存储器装置与集成电路制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器装置与集成电路，存储器装置包括位于第一和第二电极之间的相变存储器材料体上的碳沉积物，例如碳缓冲层。碳沉积物可提高相变存储器单元的耐久性五个或更多数量级。实施例包括“蘑菇”型存储器元件，以及包括3D阵列的交叉点元件的其他类型。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置与集成电路
本专利技术是有关于包括基于相变的存储器材料的存储器装置与集成电路，此基于相变的存储器材料包括基于硫属化物的材料和其他可编程电阻材料。
技术介绍
基于相变的存储器材料，例如基于硫属化物的材料和类似材料，可以通过施加适合于在集成电路中实施的电平的电流来造成非晶态(amorphousstate)和结晶态(crystallinestate)之间的相变。通常为非晶态的特征在于更高的电阻率。这些材料是集成电路相变存储器设备和其他存储器技术的基础。从非晶态到结晶态的变化通常是较低电流的操作。从晶态到非晶态的变化(在此称为重置)通常是较高电流的操作，其中包括一个短的高电流密度脉冲，以熔化或破坏结晶结构，此后相变材料快速冷却，从而淬灭了相变过程并且使至少一部分相变材料稳定在非晶态。小尺寸相变装置的一个问题是涉及耐久性。具体来说，使用相变材料以设定状态制造的存储器单元的电阻会随着装置寿命中相变材料的成分随时间变化而发生漂移。因此，期望提供一种在装置的寿命期间具有更稳定的操作的存储器单元结构，并以提供更高速度的操作。...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，其中包括：/n存储器元件，包括相变材料的主体和在所述相变材料的主体上的碳沉积物；/n第一电极，接触所述相变材料的主体；以及/n第二电极，接触所述碳沉积物。/n

【技术特征摘要】
20200211 US 16/787,3711.一种存储器装置，其中包括：
存储器元件，包括相变材料的主体和在所述相变材料的主体上的碳沉积物；
第一电极，接触所述相变材料的主体；以及
第二电极，接触所述碳沉积物。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一电极在第一接触区域上接触所述相变材料的主体，所述第二电极在第二接触区域上接触所述碳沉积物，并且所述第一接触区域小于所述第二接触区域。


3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述相变材料是硫属化合物和GaxSbyTez化合物的其中之一。


4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述碳沉积物是厚度小于15nm的层。


5.根据权利要求1所述的存储器装置，包括与所述第一电极串联的开关层，该开关层包括双向阈值开关材料。


6.一种集成电路，其中包括：
存储器阵列，包括在衬底上的多个存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：简维志，龙翔澜，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71