【技术实现步骤摘要】
存储器装置
[0001]本专利技术是有关于一种存储器装置，且特别是有关于一种存储器数据管理方法及使用其的存储器装置。
技术介绍
[0002]近年来，闪存逐渐取代传统硬盘作为消费类电子产品中的存储单元。与硬盘相比，闪存具有性能好、功耗低、抗冲击以及体积小等优点。
[0003]然而，闪存不同于传统硬盘，闪存具有异区更新(out-of-place update)的特性，在擦除操作(erase operation)前，已写入数据的数据页(page)系无法重新写入。当用户要更新闪存中已写入数据的数据页上的数据时，需在闪存中找出一新的空白数据页，将更新的数据写入此新的空白数据页，并让原对应(map)已写入数据的数据页的逻辑地址重新对应至此新的空白数据页，以完成数据更新。
[0004]也就是说，在闪存中，当存储数据需要更新时，文件系统将会把新的复本写入一个新的闪存区块的数据页，将档案指针重新指向。由于闪存具有上述的特性，因此，在每次更新闪存的存储数据后，便会在闪存中留下一个或多个数据复本。
[0005]闪存的擦除指...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其中，包括：一存储器阵列，包括多个存储器页面，各该存储器页面包括多个存储单元，各该存储单元包括一第一存储位于高位数据页、一第二存储位于中位数据页及一第三存储位于低位数据页，这些存储单元包括阈值电压由低至高的一第一逻辑状态、一第二逻辑状态、一第三逻辑状态、一第四逻辑状态、一第五逻辑状态、一第六逻辑状态、一第七逻辑状态及一第八逻辑状态；以及一净化单元，接收对应于一逻辑地址的一数据更新指令，于接收该数据更新指令前，该逻辑地址对应至其中一目标存储器页面的一实体地址，该净化单元施加一第一读取电压及一第二读取电压，由该目标存储器页面中找出欲净化的至少一第一目标存储单元及至少一第二目标存储单元，施加一第一编程电压至该至少一第一目标存储单元，以改变该至少一第一目标存储单元的逻辑状态至该第五、该第六、该第七及该第八逻辑状态其中之一，施加一第二编程电压至该至少一第二目标存储单元，以改变该至少一第二目标存储单元的逻辑状态至该第五、该第六、该第七及该第八逻辑状态其中之一，其中该第一编程电压不同于该第二编程电压。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，施加该第一编程电压以改变该至少一第一目标存储单元的逻辑状态以及施加该第二编程电压以改变该至少一第二目标存储单元的逻辑状态包括：若欲净化该低位数据页，但保留该高位数据页及该中位数据的数据，以增量步阶脉冲编程的方式施加该第一编程电压，使该第一目标存储单元的逻辑状态由该第三逻辑状态改变为该第八逻辑状态，以及以增量步阶脉冲编程的方式施加该第二编程电压，使该第二目标存储单元的逻辑状态由该第四逻辑状态改变为该第七逻辑状态。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，施加该第一编程电压以改变该至少一第一目标存储单元的逻辑状态以及施加该第二编程电压以改变该至少一第二目标存储单元的逻辑状态包括：若欲净化该中位数据页，但保留该高位数据页及该低位数据的数据，施加一编程击发，以增量步阶脉冲编程的方式施加该第一编程电压，使该第一目标存储单元的逻辑状态由该第一逻辑状态改变为该第八逻辑状态，以及以增量步阶脉冲编程的方式施加该第二编程电压，使该第二目标存储单元的逻辑状态由该第四逻辑状态改变为该第五逻辑状态。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，施加该第一编程电压以改变该至少一第一目标存储单元的逻辑状态以及施加该第二编程电压以改变该至少一第二目标存储单元的逻辑状态包括：若欲净化该高位数据页，但保留该中位数据页及该低位数据的数据，施加一编程击发，以增量步阶脉冲编程的方式施加该第一编程电压，使该第一目标存储单元的逻辑状态由该第一逻辑状态改变为该第六逻辑状态，以及以增量步阶脉冲编程的方式施加该第二编程电压，使该第二目标存储单元的逻辑状态由该第二逻辑状态改变为该第五逻辑状态。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，施加该第一编程电压以改变该至少一第一
目标存储单元的逻辑状态以及施加该第二编程电压以改变该至少一第二目标存储单元的逻辑状态包括：若欲净化该低位数据页及该中位数据页，但保留该高位数据页的数据，施加一编程击发，以增量步阶脉冲编程的方式施加该第一编程电压，使三个该第一目标存储单元的逻辑状态由该第一逻辑状态、该第二逻辑状态及该第三逻辑状态改变为该第八逻辑状态，以及以增量步阶脉冲编程的方式施加该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：李永骏，王韦程，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。