线结构的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构与连线结构的制作方法，该半导体结构包含半导体装置、设置于半导体装置上的第一金属化层、设置于第一金属化层上的第二金属化层，以及设置于第一金属化层与第二金属化层之间的第三介电层。第一金属化层包含第一介电层与设置在第一介电层中的第一金属层，其中第一金属层具有第一厚度，第一金属层包含铜。第三介电层具有第二厚度，第三介电层的第二厚度与第一金属层的第一厚度的比值介于约3与约20之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构与连线结构的制作方法
本专利技术是关于一种半导体结构及其连线结构的制作方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)工业在过去数十年内历经了快速的成长。受惠于集成电路材料和设计的进步，集成电路一代比一代具有体积更小且元件分布更密集的进步。这些材料及设计的进步可使得相关的工艺也随之进步。当最小元件的尺寸降低时，许多挑战会出现。举例来说，导线与介电材料的内连接结构可利于连接晶体管及其他元件，故此内连接结构在集成电路性能的提升上扮演重要的角色。
技术实现思路
本专利技术的一实施方式提供了一种半导体结构，包含半导体装置、设置于半导体装置上的第一金属化层、设置于第一金属化层上的第二金属化层，以及设置于第一金属化层与第二金属化层之间的第三介电层。第一金属化层包含第一介电层与设置在第一介电层中的第一金属层，其中第一金属层具有第一厚度，第一金属层包含铜。第三介电层具有第二厚度，第三介电层的第二厚度与第一金属层的第一厚度的比值介于约3与约20之间。在一实施例中，第二金属化层包含第二介电层与设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包含：/n一半导体装置；/n一第一金属化层，设置于该半导体装置上，该第一金属化层包含一第一介电层与设置在该第一介电层中的一第一金属层，其中该第一金属层具有一第一厚度，该第一金属层包含铜；/n一第二金属化层，设置于该第一金属化层上；以及/n一第三介电层，设置于该第一金属化层与该第二金属化层之间，其中该第三介电层具有一第二厚度，该第三介电层的该第二厚度与该第一金属层的该第一厚度的比值介于约3与约20之间。/n

【技术特征摘要】
20190530 TW 1081188021.一种半导体结构，包含：
一半导体装置；
一第一金属化层，设置于该半导体装置上，该第一金属化层包含一第一介电层与设置在该第一介电层中的一第一金属层，其中该第一金属层具有一第一厚度，该第一金属层包含铜；
一第二金属化层，设置于该第一金属化层上；以及
一第三介电层，设置于该第一金属化层与该第二金属化层之间，其中该第三介电层具有一第二厚度，该第三介电层的该第二厚度与该第一金属层的该第一厚度的比值介于约3与约20之间。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二金属化层包含一第二介电层与设置在该第二介电层中的一第二金属层，其中该第二金属层的材料不同于该第一金属层的材料。


3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第一金属层包含多个第一金属线，该第二金属层包含多个第二金属线，且这些第一金属线的延伸方向正交于这些第二金属线的延伸方向。


4.如权利要求3所述的半导体结构，其中这些第一金属线为位线。


5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体装置为垂直式存储器元件。


6.一种半导体结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡孟翰，王翊丞，陈冠智，刘光文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71