存储器元件及其制造方法技术

一种存储器元件及其制造方法，存储器元件包括堆叠结构、柱、停止层以及接触插塞。所述堆叠结构，包括多个导体层。所述柱穿过所述堆叠结构。所述柱包括多个串联的存储单元，所述多个串联的存储单元在所述柱位置布局图案中位于所述柱与所述导体层的多个交叉点处。所述第一停止层覆盖所述堆叠结构以及部分所述柱的顶面。所述接触插塞穿过所述第一停止层，延伸至所述柱中，且与所述多个串联的存储单元电性连接。所述接触窗着陆于所述接触插塞上，借由接触插塞与部分所述柱通道层电性连接。接触插塞与部分所述柱通道层电性连接。接触插塞与部分所述柱通道层电性连接。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件及其制造方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，涉及一种存储器元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着科技日新月异，电子元件的进步增加了对更大储存能力的需要。为了满足高储存密度(high storage density)的需求，存储器元件尺寸变得更小而且集成度更高。因此，存储器元件的形态已从平面型栅极(planar gate)结构的二维存储器元件(2D memory device)发展到具有垂直通道(vertical channel，VC)结构的三维存储器元件(3D memory device)。然而，具有垂直通道结构的三维存储器元件仍面临许多挑战。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种存储器元件可以增加工艺的裕度，并提升存储器元件的可靠度。
[0004]本专利技术实施例提出一种存储器元件，包括堆叠结构、柱、第一停止层以及接触插塞。所述堆叠结构，包括堆叠的多个导体层。所述柱穿过所述堆叠结构。所述柱包括多个串联的存储单元，所述多个串联的存储单元在柱位置布局图案中位于所述柱与所述导体层的多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，其特征在于，包括：堆叠结构，包括多个导体层；柱，穿过所述堆叠结构，其中所述柱包括多个串联的存储单元，所述多个串联的存储单元在柱位置布局图案中位于所述柱与所述导体层的多个交叉点处；第一停止层，覆盖所述堆叠结构以及部分所述柱的顶面；接触插塞，穿过所述第一停止层，并延伸至所述柱中，其中所述接触插塞与所述多个串联的存储单元电性连接；以及接触窗，着陆于所述接触插塞上，借由所述接触插塞与部分的所述柱电性连接。2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述接触窗还着陆于所述第一停止层上。3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述柱还包括：绝缘填充物，穿过所述堆叠结构，位于所述接触插塞下方；通道层，环绕于所述接触插塞的侧壁以及所述绝缘填充物的侧壁；以及电荷储存层，位于所述通道层与所述堆叠结构之间，其中所述多个串联的存储单元在所述柱位置布局图案中位于所述通道层、所述电荷储存层与所述导体层的多个交叉点处。4.根据权利要求2所述的存储器元件，其中所述第一停止层覆盖所述通道层以及所述电荷储存层。5.根据权利要求2所述的存储器元件，其中所述柱还包括第二停止层，设置于所述接触插塞、所述绝缘填充物与所述通道层之间。6.根据权利要求3所述的存储器元件，还包括绝缘分隔物，穿过所述接触插塞及所述第二停止层，并延伸至所述绝缘填充物中，其中所述接触插塞被分割为第一插塞与第二插塞。7.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈冠源，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：