存储器装置的操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器装置的操作方法包括：进行擦除操作；对一存储器单元进行验证读取操作，以得到一单元电流，该存储器单元包括一第一晶体管与一第二晶体管；检查该单元电流是否小于一第一单元电流门限值；如果该单元电流未小于该第一单元电流门限值，增加一存储器栅电压，直到该单元电流小于该第一单元电流门限值，该存储器栅电压施加至该第一晶体管；固定该存储器栅电压并增加一漏极电压；检查该单元电流是否小于一第二单元电流门限值；以及如果该单元电流未小于该第二单元电流门限值，增加该漏极电压，直到该单元电流小于该第二单元电流门限值。元电流门限值。元电流门限值。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置的操作方法


[0001]本专利技术是有关于一种存储器装置的操作方法。

技术介绍

[0002]深度神经网络(Deep Neural Networks，DNN)已在多种应用领域中达到成功，例如，影像识别，语音识别等。近年来，存储器内计算(computing in memory，CIM)已吸引许多注视，因其可以低功率实现深度神经网络的有效计算。因为CIM可以减少数据搬移，CIM直接使用存储器阵列当成计算单元，以加速DNN计算，且能减少系统功率消耗。
[0003]为增加CIM容量与降低成本，目前已发展出多位数据存储。因为，对于多位单元(MLC)而言，如何窄化电流分对于改善DNN识别准确度是重要的。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术一实例，提出一种存储器装置的操作方法，包括：进行擦除操作；对一存储器单元进行验证读取操作，以得到一单元电流，该存储器单元包括一第一晶体管与一第二晶体管；检查该单元电流是否小于一第一单元电流门限值；如果该单元电流未小于该第一单元电流门限值，增加一存储器栅电压，直到该单元电流小于该第一单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置的操作方法，其中，包括：进行擦除操作；对一存储器单元进行验证读取操作，以得到一单元电流，该存储器单元包括一第一晶体管与一第二晶体管；检查该单元电流是否小于一第一单元电流门限值；如果该单元电流未小于该第一单元电流门限值，增加一存储器栅电压，直到该单元电流小于该第一单元电流门限值，该存储器栅电压施加至该第一晶体管；固定该存储器栅电压并增加一漏极电压；检查该单元电流是否小于一第二单元电流门限值；以及如果该单元电流未小于该第二单元电流门限值，增加该漏极电压，直到该单元电流小于该第二单元电流门限值。2.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，该第一单元电流门限值大于该第二单元电流门限值。3.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，该第一单元电流门限值为一目标单元电流的200％至130％。4.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，该第二单元电流门限值为一目标单元电流的130％至110％。5.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中，于读取时，根据该单元电流来调整一选择栅电压，该选择栅电压施加至该第二晶体管；该第一晶体管与该第二晶体管为串联；以及该第一晶体管的一中间层为一电荷存储层，该第二晶体管为一MOS晶体管。6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐子轩，许柏凯，叶腾豪，吕函庭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：