具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器及制造方法技术

一种具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器及制作方法，存储器包括多层结构、长形插塞结构、第一导体插塞与第二导体插塞。多层结构，包括多个栅极层，彼此分隔堆叠于基底上。所述多层结构中具有贯穿所述多层结构的孔洞。所述孔洞的截面具有长形轮廓，所述长形轮廓具有长度不同的长边与短边。长形插塞结构配置于所述孔洞中，其中所述长形插塞结构的截面具有所述长形轮廓。所述长形插塞结构包括绝缘柱、通道层与栅介电层。通道层环绕所述绝缘柱。栅介电层环绕所述通道层。栅极层环绕所述栅介电层。第一导体插塞设置于所述通道层与所述基底之间以及与所述绝缘柱与所述基底之间。第二导体插塞设置于所述绝缘柱上，且被所述通道层包覆。包覆。包覆。

【技术实现步骤摘要】
具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器及制造方法


[0001]本公开属于半导体
，涉及一种存储器及制造方法，且特别是有关于一种具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器及制造方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器元件(如，闪存存储器)由于具有使存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此成为个人电脑和其他电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
[0003]目前业界较常使用的闪存存储器阵列包括或非门(NOR)闪存存储器与与非门(NAND)闪存存储器。由于NAND闪存存储器的结构是使各存储单元串接在一起，其集成度与面积利用率较有效率。因此，NAND闪存存储器已经广泛地应用在多种电子产品中，特别是大量数据储存领域。
[0004]此外，为了进一步地提升存储器元件的储存密度以及集成度，发展出一种三维NAND闪存存储器。然而，在目前三维NAND闪存存储器，面临电场效应不足、存储裕度(memory window)小以及起始电压(Vt)的分布较广等问题。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提出一种具有环绕式栅极薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器，其特征在于，包括：多层结构，包括多个栅极层，彼此分隔堆叠于基底上，其中所述多层结构中具有孔洞，所述孔洞贯穿所述多层结构，所述孔洞的截面具有长形轮廓，所述长形轮廓具有长度不同的长边与短边；长形插塞结构，配置于所述孔洞中，其中所述长形插塞结构的截面具有所述长形轮廓，所述长形插塞结构包括：绝缘柱，设置于所述基底上；通道层，设置于所述基底上，环绕所述绝缘柱；以及栅介电层，环绕所述通道层，其中所述栅极层环绕所述栅介电层；第一导体插塞，设置于所述通道层与所述基底之间以及与所述绝缘柱与所述基底之间；以及第二导体插塞，设置于所述绝缘柱上，且被所述通道层包覆。2.根据权利要求1所述的具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器，其中所述长形轮廓满足式1：A0＜A1≤A2
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式1其中，A1表示所述长形轮廓所围的面积；A2表示参考矩形的面积，所述参考矩形具有所述长边与所述短边；以及A0表示在所述参考矩形的最大内切椭圆的面积。3.根据权利要求2所述的具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器，其中A1/A2的比例范围介于0.9至1之间。4.一种具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，包括：在基底上形成堆叠结构；在所述堆叠结构上形成掩膜层，所述掩膜层具有截面为椭圆形的第一开口；以所述掩膜层为刻蚀掩膜，对所述堆叠结构进行多个循环刻蚀工艺，以形成截面具有长形轮廓的第二开口，其中所述长形轮廓具有长度不同的长边与短边，且进行每一循环刻蚀工艺包括：进行刻蚀工艺，包括：对所述堆叠结构进行第一阶段刻蚀工艺，以在所述堆叠结构中形成第一孔，并在所述第一孔的侧壁与底面形成聚合物，其中形成在所述第一孔的短边处的所述侧壁的所述聚合物的厚度大于形成在所述第一孔的长边处的所述侧壁的所述聚合物的厚度；以及对所述第一孔进行第二阶段刻蚀工艺，以形成第二孔，其中所述第二孔的短边的长度大于所述第一孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶腾豪，吕函庭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：