温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：基板；导线层，位于所述基板上；介质层，位于所述导线层上；沟槽，位于所述介质层中，所述沟槽的底端连接所述导线层，所述沟槽的侧壁具有倾斜角度；阻挡层，位于所述介质层和所述沟槽底端...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。