个别包括电容器及晶体管的存储器单元阵列及形成此类阵列的方法技术

本发明专利技术揭示一种个别包括电容器及晶体管的存储器单元阵列，其包括第一层级中的数字线及导电屏蔽线的交替列。在所述第一层级上方的第二层级中，存在晶体管字线的行。在所述第二层级上方的第三层级中，存在电容器的行及列。在所述第三层级上方的第四层级中，存在晶体管字线的行。在所述第四层级上方的第五层级中，存在数字线及导电屏蔽线的交替列。本发明专利技术揭示其它实施例及方面，包含方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】个别包括电容器及晶体管的存储器单元阵列及形成此类阵列的方法
本文中揭示的实施例涉及个别包括电容器及晶体管的存储器单元阵列。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路系统，且其在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成一或多个个别存储器单元阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及字线(其也可称为存取线)对存储器单元写入或从存储器单元读取。数字线可使沿阵列的列存储器单元导电互连，且字线可使沿阵列的行的存储器单元导电互连。每一存储器单元可通过数字线及字线的组合唯一地寻址。制造存储器电路系统时的持续目标是形成存储器单元的越来越小的且越来越密集的组件。不幸的是，导体彼此相邻放置得越靠近，那么非所需寄生电容出现且增大，且会不利地影响存储器电路系统的设计及操作。附图说明图1是根据本专利技术的实施例的衬底构造的图解横截面视图，且其是穿过图2中的线1-1取得。图2是图1构造的部分的横截面视图，且其是穿过图1中的线2-2取得。图3是图1及2构造的图解透视图，其中为清楚起见已移除某些材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种个别包括电容器及晶体管的存储器单元阵列，其包括：/n第一层级中的数字线及导电屏蔽线的交替列；/n所述第一层级上方的第二层级中的晶体管字线的行；/n所述第二层级上方的第三层级中的电容器的行及列；/n所述第三层级上方的第四层级中的晶体管字线的行；及/n所述第四层级上方的第五层级中的数字线及导电屏蔽线的交替列。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180322 US 15/928,9561.一种个别包括电容器及晶体管的存储器单元阵列，其包括：
第一层级中的数字线及导电屏蔽线的交替列；
所述第一层级上方的第二层级中的晶体管字线的行；
所述第二层级上方的第三层级中的电容器的行及列；
所述第三层级上方的第四层级中的晶体管字线的行；及
所述第四层级上方的第五层级中的数字线及导电屏蔽线的交替列。


2.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第一层级导电屏蔽线中的一者横向介于所述第一层级数字线的每一紧邻数字线之间。


3.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第一层级数字线列及所述第一层级导电屏蔽线列每隔一个彼此交替，使得所述第一层级数字线的每一紧邻数字线具有横向介于其间的所述第一层级导电屏蔽线中的一者，且使得所述第一层级导电屏蔽线的每一紧邻屏蔽线具有横向介于其间的所述第一层级数字线中的一者。


4.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第五层级导电屏蔽线中的一者横向介于所述第五层级数字线的每一紧邻数字线之间。


5.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第五层级数字线列及所述第五层级导电屏蔽线列每隔一个彼此交替，使得所述第五层级数字线的每一紧邻数字线具有横向介于其间的所述第五层级导电屏蔽线中的一者，且使得所述第五层级导电屏蔽线的每一紧邻屏蔽线具有横向介于其间的所述第五层级数字线中的一者。


6.根据权利要求1所述的阵列，其中所述电容器以2D布拉菲晶格排列。


7.根据权利要求6所述的阵列，其中所述2D布拉菲晶格不是六角形或有心矩形。


8.根据权利要求7所述的阵列，其中所述2D布拉菲晶格是方形或非有心矩形中的一者。


9.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第二层级及所述第四层级中的每一者中的晶体管是高度延伸晶体管。


10.根据权利要求9所述的阵列，其中所述第二层级及所述第四层级中的所述晶体管中的每一者是垂直的或在垂线的10°以内。


11.根据权利要求1所述的阵列，其中所述电容器中的每一者具有其高度大于宽度的至少一个电容器电极。


12.根据权利要求11所述的阵列，其中所述电容器中的每一者具有其高度大于宽度的仅一个电容器电极，所述电容器中的每一者使其另一电容器电极为所述阵列的所述第三层级中的全部所述电容器所共有，所述阵列中的所述共同另一电极的宽度大于高度。


13.根据权利要求11所述的阵列，其中所述一个电容器电极是具有基本上圆形外围的柱。


14.根据权利要求1所述的阵列，其中所述存储器单元个别具有总共仅一个晶体管及总共仅一个电容器。


15.根据权利要求1所述的阵列，其中所述阵列是第一阵列且包括所述第一阵列上方的另一所述第一阵列。


16.根据权利要求15所述的阵列，其中所述第一阵列的所述第五层级是所述另一所述第一阵列的所述第一层级，使得其中的数字线及导电屏蔽线的所述交替列由所述第一阵列及所述另一所述第一阵列共享。


17.根据权利要求15所述的阵列，其中所述另一所述第一阵列的所述第一层级在所述第一阵列的所述第五层级上方。


18.一种个别包括电容器及晶体管的存储器单元阵列，其包括：
第一层级上方的第二层级中的高度延伸晶体管，其个别包括上源极/漏极区、下源极/漏极区及在高度上延伸于其间的沟道区；第二层级字线的行邻近所述阵列内的个别存储器单元的个别第二层级晶体管的所述第二层级沟道区的个别者可操作地延伸且使所述第二层级行中的所述第二层级晶体管互连；
所述第一层级中的交替的数字线的列及导电屏蔽线的列；所述第一层级数字线的个别者电耦合到所述个别第二层级晶体管的个别下源极/漏极区且使第二层级列中的所述第二层级晶体管互连；所述第一层级导电屏蔽线中的一者横向介于所述第一层级数字线的每一紧邻数字线之间；
所述第二层级上方的第三层级；所述第三层级包括电容器；所述电容器个别包括第一电容器电极、第二电容器电极及介于所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间的电容器绝缘体；所述第一电容器电极的个别者电耦合到所述个别第二层级晶体管的所述上源极/漏极区的个别者且从所述上源极/漏极区的个别者在高度上向上延伸；
所述第三层级上方的第四层级中的高度延伸晶体管，其个别包括上源极/漏极区、下源极/漏极区及在高度上延伸于其间的沟道区；第四层级字线的行邻近所述阵列内的个别存储器单元的个别第四层级晶体管的所述第四层级沟道区的个别者可操作地延伸且使所述第四层级行中的所述第四层级晶体管互连；所述第一电容器电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·V·N·拉玛斯瓦米，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US