存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法技术

本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述存储器块分别包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的有效沟道材料串延伸穿过绝缘层和导电层。横向间隔开的存储器块中的有效沟道材料串包括存储器平面的一部分。高度上延伸的壁在横向地介于横向紧邻的存储器块之间的存储器平面中，并且其完全包围在存储器平面中横向地介于横向紧邻的存储器块之间的岛。公开了包括方法的其他实施例。其他实施例。其他实施例。

【技术实现步骤摘要】
存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法


[0001]本文公开的实施例涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。

技术介绍

[0002]存储器是集成电路系统的一种类型，并且在计算机系统中用于存储数据。存储器可以按单独的存储器单元的一或多个阵列制造。存储器单元可以使用数字线(也可以称为位线、数据线或感测线)和存取线(也可以称为字线)来写入或读取。感测线可以沿着阵列的列导电地互连存储器单元，并且存取线可以沿着阵列的行导电地互连存储器单元。每个存储器单元可以通过感测线和存取线的组合来唯一地进行寻址。
[0003]存储器单元可以是易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可以在没有电源的情况下长时间存储数据。传统上非易失性存储器被指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器耗散，并因此需要进行刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元被配置为以至少两种不同的可选状态保持或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其他系统中，至少一些单独的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，包括：横向间隔开的存储器块，所述存储器块分别包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的有效沟道材料串在存储器阵列区域中延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；所述横向间隔开的存储器块的所述绝缘层和所述导电层从所述存储器阵列区域延伸到与所述存储器阵列区域相邻的阶梯区域中，所述阶梯区域中的所述存储器块的所述绝缘层和所述导电层包括有效阶梯结构，所述有效阶梯结构相对于彼此横向间隔开并且分别水平地纵向伸长；各个阶梯结构包括一对高度上延伸的壁，所述壁与相应阶梯结构的侧面横向向内间隔开，相对于彼此横向间隔开，并且分别水平地纵向伸长；并且所述各个阶梯结构在所述一对壁之间横向上没有有效的TAV。2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述各个阶梯结构包括平台区域和与所述平台区域相邻的包括台阶的台阶区域，所述壁的至少一部分在所述平台区域中。3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述各个阶梯结构包括平台区域和与所述平台区域相邻的包括台阶的台阶区域，所述壁的至少一部分在所述台阶区域中。4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述各个阶梯结构包括平台区域和与所述平台区域相邻的包括台阶的台阶区域，所述壁在所述平台区域和所述台阶区域的每一个中。5.根据权利要求1所述的存储器阵列，包括与所述一对壁连接的更多的高度上延伸的壁，所述一对壁和所述更多的壁共同完全包围岛，所述岛包含在所述一对壁的横向间隔开的壁之间的空间。6.根据权利要求5所述的存储器阵列，其中所述岛沿着所述一对壁纵向伸长。7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述壁相对于彼此水平平行。8.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述壁中的至少一个壁是其所在的所述阶梯结构的水平平行的水平纵向取向。9.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述壁中的至少一个壁不是其所在的所述阶梯结构的水平平行的水平纵向取向。10.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述壁中的至少一个是垂直的或在垂直的10
°
内。11.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述壁中的至少一个是水平直线的。12.根据权利要求1所述的存储器阵列，包括NAND。13.一种包括存储器单元串的存储器阵列，包括：横向间隔开的存储器块，所述存储器块分别包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的有效沟道材料串在存储器阵列区域中延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；所述横向间隔开的存储器块的所述绝缘层和所述导电层从所述存储器阵列区域延伸到与所述存储器阵列区域相邻的阶梯区域中，所述阶梯区域中的所述存储器块的所述绝缘层和所述导电层包括有效阶梯结构，所述有效阶梯结构相对于彼此横向间隔开并且分别水平地纵向伸长；并且
各个阶梯结构包括一对高度上延伸的壁，所述壁与相应阶梯结构的侧面横向向内间隔开，相对于彼此横向间隔开，并且分别水平地纵向伸长；所述壁中的至少一个既不是其各自阶梯结构的水平平行的水平纵向取向，也不是相对于所述水平纵向取向正交地成角度。14.一种包括存储器单元串的存储器阵列，包括：横向间隔开的存储器块，所述存储器块分别包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的有效沟道材料串在存储器阵列区域中延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；所述横向间隔开的存储器块的所述绝缘层和所述导电层从所述存储器阵列区域延伸到与所述存储器阵列区域相邻的阶梯区域中，所述阶梯区域中的所述存储器块的所述绝缘层和所述导电层包括有效阶梯结构，所述有效阶梯结构相对于彼此横向间隔开并且分别水平地纵向伸长；各个阶梯结构包括一对高度上延伸的壁，所述壁与相应阶梯结构的侧面横向向内间隔开，相对于彼此横向间隔开，并且分别水平地纵向伸长；并且所述各个阶梯结构没有在所述一对壁之间横向延伸的任何互连壁。15.一种包括存储器单元串的存储器阵列，包括：横向间隔开的存储器块，所述存储器块分别包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的有效沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层，所述横向间隔开的存储器块中的所述有效沟道材料串包括存储器平面的一部分；和高度上延伸的壁，所述壁位于横向地介于横向紧邻的所述存储器块之间的所述存储器平面中，并且其完全包围岛，所述岛在所述存储器平面中横向地介于横向紧邻的所述存储器块之间。16.一种包括存储器单元串的存储器阵列，包括：横向间隔开的存储器块，所述存储器块分别包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的有效沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层，所述横向间隔开的存储器块中的所述有效沟道材料串包括存储器平面的一部分；和一对高度上延伸的壁，所述壁在横向地介于横向紧邻的所述存储器块之间的所述存储器平面中，相对于彼此横向间隔开，并且分别水平...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐丽芳，I，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：