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本发明公开了一种半导体结构与连线结构的制作方法，该半导体结构包含半导体装置、设置于半导体装置上的第一金属化层、设置于第一金属化层上的第二金属化层，以及设置于第一金属化层与第二金属化层之间的第三介电层。第一金属化层包含第一介电层与设置在第一介...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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