闪存及其写入方法技术

本发明专利技术公开了一种闪存及其写入方法。闪存包括多个存储区块以及多个多任务电路。存储区块区分为多个存储库。各多任务电路用以传送多个擦除电压或多个编程电压以使对应的各存储库执行擦除动作或编程动作。依据擦除时编程指令，当存储库的其中之一执行擦除动作时，存储库的其中之另一执行编程动作。库的其中之另一执行编程动作。库的其中之另一执行编程动作。

【技术实现步骤摘要】
闪存及其写入方法


[0001]本专利技术是有关于一种闪存及其写入方法，且特别是有关于一种可执行擦除时编程动作的闪存及其写入方法。

技术介绍

[0002]在或非门闪存中，执行擦除动作的速度，远低于执行编程动作的速度。而在于物联网的应用上，针对闪存以进行所谓的空中固件的更新(on
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the
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air firmware update)，是一个很重要的功能。因此，如果可以有效降低闪存所进行的数据更新所需的时间，将可有效的降低闪存的内容因电源的丧失或有缺陷的软件版本而产生的风险。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种闪存及其写入方法，通过执行擦除时编程动作以加速存储器的数据写入速度，并可节省功率消耗。
[0004]本专利技术的闪存包括多个存储区块以及多个多任务电路。存储区块区分为多个存储库。多任务电路分别耦接至存储库。各多任务电路用以传送多个擦除电压或多个编程电压以使对应的各存储库执行擦除动作或编程动作。其中，依据擦除时编程指令，当存储库的其中之一执行擦除动作时，存储库的其中之另一执行编程动作。
[0005]本专利技术的闪存的写入方法包括：区分多个存储区块为多个存储库；提供多个多任务电路以分别对应至存储库，使各多任务电路传送多个擦除电压或多个编程电压以使对应的各存储库执行擦除动作或编程动作；以及，依据擦除时编程指令，使些存储库的其中之一执行擦除动作时，并使存储库的其中之另一执行该编程动作。
[0006]基于上述，本专利技术通过使存储区块被区分为多个存储库。并通过多任务电路提供不同的电压供应管道，依据擦除时编程指令提供其中之一的存储库多个擦除电压以执行擦除动作，并提供多个编程电压以使其中之另一的存储库以执行编程动作。在本专利技术实施例中，不同的存储库间，可分别同步执行编程动作以及擦除动作，有效降低存储器写入所需的时间。
附图说明
[0007]图1A绘示本专利技术一实施例的闪存的示意图。
[0008]图1B绘示本专利技术一实施例的闪存芯片的方块图。
[0009]图2A至图2C的本专利技术实施例的存储区块区分方式的示意图。
[0010]图3绘示本专利技术另一实施例的闪存的示意图。
[0011]图4A、图4B绘示的本专利技术实施例的闪存中的多任务电路的多个实施方式的示意图。
[0012]图5绘示本专利技术实施例的闪存中，对应不同存储库的多个多任务电路的实施方式的示意图。
[0013]图6绘示本专利技术实施例的闪存执行擦除时的写入动作的动作流程图。
[0014]图7绘示本专利技术一实施例的闪存的写入方法的流程图。
[0015]图8绘示本专利技术另一实施例的闪存的写入方法的流程图。
[0016]图9绘示本专利技术一实施例的闪存以及主机芯片的方块图。
[0017]【符号说明】
[0018]100、300：闪存
[0019]111～11A、121～12A、2101～2116：存储区块
[0020]2101
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L～2108
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L、2101
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R～2108
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R：子区块
[0021]130、140、321、322、400、510、520：多任务电路
[0022]331、332：位线选择开关驱动器
[0023]341、342：字线驱动器
[0024]351、361、352、362：驱动器
[0025]BK1、BK2、BKN：存储库
[0026]ERSV：擦除电压
[0027]MX11～MX56、MX11a～MX56a、MX11b～MX56b：电压选择器
[0028]PGV：编程电压
[0029]PGMCMD：编程指令
[0030]ERSCMD：擦除指令
[0031]VDD：电源电压
[0032]VSS：参考接地电压
[0033]VPCP、VPCP_BK1、VPCP_BK2：正向升压电压
[0034]VNCP、VNCP_BK1、VNCP_BK2：负向升压电压
[0035]VPCP_INH：正向屏蔽电压
[0036]VNCP_INH：负向屏蔽电压
[0037]RDP：读取电压
[0038]SPWI：选中PWI区
[0039]DSPWI：未选中PWI区
[0040]GWL：全区字线标识
[0041]LWL：区域字线标识
[0042]S601～S6130、S710～S730：步骤
具体实施方式
[0043]请参照图1A，图1A绘示本专利技术一实施例的闪存的示意图。闪存100包括多个存储区块111～11A、121～12A以及多个多任务电路130、140。其中，存储区块111～11A被区分为存储库BK1，存储区块121～～12A则被区分为存储库BKN。多任务电路130、140分别耦接至存储库BK1、BKN。各多任务电路130、140用以传送多个擦除电压ERSV或多个编程电压PGV以使对应的各该存储库执行一擦除动作或一编程动作。
[0044]在本实施例中，多任务电路130、140可依据编程指令PGMCMD或擦除指令ERSCMD以传导合适的操作电压。多任务电路130、140的其中之一可依据擦除指令ERSCMD来使对应的
存储库(存储库BK1及BKN的其中之一)执行擦除动作，并且，多任务电路130、140的另一可同时依据编程指令PGMCMD来使对应的存储库(存储库BK1及BKN的其中之另一)执行编程动作。
[0045]举例来说明，以下请同步参照图1A以及图1B，其中图1B绘示本专利技术一实施例的闪存芯片的方块图。闪存芯片102包括地址产生器1021、数据缓存器1022、模式逻辑电路1023、频率产生器1024、静态存储器缓冲器1025、状态机1026、高电压(HV)产生器1027、感测放大器1028、输出缓冲器1029、存储器阵列1030、X译码器1031以及Y译码器1032。输出缓冲器1029通过输入输出接口电路1033来输出信号SO或信号SIO0～SIO3。数据缓存器1022以及模式逻辑电路1023可通过输入输出接口电路1033来接收信号SI、SIO0～SIO3、WP#、HOLD#、RESET#以及CS#。在此，图1A中的多任务电路130、140可以为高电压产生器1027、X译码器1031以及Y译码器1032的部分电路。模式逻辑电路1023可决定通过输入输出接口电路1033所接收的命令并将命令传送至状态机1026以产生指令来据以操作闪存芯片102。
[0046]当闪存芯片102接收到擦除指令ERSCMD，多任务电路130可提供擦除电压ERSV至存储库BK1，并使存储库BK1可执行擦除动作。在此同时，如果编程指令PGMCMD伴随着非存储库BK1(被擦除的存储库)的地址(例如对应存储库BKN)被接收，多任务电路140可提供编程电压PGV至存储库BKN，以使存储库BKN可执行编程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存，其中，包括：多个存储区块，区分为多个存储库；以及多个多任务电路，分别耦接至这些存储库，各该多任务电路用以传送多个擦除电压或多个编程电压以使对应的各该存储库执行一擦除动作或一编程动作，其中，依据一擦除时编程指令，当这些存储库的其中之一执行该擦除动作时，这些存储库的其中之另一执行该编程动作。2.根据权利要求1所述的闪存，其中，这些存储区块包括对应一第一存储库的多个第一存储区块，以及对应一第二存储库的多个第二存储区块。3.根据权利要求2所述的闪存，其中，这些该第一区块与这些第二区块的物理地址相互交错。4.根据权利要求2所述的闪存，其中，这些该第一区块具有连续的物理地址，这些第二区块具有连续的物理地址。5.根据权利要求1所述的闪存，其中，当该第一存储库执行该擦除动作时，对应的一第一多任务电路在一时间区间中提供一擦除电压脉冲至该第一存储库，对应该第二存储库的一第二多任务电路在该时间区间中使该第二存储库执行该编程动作。6.根据权利要求1所述的闪存，其中，还包括：进程中，个别分别执行编程操作以及擦除操作。7.根据权利要求1所述的闪存，其中，多个状态标识，分别对应这些存储库，各该状态标识记录对应的各该存储库的进行中的一擦除状态或进行中的一编程状态。8.根据权利要求1所述的闪存，其中，依据该擦除时编程指令，该编程动作为一降级式编程动作，且对应该编程动作的...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏俊联，陈张庭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：