一种半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：基板；导线层，位于所述基板上；介质层，位于所述导线层上；沟槽，位于所述介质层中，所述沟槽的底端连接所述导线层，所述沟槽的侧壁具有倾斜角度；阻挡层，位于所述介质层和所述沟槽底端的所述导线层上；金属层，位于所述沟槽内和所述阻挡层上；多个保护层，位于所述金属层上；通孔，位于所述多个保护层中。本发明专利技术能有效改善所述通孔的侧壁会有杂质残留的情况，从而，在晶圆电性测试时，能有效降低对探针的损害。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
目前，在现有技术的再分布层结构中，往往形成沟槽后，向所述沟槽内沉积一层金属层，但由于沉积金属层后，所述沟槽顶端开口处是存在凹口即本文所述的孔隙的，这样，在此基础上，继续沉积其它半导体层，在形成供晶圆电性测试（waferacceptancetest，WAT）时探针插入的通孔时，会在所述通孔的侧壁上残留杂质，残留杂质会破坏晶圆电性测试（waferacceptancetest，WAT）所用探针的针尖，从而影响探针的寿命。在后续的封装过程中，杂质的残留也会导致接触不良。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种半导体结构及其制备方法，其中，所述制备方法通过在填充沟槽时，填充一层较厚的金属材质，例如铝材质，使得所述孔隙的底端到所述沟槽底部的所述阻挡层的垂直距离，大于所述介质层的厚度，从而使得进行平坦化处理后，所述沟槽的顶端开口处为水平结构，这样就有利于后续形成直角或坡度较缓的所述通孔，且在刻蚀工艺步骤中，也会有效改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基板；/n导线层，位于所述基板上；/n介质层，位于所述导线层上；/n沟槽，位于所述介质层中，所述沟槽的底端连接所述导线层，所述沟槽的侧壁具有倾斜角度；/n阻挡层，位于所述介质层和所述沟槽底端的所述导线层上；/n金属层，位于所述沟槽内和所述阻挡层上；/n多个保护层，位于所述金属层上；/n通孔，位于所述多个保护层中；/n其中，所述通孔的底部连接所述金属层，所述通孔的直径大于所述沟槽顶端开口的口径；/n所述金属层包括金属填充层和金属附加层，所述金属填充层位于所述沟槽内，所述金属附加层位于所述阻挡层和所述沟槽处的所述金属填充层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基板；
导线层，位于所述基板上；
介质层，位于所述导线层上；
沟槽，位于所述介质层中，所述沟槽的底端连接所述导线层，所述沟槽的侧壁具有倾斜角度；
阻挡层，位于所述介质层和所述沟槽底端的所述导线层上；
金属层，位于所述沟槽内和所述阻挡层上；
多个保护层，位于所述金属层上；
通孔，位于所述多个保护层中；
其中，所述通孔的底部连接所述金属层，所述通孔的直径大于所述沟槽顶端开口的口径；
所述金属层包括金属填充层和金属附加层，所述金属填充层位于所述沟槽内，所述金属附加层位于所述阻挡层和所述沟槽处的所述金属填充层上。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板为晶圆，或者为包含有元件或电路的其他半导体结构。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括：
防扩散层，位于所述导线层上；以及
氧化硅层，位于所述防扩散层上。


4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为800-2000纳米。


5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述防扩散层的材质为碳氮化硅或者磷硅化合物。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个保护层至少包括：
第一保护层，位于所述金属层上；
第二保护层，位于所述第一保护层上；以及
第三保护层，位于所述第二保护层上。


7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国伟，周儒领，吴佳特，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11