多层结构制造技术

本发明专利技术公开了一种多层结构，包括一衬底以及多个次叠层。次叠层分别沿着第一方向延伸，并沿着第二方向排列于衬底的一上表面上。各个次叠层包括沿着一第三方向交替叠层于上表面上的多个绝缘层以及多个图案化牺牲层、沿着第三方向与绝缘层交替叠层于上表面上的多个导电层、以及沿着第三方向延伸的多个层间连接件。其中，图案化牺牲层具有第一侧及相对于第一侧的第二侧，导电层包括对应于第一侧的多个第一侧导电层以及对应于第二侧的多个第二侧导电层。其中，层间连接件电性连接且直接接触于对应的导电层。第一方向、第二方向及第三方向互相交叉。

【技术实现步骤摘要】
多层结构
本专利技术是有关于一种多层结构及其制作方法，且特别是有关于一种用于半导体装置的多层结构及其制作方法。
技术介绍
在一半导体装置之中或者在不同的半导体装置之间，通常需要通过多层结构之中的层间连接件进行元件之间的电性连接。一般而言，多层结构包括交替叠层于衬底上的多个导电层及多个绝缘层，由导电材料所形成的层间连接件则沿着垂直方向延伸，电性连接于特定的导电层。然而，随着多层结构的层数的需求增加，所需耗费的导电材料亦随之增加，工艺亦更于繁复，如此恐使制作成本大为提升。因此，有需要提出一种先进的多层结构及其制作方法以解决已知技术所面临的问题。
技术实现思路
本专利技术系有关于一种多层结构及其制作方法。由于可通过同一导体工艺一并形成多个导电层以及多个层间连接件，本案的工艺方法可降低工艺的复杂程度并减少成本。根据本专利技术一方面，提出一种多层结构。多层结构包括一衬底以及多个次叠层。次叠层分别沿着第一方向延伸，并沿着第二方向排列于衬底的一上表面上。各个次叠层包括沿着一第三方向交替叠层于上表面上的多个绝缘层以及多个图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层结构，其中，包括：/n一衬底以及多个次叠层，其中这些次叠层分别沿着一第一方向延伸，并沿着一第二方向排列于该衬底的一上表面上，各该次叠层包括：/n沿着一第三方向交替叠层于该上表面上的多个绝缘层以及多个图案化牺牲层；/n沿着该第三方向与这些绝缘层交替叠层于该上表面上的多个导电层；以及/n沿着该第三方向延伸的多个层间连接件，其中该第一方向、该第二方向及该第三方向互相交叉；/n其中，这些图案化牺牲层具有多个第一侧及相对于这些第一侧的多个第二侧，这些导电层包括对应于这些第一侧的多个第一侧导电层以及对应于这些第二侧的多个第二侧导电层；/n其中，这些层间连接件电性连接且直接接触于对应的这些导电层...

【技术特征摘要】
20191112 US 16/680,6361.一种多层结构，其中，包括：
一衬底以及多个次叠层，其中这些次叠层分别沿着一第一方向延伸，并沿着一第二方向排列于该衬底的一上表面上，各该次叠层包括：
沿着一第三方向交替叠层于该上表面上的多个绝缘层以及多个图案化牺牲层；
沿着该第三方向与这些绝缘层交替叠层于该上表面上的多个导电层；以及
沿着该第三方向延伸的多个层间连接件，其中该第一方向、该第二方向及该第三方向互相交叉；
其中，这些图案化牺牲层具有多个第一侧及相对于这些第一侧的多个第二侧，这些导电层包括对应于这些第一侧的多个第一侧导电层以及对应于这些第二侧的多个第二侧导电层；
其中，这些层间连接件电性连接且直接接触于对应的这些导电层。


2.根据权利要求1所述的多层结构，其中，这些层间连接件与对应的这些导电层之间的接触区域没有势垒层的存在。


3.根据权利要求1所述的多层结构，其中，这些图案化牺牲层位于这些第一侧导电层及这些电二侧导电层之间。


4.根据权利要求1所述的多层结构，其中，直接接触于这些层间连接件的这些第一侧导电层于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈士弘，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71