存储器元件制造技术

本发明专利技术公开了一种存储器元件，该存储器元件包括一基板、一叠层结构、多个通道结构、多个存储层以及多个浅隔离结构。基板具有一上表面。叠层结构位于基板的上表面上，其中叠层结构包括交替堆叠于上表面上的多个绝缘层及多个导电层。通道结构穿过部分的叠层结构并电性连接于基板。各个存储层环绕所对应的各个通道结构。浅隔离结构由叠层结构的一顶面朝向基板的方向延伸，其中各个浅隔离结构包括一物质，此物质的介电常数小于3.9。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件
本公开属于半导体
，有关于一种半导体结构，特别是有关于一种存储器元件。
技术介绍
近来，由于对于更优异的存储器元件的需求已逐渐增加，已提供各种三维(3D)存储器元件，例如是立体与非门(3DNAND)存储器元件或立体只读存储器(3DROM)。此类三维存储器元件可达到更高的储存容量，具有更优异的电子特性，例如是具有良好的数据保存可靠性和操作速度。在三维存储器元件的制作过程中，需要形成电性连接于基板的多个共同源极线以将三维存储器元件区分为多个区块及次区块。然而，共同源极线的数量过多可能导致三维存储器元件的尺寸变大。因此，有需要提出一种先进的存储器元件及其制作方法以解决现有技术所面临的问题。
技术实现思路
在本公开中，提供一种存储器元件及其制作方法，以解决至少一部分上述问题。根据本专利技术的一实施例，存储器元件包括一基板、一叠层结构、多个通道结构、多个存储层以及多个浅隔离结构。基板具有一上表面。叠层结构位于基板的上表面上，其中叠层结构包括交替堆叠于上表面上的多个绝缘层及多个导电层。通道结构穿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器元件，其特征在于，包括：/n一基板(110)，具有一上表面(110a)；/n一叠层结构(S1)，位于该基板的该上表面上，其中该叠层结构包括交替堆叠于该上表面上的多个绝缘层(IL1)及多个导电层(CL1)；/n多个通道结构(112)，穿过部分的该叠层结构并电性连接于该基板；/n多个存储层(114)，这些存储层环绕所对应的这些通道结构；以及/n多个浅隔离结构(124)，由该叠层结构的一顶面(S1a)朝向该基板的方向延伸，其中各该浅隔离结构包括一物质，该物质的介电常数小于3.9。/n

【技术特征摘要】
20191004 US 16/592,9231.一种存储器元件，其特征在于，包括：
一基板(110)，具有一上表面(110a)；
一叠层结构(S1)，位于该基板的该上表面上，其中该叠层结构包括交替堆叠于该上表面上的多个绝缘层(IL1)及多个导电层(CL1)；
多个通道结构(112)，穿过部分的该叠层结构并电性连接于该基板；
多个存储层(114)，这些存储层环绕所对应的这些通道结构；以及
多个浅隔离结构(124)，由该叠层结构的一顶面(S1a)朝向该基板的方向延伸，其中各该浅隔离结构包括一物质，该物质的介电常数小于3.9。


2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该物质是氟掺杂的二氧化硅、碳掺杂的氧化物、多孔二氧化硅、旋涂式有机聚合物介电质、旋涂式硅基聚合物介电质或空气间隙。


3.如权利要求1所述的存储器元件，其中各该浅隔离结构穿过位于该叠层结构的上部的3个或大于3个的这些导电层。


4.如权利要求3所述的存储器元件，其中该浅隔离结构将该叠层结构的该上部的3个或大于3个的这些导电层分隔成两个电性独立的串行选择线。


5.如权利要求1所述的存储器元件，还包括多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：古绍泓，程政宪，蔡文哲，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71