本发明是关于一种半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构具有一半导体元件，其包括一本体、数个导电通道及至少一填充物。该等导电通道贯穿该本体。该填充物是位于该本体内，其中该填充物的热膨胀系数与该本体和该等导电通道的热膨胀系数不同。藉此...

本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合...

本发明是关于一种半导体组合结构及半导体工艺。该半导体组合结构包括一基板、至少一导体、一挡墙部及一第一芯片。该基板具有至少一电性连接处。该导体位于该电性连接处上。该挡墙部用以顶抵该导体。该第一芯片具有至少一凸块。该第一芯片大致垂直该基板，...

本发明公开一种近接传感器封装构造及其制作方法，一近接传感器封装构造主要包含一基板、一光发射元件、一光接收元件、一第一透明封装体、一第二透明封装体及一不透明封装体。所述光发射元件及光接收元件设于所述基板上，所述第一及第二透明封装体分别封装...

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括第一基板、第二基板、中介层、半导体芯片、封装体及第一天线层。第一基板包含接地件。中介层设于第一基板与第二基板之间。半导体芯片设于第二基板。封装体包覆第二基板、半导体芯片与中介层，且具有侧面及...

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、接地层、芯片、封装体及屏蔽层。基板具有外侧面及底面。接地层内埋基板且横向地延伸并从基板的外侧面露出。芯片设于基板上。封装体包覆芯片且具有外侧面。屏蔽层覆盖封装体的外侧面、基板的外侧面及...

半导体封装结构包含一芯片承座、至少一连接杆、至少一支撑部、数个引脚、一半导体芯片、一散热片及一封胶材料。该连接杆连接该芯片承座及该支撑部。该等引脚彼此电性绝缘，且与该芯片承座电性绝缘。该半导体芯片位于该芯片承座上，且电性连接至该等引脚。...

本发明公开一种发光二极管封装构造及灯具，所述发光二极管封装构造是将多个发光二极管芯片封装在一具有挠性的基板上。可将所述发光二极管封装构造卷曲形成一发光二极管灯具的一中空柱状的灯壁部，其中所述多个发光二极管芯片相互电性连接且其发光方向朝向...

本发明公开一种晶圆级封装构造，包含一半导体组件、一第一介电层、一重分布电路层、一第二介电层及至少一金属凸块，所述重分布电路层设置在所述第一介电层上，且包含一导线部、一扇形部及一垫片部，所述金属凸块包含一接触面及一端缘，所述接触面与所述垫...

本发明公开一种半导体变压器，包括一第一线圈电感以及一第二线圈电感。第一线圈电感具有一第一端口、一第二端口以及一第一线圈电感墙，第一线圈电感墙具有一高度，而高度实质上相等于基板的一厚度。第二线圈电感具有一第三端口、连接至第三端口的一第一延...

一种封装基板、覆晶式封装及其制造方法。封装基板，包括一基板本体、多数个金属导线与多数个薄膜。基板本体具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面。金属导线配置在基板本体的第一基板表面上。金属导线具有一上导线表面与数个侧导线表面。薄膜形成在金...

本发明公开一种半导体封装结构，其包括一基板、一半导体元件、一保护层、一接合线以及一封装胶体。基板具有一接垫以及一焊罩层，且接垫自焊罩层暴露。半导体元件配置于基板上。保护层配置于接垫上。接合线连接半导体元件至接垫。接合线的一端贯穿保护层且...

本发明公开一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括一半导体元件封装、一基板、多个第一焊料连接件及多个第二焊料连接件。半导体元件封装包含一芯片座、设置于芯片座旁的多个引脚及多个强化元件、电连接引脚的一芯片，及包覆芯片、部分引脚及强化元件且...

一种半导体封装构造，包含：一重布线层，具有一电源输入端与一电源输出端；至少一芯片，配置于所述重布线层上并具有一有源表面，所述有源表面电性连接所述重布线层，所述芯片的有源表面的一电源输入垫对应连接所述重布线层的电源输出端；以及至少一引脚，...

发光二极管元件包括发光二极管芯片及萤光层。发光二极管芯片具有出光面且至少一接垫。萤光层形成于出光面上并露出至少一接垫，萤光层包括数个萤光粒子及基体，其中此些萤光粒子的至少一些具有第一部分及第二部分，第一部分埋设于基体内，而第二部分突出于...

本发明公开一种发光二极管封装以及承载板。该发光二极管封装具有横贯芯片座的多个沟槽，用以提供一机械连接，以强化芯片座与绝缘材间的结合，并降低可能发生于芯片座及绝缘层间的脱层的可能性。位于沟槽内及电极与芯片座间的间隙内的绝缘层共同形成一阻隔...

半导体封装件包括基板、半导体芯片、封装体、电磁干扰屏蔽元件、介电结构、天线元件、馈入元件及天线接地元件。半导体芯片设于基板上。封装体包覆半导体芯片。电磁干扰屏蔽元件形成于封装体上。介电结构包覆电磁干扰屏蔽元件。天线元件形成于介电结构上。...

本发明公开一种具电磁干扰屏蔽的半导体封装体及其制造方法。半导体封装体包括一屏蔽物，其连接多个配置在一晶片上的导电件。多个导电件被配置而分别地围住在晶片上的多个微结构件，而这些微结构件位在前述的导电件所形成的多个凹穴中以提供较佳的屏蔽效果...

本发明公开一种半导体封装构造及其制造方法，所述制造方法包含：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板...

一种半导体封装构造，包含：一第一导线架，包含一芯片承座及数个第一引脚；一第二导线架，包含数个第二引脚，所述第二引脚绝缘分布于所述第一引脚的上方；一芯片，对应设于所述芯片承座上并电性连接所述第一引脚与第二引脚；以及一封装胶体，包覆所述芯片...