【技术实现步骤摘要】
布线结构
本公开涉及一种布线结构和制造方法，且涉及一种包含通过中间层附接或接合在一起的至少两个导电结构的布线结构，以及制造所述布线结构的方法。
技术介绍
随着电子工业的快速发展和半导体处理技术的进展，半导体芯片集成数量增加的电子组件，以实现更好的电性能和更多功能。相应地，半导体芯片具备更多的输入/输出(I/O)连接。为了制造包含具有数量增加的I/O连接的半导体芯片的半导体封装，用于承载半导体芯片的半导体衬底的电路层的大小可能相应地增加。因此，半导体衬底的厚度和翘曲度可能相应地增加，并且半导体衬底的良率可能降低。
技术实现思路
在一些实施例中，一种布线结构包含：(a)至少一个上部导电结构，其包含至少一个上部介电层、与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层以及电连接到所述上部电路层的至少一个接合部分；(b)下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层；和(c)中间层，其安置于所述至少一个上部导电结构和所述下部导电结构之间并且将所述至少一个上部导电结构和所述下部导电结构接合在...
【技术保护点】
1.一种布线结构，其包括：/n至少一个上部导电结构，其包含至少一个上部介电层、与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层以及电连接到所述上部电路层的至少一个接合部分；/n下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层；和/n中间层，其安置于所述至少一个上部导电结构和所述下部导电结构之间并且将所述至少一个上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述至少一个上部导电结构电连接到所述下部导电结构。/n
【技术特征摘要】
20190430 US 16/399,9091.一种布线结构，其包括：
至少一个上部导电结构，其包含至少一个上部介电层、与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层以及电连接到所述上部电路层的至少一个接合部分；
下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层；和
中间层，其安置于所述至少一个上部导电结构和所述下部导电结构之间并且将所述至少一个上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述至少一个上部导电结构电连接到所述下部导电结构。
2.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构包括包含所述上部介电层的多个上部介电层、包含所述上部电路层的多个上部电路层、所述至少一个接合部分以及至少一个内部导孔，所述内部导孔安置于所述上部电路层中的两个相邻上部电路层之间以用于电连接所述上部电路层中的所述两个上部电路层，所述内部导孔向上逐渐变窄，且所述接合部分向下逐渐变窄。
3.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构包括包含所述上部介电层的多个上部介电层、包含所述上部电路层的多个上部电路层、所述至少一个接合部分以及至少一个内部导孔，所述内部导孔安置于所述上部电路层中的两个相邻上部电路层之间以用于电连接所述上部电路层中的所述两个相邻上部电路层，所述内部导孔的逐渐变窄方向不同于所述接合部分的逐渐变窄方向。
4.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构包括包含所述上部介电层的多个上部介电层、包含所述上部电路层的多个上部电路层、所述至少一个接合部分以及至少一个内部导孔，所述内部导孔安置于所述上部电路层中的两个相邻上部电路层之间以用于电连接所述上部电路层中的所述两个相邻上部电路层，所述内部导孔的逐渐变窄方向与所述接合部分的逐渐变窄方向相同。
5.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述下部电路层的线距大于所述至少一个上部导电结构的所述上部电路层的线距。
6.根据权利要求1所述的布线结构，其更包括至少一个接合线，所述接合线连接所述至少一个上部导电结构的所述至少一个接合部分与所述下部导电结构。
7.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述至少一个上部导电结构包含彼此上下堆叠的多个上部导电结构，所述布线结构更包括至少一个中介层，所述中介层安置于所述上部导电结构中的两个相邻上部导电结构之间并且使所述上部导电结构中的所述两个相邻上部导电结构接合在一起。
8.根据权利要求7所述的布线结构，其更包括使所述上部导电结构中的两个相邻上部导电结构的接合部分连接的多个接合线。
9.根据权利要求7所述的布线结构，其中所述上部导电结构的大小彼此不同。
10.根据权利要求1所述的布线结构，其更包括多个电子装置和多个接合线，其中所述电子装置堆叠于所述至少一个上部导电结构上，且所述接合线连接所述电子装置与所述至少一个上部导电结构的所述至少一个接合部分。
11.根据权利要求1所述的布线结构，其更包括多...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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