半导体封装制造技术

一种半导体封装可以包括：第一钝化层，与一个或多个第一凸块形成电连接；衬底层，包括第二钝化层和硅层；形成在衬底层上的后道工序(BEOL)层；以及形成在BEOL层上的第三钝化层，与一个或多个第二凸块形成电连接，其中衬底层包括：第一信号硅通孔(TSV)，在BEOL层与第一下焊盘之间传输第一信号；第二信号TSV，在BEOL层与第二下焊盘之间传输第二信号；以及接地TSV，设置在第一信号TSV与第二信号TSV之间并被形成为使得其一端连接到BEOL层，而其另一端浮置。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装本申请要求于2019年5月28日向韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0062277号韩国专利申请的优先权权益，其全部公开内容通过引用一并于此。
本专利技术构思的各种示例实施例涉及一种半导体封装。
技术介绍
随着电子工业和用户需求的飞速发展，用于电子设备中的半导体封装要求小型化、高性能、低功耗等，并且具有三维堆叠芯片形式的三维集成电路(IC)已受到关注，以实现这种要求。另外，持续进行对为了实现三维IC而包括硅通孔(TSV)的半导体封装的研究和开发。TSV在更先进的半导体芯片、半导体封装及半导体系统如三维IC中起着非常重要的作用，但是它具有串扰噪声的问题。串扰可能是由于TSV之间不期望的相互作用而发生的，或者可能是由于有源元件如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与TSV之间不期望的相互作用而发生的。由于串扰增加了噪声容限，这降低了信号可靠性并增加了信号传输中的误码率，因此需要减少串扰的方案。
技术实现思路
涉及本专利技术构思的各种示例实施例的各方面提供了一种半导体封装，能够减少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：/n第一钝化层，包括第一下焊盘和第二下焊盘，所述第一下焊盘和所述第二下焊盘与一个或多个第一凸块形成电连接，所述第一钝化层包括第一背金属和第二背金属；/n衬底层，包括第二钝化层和硅层，所述衬底层形成在所述第一钝化层上；/n后道工序BEOL层，包括多个金属层，所述BEOL层形成在所述衬底层上；以及/n形成在所述BEOL层上的第三钝化层，所述第三钝化层包括第一上焊盘和第二上焊盘，所述第一上焊盘和所述第二上焊盘与一个或多个第二凸块形成电连接，以及/n所述衬底层还包括：/n第一信号硅通孔TSV，被配置成通过所述第一背金属在所述BEOL层与所述第一下焊盘之间传输第一信号；/n第二...

【技术特征摘要】
20190528 KR 10-2019-00622771.一种半导体封装，包括：
第一钝化层，包括第一下焊盘和第二下焊盘，所述第一下焊盘和所述第二下焊盘与一个或多个第一凸块形成电连接，所述第一钝化层包括第一背金属和第二背金属；
衬底层，包括第二钝化层和硅层，所述衬底层形成在所述第一钝化层上；
后道工序BEOL层，包括多个金属层，所述BEOL层形成在所述衬底层上；以及
形成在所述BEOL层上的第三钝化层，所述第三钝化层包括第一上焊盘和第二上焊盘，所述第一上焊盘和所述第二上焊盘与一个或多个第二凸块形成电连接，以及
所述衬底层还包括：
第一信号硅通孔TSV，被配置成通过所述第一背金属在所述BEOL层与所述第一下焊盘之间传输第一信号；
第二信号TSV，被配置成通过所述第二背金属在所述BEOL层与所述第二下焊盘之间传输第二信号；以及
接地TSV，设置在所述第一信号TSV与所述第二信号TSV之间，所述接地TSV包括连接到所述BEOL层的所述接地TSV的第一端和被配置成浮置的所述接地TSV的第二端。


2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述一个或多个第一凸块未物理地连接到所述接地TSV。


3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
所述第一钝化层还包括与所述接地TSV的下部重叠的第三背金属；以及
所述第三背金属不与所述一个或多个第一凸块形成电连接。


4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV的所述第二端与所述第三背金属形成电连接。


5.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV被形成为从所述BEOL层延伸到所述第三背金属的上表面。


6.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV的所述第二端不与所述第三背金属形成电连接。


7.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV被形成为从所述BEOL层延伸到所述第二钝化层。


8.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述接地TSV被形成为从所述BEOL层延伸到所述硅层。


9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一钝化层不包括与所述接地TSV的下部重叠的背金属。


10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
所述多个金属层包括第一金属；以及
所述接地TSV的所述第一端与所述第一金属形成电连接。


11.一种半导体封装，包括：
第一钝化层，包括第一下焊盘和第二下焊盘，所述第一钝化层与一个或多个第一凸块形成电连接；
形成在所述第一钝化层上的衬底层；以及
形成在所述衬底层上的后道工序BEOL层，
所述衬底层包括：
第一信号硅通孔TSV，被配置成在所述第一下焊盘与所述BEOL层之间传输第一信号；
第二信号TSV，被配置成在所述第二下焊盘与所述BEOL层之间传输第二信号；以及
至少一个接地TSV，所述至少一个接地TSV未物理地连接到所述第一凸块。


12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述至少一个接地TSV包括连接到所述BEOL层的第一端和被配置成浮置的第二端。


13.根据权利要求11所述的半导体封装，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲菠，朴浚曙，文盛煜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR