半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一栓塞元件及一通孔元件。栓塞元件包括一钨栓塞。栓塞元件具有一横方向上的一栓塞尺寸。通孔元件电性连接在栓塞元件上。通孔元件相对于栓塞元件在一纵方向上延伸的一中心线呈非对称配置。通孔元件具有横方向上的一通孔尺寸。栓塞尺寸大于通孔尺寸。栓塞尺寸大于通孔尺寸。栓塞尺寸大于通孔尺寸。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，半导体装置的尺寸已逐渐缩小。在半导体技术中，特征尺寸的缩小、速度、效能、密度与每单位集成电路的成本的改良皆为相当重要的目标。在实际应用上，装置尺寸缩小的同时，仍须保持装置的电性以符合商业需求。例如，损伤的层及元件会对电子性能产生可观的影响，因此如何降低或避免层及元件的损伤是制造商面临的重要问题之一。一般而言，具有良好电子性能的半导体装置需要元件具有完整轮廓(profiles)。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法。
[0004]根据本专利技术的一方面，提出一种半导体结构，其包括一栓塞元件及一通孔元件。栓塞元件包括一钨栓塞。栓塞元件具有一横方向上的一栓塞尺寸。通孔元件电性连接在栓塞元件上。通孔元件相对于栓塞元件在一纵方向上延伸的一中心线呈非对称配置。通孔元件具有横方向上的一通孔尺寸。栓塞尺寸大于通孔尺寸。
[0005]根据本专利技术的另一方面，提出一种半导体结构，其包括一栓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其中，包括：一栓塞元件，包括一钨栓塞，并具有一横方向上的一栓塞尺寸；及一通孔元件，电性连接在该栓塞元件上，并相对于该栓塞元件在一纵方向上延伸的一中心线呈非对称配置，该通孔元件具有该横方向上的一通孔尺寸，该栓塞尺寸大于该通孔尺寸。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，该通孔元件未穿过该中心线。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，还包括一缝隙在该钨栓塞内部，其中该中心线穿过该缝隙。4.一种半导体结构，包括：一栓塞元件，包括一钨栓塞，并包括相对的一第一侧栓塞表面与一第二侧栓塞表面；及一通孔元件，电性连接在该栓塞元件上，并包括相对的一第一侧通孔表面与一第二侧通孔表面，其中该第一侧栓塞表面与该第二侧栓塞表面分别在该第一侧通孔表面与该第二侧通孔表面的外侧，该第一侧栓塞表面与该第一侧通孔表面在一横方向上的一第一间距是不同于该第二侧栓塞表面与该第二侧通孔表面在该横方向上的一第二间距。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中该第一侧栓塞表面与该第二侧栓塞表面为该栓塞元件的外侧栓塞表面，该栓塞元件还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岱萤，李明修，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：