非易失性存储器与其操作方法技术

本发明专利技术公开了一种非易失性存储器与其操作方法，该非易失性存储器的操作方法包含：产生具有第一时间长度的第一写入脉冲至存储单元阵列中的目标存储单元；读取并验证目标存储单元的导通阈值电压是否达到目标电平；以及当目标存储单元的导通阈值电压未达目标电平，产生具有第二时间长度的第二写入脉冲至目标存储单元，其中第二时间长度大于第一时间长度。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器与其操作方法
本专利技术是关于一种非易失性存储器与其写入方法，且特别是有关于一种改善增步阶脉冲程序化方式的非易失性存储器与其操作方法。
技术介绍
随着科技发展，越来越多产品需使用存储器。适用于高密度的数据储存的三维氮基快闪存储器(3DNitride-BasedFlashMemory)因而盛行。传统上，三维氮基快闪存储器可利用增步阶脉冲程序化(IncrementStepProgrammingPulse，ISPP)方式来进行写入。然而，反复进行程序化操作会增加验证的时间而降低写入的效率。因此，如何兼顾编程的正确性并提高操作效率以改进编程操作方法是本领域重要的课题之一。
技术实现思路
本
技术实现思路
的一形式是关于一种非易失性存储器，包含存储单元阵列、电压产生器和读写控制器。存储单元阵列包含多个存储单元。多个存储单元各自具有可调整的导通阈值电压。电压产生器耦接存储单元阵列，用于产生写入电压对存储单元阵列当中的目标存储单元进行写入操作。写入操作用于设置目标存储单元的导通阈值电压。读写控制器耦接电压产生器。读写控制器用于：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器，包含：/n一存储单元阵列，包含多个存储单元，该多个存储单元各自具有可调整的一导通阈值电压；/n一电压产生器，耦接该存储单元阵列，用于产生一写入电压对该存储单元阵列当中的一目标存储单元进行一写入操作，该写入操作用于设置该目标存储单元的该导通阈值电压；以及/n一读写控制器，耦接该电压产生器，该读写控制器用于：/n控制该电压产生器产生具有一第一时间长度的一第一写入脉冲至该目标存储单元；/n读取并验证该目标存储单元的该导通阈值电压是否达到一目标电平；以及/n当该目标存储单元的该导通阈值电压未达该目标电平，控制该电压产生器产生具有一第二时间长度的一第二写入脉冲至该目标存储单元，该...

【技术特征摘要】
20190531 TW 1081190571.一种非易失性存储器，包含：
一存储单元阵列，包含多个存储单元，该多个存储单元各自具有可调整的一导通阈值电压；
一电压产生器，耦接该存储单元阵列，用于产生一写入电压对该存储单元阵列当中的一目标存储单元进行一写入操作，该写入操作用于设置该目标存储单元的该导通阈值电压；以及
一读写控制器，耦接该电压产生器，该读写控制器用于：
控制该电压产生器产生具有一第一时间长度的一第一写入脉冲至该目标存储单元；
读取并验证该目标存储单元的该导通阈值电压是否达到一目标电平；以及
当该目标存储单元的该导通阈值电压未达该目标电平，控制该电压产生器产生具有一第二时间长度的一第二写入脉冲至该目标存储单元，该第二时间长度大于该第一时间长度。


2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其中该读写控制器控制该电压产生器产生的该第一写入脉冲具有一第一电压电平，该读写控制器控制该电压产生器产生的该第二写入脉冲具有一第二电压电平，且该第二电压电平大于该第一电压电平。


3.如权利要求1所述的非易失性存储器，该存储单元阵列的该多个存储单元包含一邻近存储单元，该邻近存储单元与该目标存储单元串联于同一位线上且相邻于该目标存储单元，其中对该目标存储单元进行该写入操作的过程中，该电压产生器用于产生一变动通过电压至该邻近存储单元，该读写控制器用于：
控制该电压产生器产生具有该第一时间长度的一第一变动通过脉冲至该邻近存储单元；以及
当该目标存储单元的该导通阈值电压未达该目标电平，控制该电压产生器产生具有该第二时间长度的一第二变动通过脉冲至该邻近存储单元。


4.如权利要求3所述的非易失性存储器，其中该读写控制器控制该电压产生器产生的该第一变动通过脉冲具有一第三电压电平，该读写控制器控制该电压产生器产生的该第二变动通过脉冲具有一第四电压电平，且该第四电压电平大于该第三电压电平。


5.如权利要求1所述的非易失性存储器，该存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴冠纬，张耀文，郑致杰，杨怡箴，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71