【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器与其操作方法
本专利技术是关于一种非易失性存储器及操作方法。
技术介绍
在平面非易失性存储器的制备工艺已逐渐接近微型化的极限的情况下，为了更有效率地增加非易失性存储器的单位面积容量，三维非易失性存储器逐渐受到业界重视。三维非易失性存储器具有许多层叠层结构，可达到更高的存储容量，更具有优异的电子特性，例如具有良好的数据保存可靠性和操作速度。
技术实现思路
本专利技术的一实施例为一种非易失性存储器，包含存储器单元阵列、多个位开关、存储器操作电路及多个源极开关。存储器单元阵列包含多个存储器单元串列。位开关电性连接存储器单元串列。存储器操作电路电性连接位开关，并用以在写入阶段经由位开关传送写入信号至存储器单元阵列。源极开关电性连接存储器单元串列。存储器单元串列中至少一者是用以经由源极开关中至少一者接收偏压信号。在写入阶段时，当位开关中的一第一位开关导通，使得存储器单元串列中的第一存储器单元串列经由第一位开关接收写入信号时，电性连接于其他存储器单元串列的源极开关将导通。本专利技术的另一实施例为...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器，包含：/n一存储器单元阵列，包含多个存储器单元串列；/n多个位开关，电性连接这些存储器单元串列；/n一存储器操作电路，电性连接这些位开关，并用以在一写入阶段经由这些位开关传送一写入信号至该存储器单元阵列；以及/n多个源极开关，电性连接这些存储器单元串列，其中这些存储器单元串列中至少一者是用以经由这些源极开关中至少一者接收一偏压信号；/n其中在该写入阶段时，当这些位开关中的一第一位开关导通，使得这些存储器单元串列中的一第一存储器单元串列经由该第一位开关接收该写入信号时，电性连接于这些存储器单元串列中的其他存储器单元串列的这些源极开关将导通。/n
【技术特征摘要】
20200107 US 16/736,0291.一种非易失性存储器，包含：
一存储器单元阵列，包含多个存储器单元串列；
多个位开关，电性连接这些存储器单元串列；
一存储器操作电路，电性连接这些位开关，并用以在一写入阶段经由这些位开关传送一写入信号至该存储器单元阵列；以及
多个源极开关，电性连接这些存储器单元串列，其中这些存储器单元串列中至少一者是用以经由这些源极开关中至少一者接收一偏压信号；
其中在该写入阶段时，当这些位开关中的一第一位开关导通，使得这些存储器单元串列中的一第一存储器单元串列经由该第一位开关接收该写入信号时，电性连接于这些存储器单元串列中的其他存储器单元串列的这些源极开关将导通。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中在该写入阶段时，当这些位开关中的该第一位开关导通，使得这些存储器单元串列中的该第一存储器单元串列接收该写入信号时，这些源极开关中电性连接于第一存储器单元串列的一第一源极开关将关断；以及
其中在该写入阶段时，该第一存储器单元串列中的一第一存储器单元响应于一字线的电压而导通，使得该第一存储器单元串列中的一第一位线及一第一源极线通过该第一存储器单元保持相同电位。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中在该写入阶段时，当这些位开关中的该第一位开关导通，使得这些存储器单元串列中的该第一存储器单元串列接收该写入信号时，电性连接于这些存储器单元串列中的其他存储器单元串列的这些位开关将关断。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中在该写入阶段时，对应于这些存储器单元串列中的一第二存储器单元串列的一第二位开关关断，对应于这些存储器单元串列中的该第二存储器单元串列的一第二源极开关导通，使得该第二存储器单元串列经由该第二源极开关接收该偏压信号；该第二存储器单元串列中的一第二存储器单元响应于一字线的电压而导通，使得该第二存储器单元串列中的一第二位线及一第二源极线通过该第二存储器单元保持相同电位。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中该存储器操作电路还包含：
一缓存电路，用以接收该写入信号；
一缓冲电路，电性连接于该缓存电路；以及
一放大电路，电性连接于该缓冲电路，用以通过该缓冲电路接收该写入信号，其中这些存储器单元串列电性连接于该放大...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶腾豪，吕函庭，刘逸青，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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