半导体结构及其制造方法技术

提供一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括第一半导体衬底、第一内连结构、第一导电垫、第一介电层及第一导电连接件。第一半导体衬底包括位于第一半导体衬底中的多个第一半导体装置。第一内连结构设置在第一半导体衬底之上且电耦合到第一半导体装置。第一导电垫设置在第一内连结构之上且电耦合到第一内连结构。第一介电层覆盖第一导电垫及第一内连结构且第一介电层包括延伸穿过第一导电垫的一部分。第一导电连接件设置在第一内连结构上且电耦合到第一内连结构且第一导电连接件延伸穿过第一介电层的所述部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术的实施例是涉及一种半导体结构及其制造方法，特别是涉及一种适于应用在三维集成电路的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
近年来，由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业已经历了快速增长。在很大程度上，集成密度的此种提高来自于最小特征大小(minimumfeaturesize)的连续减小，此使得更多组件能够集成到给定面积中。举例来说，集成组件占用的面积接近于半导体晶片的表面，然而，在二维(two-dimensional，2D)集成电路形成中可实现的密度存在实体限制。举例来说，这些限制中的一个限制来自于随着半导体装置的数目增加，半导体装置之间的内连的数目及长度明显增大。由于现存的集成电路设计规则要求在半导体结构中布置导电配线的节距减小，因此正不断努力开发形成半导体结构的新机制。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，一种半导体结构包括第一半导体衬底、第一内连结构、第一导电垫、第一介电层及第一导电连接件。所述第一半导体衬底包括位于所述第一半导体衬底中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n第一半导体衬底，包括位于所述第一半导体衬底中的多个第一半导体装置；/n第一内连结构，设置在所述第一半导体衬底之上且电耦合到所述第一半导体装置；/n第一导电垫，设置在所述第一内连结构之上且电耦合到所述第一内连结构；/n第一介电层，覆盖所述第一导电垫及所述第一内连结构，所述第一介电层包括延伸穿过所述第一导电垫的一部分；以及/n第一导电连接件，设置在所述第一内连结构上且电耦合到所述第一内连结构，所述第一导电连接件延伸穿过所述第一介电层的所述部分。/n

【技术特征摘要】
20190516 US 16/413,6051.一种半导体结构，包括：
第一半导体衬底，包括位于所述第一半导体衬底中的多个第一半导体装置；
第一内连结构，设置在所述第一半导体衬底之上且电耦合到所述第一半导体装置；
第一导电垫，设...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨庆荣，陈宪伟，陈明发，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71