温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种具有环绕式栅极薄膜晶体管的非易失性存储器及制作方法，存储器包括多层结构、长形插塞结构、第一导体插塞与第二导体插塞。多层结构，包括多个栅极层，彼此分隔堆叠于基底上。所述多层结构中具有贯穿所述多层结构的孔洞。所述孔洞的截面具有长形轮廓，所述...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。