本发明公开了一种存储器单元及应用其的存储器阵列与操作方法，该存储器单元包括：一晶体管，包括：一控制端，耦接至一第一节点；一第一端，耦接至一第一信号线；以及一第二端，耦接至一第二信号线；一第一电阻元件，包括：一第一端，耦接至该第一节点；以...

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，所述存储元件包括字线、位线、源极线、通道柱以及电荷存储结构。位线及源极线在竖直方向上位于字线的相对两侧。通道柱穿过并连接到字线、位线以及源极线。电荷存储结构环绕字线的顶面及底面并侧向地位于通道柱与字...

本发明公开了一种集成电路、存储器系统及管理参考电压的方法，其中，集成电路包括：运算放大器，用以接收输入电压与电源电压，并依据输入电压与电源电压输出控制电压；输出电路，用以接收来自运算放大器的控制电压以及电源电压，该输出电路将输入电压提供...

一种半导体结构，包括一存储单元叠层以及一互补式金属氧化物半导体结构。互补式金属氧化物半导体结构位于存储单元叠层的下方，且互补式金属氧化物半导体结构包括一源极线晶体管与一位线晶体管。管与一位线晶体管。管与一位线晶体管。

本发明提供一种半导体结构与用以制造其的方法。半导体结构包含源极线结构。源极线结构包含形成于沟道中的复合材料。复合材料包含氧化物部与金属部。氧化物部与金属部。氧化物部与金属部。

本发明公开了一种用于神经网络的推理引擎及其操作方法，其中用于一神经网络的推理引擎使用存储一核心系数(kernel coefficient)的一存储器内计算阵列。一箝位输入矩阵被提供至存储器内计算阵列，以产生代表箝位输入向量及核心的一函数...

本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种符合扩展式接口串行外围接口xSPI规格的装置与系统。此装置包括存储器、缓冲器、多个输入引脚、及处理器。存储器用以储存数据。缓冲器用以接收来自装置外部的数据，并将接收到的数据传输至存储器。这些输入引脚...

本发明公开了一种存储器装置及存储器控制器。存储器控制器包括控制单元、一存储单元及多个编码器单元。存储单元耦接至控制单元，且包括多个存储区域。各存储区域由一存储器地址表示，且存储有一生成矩阵的多个部分的其中之一。编码器单元耦接至控制单元及...

本发明公开了一种半导体装置，包括一封装衬底以及至少一叠层结构。封装衬底具有一上表面。叠层结构设置于封装衬底的上表面上，且叠层结构的叠层方向是垂直于上表面。其中叠层结构包括至少一非易失性存储器芯片、至少一动态随机存取存储器芯片以及至少一存...

本发明公开了一种计算机实施方法、计算机系统及计算机编程产品，其中，该计算机实施方法使用脏训练数据(dirty training data)来清洗神经网络(neural network)的训练数据集(set)的技术通过存取标签(label...

本发明公开了一种存储器装置，包括一存储器阵列及一净化单元。存储器阵列包括多个存储器页面，各存储器页面包括多个存储单元。净化单元施加一第一读取电压及一第二读取电压，由目标存储器页面中找出欲净化的至少一第一目标存储单元及至少一第二目标存储单...

本发明提出一种使用一训练数据集产生一分类模型的方法。一迭代程序，用以训练一ANN模型，其中一迭代包括从一训练数据源中选择训练数据的一小样本，使用该样本训练该模型，对训练数据的一大样本使用该模型进行推论，并检查推论结果。评估该结果以决定该...

存储器装置，包括：存储器阵列，包括多个存储器单元与多条位线；以及电流转换电路，耦接至该存储器阵列。其中，于执行运算操作时，存储器阵列的这些存储器单元产生相关于运算操作结果的源极电流。源极电流由电流转换电路转换成输出数值，用以提供下一运算...

本发明公开了一种存储器装置及其运算结果补偿方法。该存储器装置包括存储器子区块、参考存储器子区块以及控制电路。存储器子区块用以在运算阶段接收输入信号，并在运算阶段依据输入信号进行乘加运算以产生运算结果。参考存储器子区块具有多个存储单元并被...

本发明提供一种存储器装置的写入方法及一种存储器系统，其中所述存储器装置的写入方法包括以下步骤：首先，提出写入命令；接着，根据存储器装置的温度数据决定欲对存储器装置包括的存储单元串提供的脉冲的宽度；再来，对存储单元串提供脉冲，以进行写入操...

本发明公开了一种集成电路装置、整合系统以及测试集成电路装置上的接合垫的方法。其中，该集成电路装置包含集成电路、多个第一类型接合垫以及多个第二类型接合垫。多个第一类型接合垫中的每一者电连接至集成电路且被配置为电连接至对应外部集成电路装置。...

一种非易失性存储器装置及其驱动方法，非易失性存储器装置包含多个存储器平面，且驱动方法包括：对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；若已对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电达第一时间长度或到达各自对应的电压阈值，则对第二...

一种具有温度传感器的集成电路，包括存储器阵列、周边电路以及温度感测器，周边电路用于自动调节操作电压。温度感测器包括参考产生电路，参考产生电路产生具有第一非零温度系数的第一参考电压，以及具有数值不同于第一非零温度系数的第二温度系数的第二参...

一种半导体存储器结构及其制造方法。在一方面，在第一阶中的介电层的第一叠层上形成介电层的中间叠层。然后，部分或完全刻蚀介电层的中间叠层并在其上沉积接着垫层。响应于平坦化接着垫层以暴露介电层的中间叠层的顶面，在经平坦化的接着垫层上方沉积介电...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一衬底、设置于衬底上的一叠层结构以及多个虚拟存储器串列结构。叠层结构包括沿着一第一方向交替叠层的多个绝缘层及多个导电层。虚拟存储器串列结构设置于半导体装置的一阶梯区，且沿着第一方向...