半导体封装构造及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体封装构造及其制造方法，所述制造方法包含：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装构造及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体封装构造，特别是有关于一种制作不易翘曲的半导体封装构造及其制造方法。
技术介绍
现今，半导体封装产业发展出各种不同型式的封装构造，以满足各种需求，一般的封装工艺主要是在基板上布设芯片，接着再用封装胶体将芯片包覆起来，完成封装体，同时在基板背面设有锡球，以供封装体后续焊接于电路板上。一般而言，在常见的封装工艺中会使用一基板条来提供多个芯片设置区域，在芯片全数布设于基板条之后，再于基板条表面设置封装胶体来包覆芯片，接着再将基板条切割成数个单独的半导体封装构造。半导体封装构造在制造过程中会经常处于高温环境下，然而由于基板与封装胶体之间的热膨胀系数差异(CTEmismatch)往往会导致基板与封装胶体具有不同的热膨胀程度而有应力作用拉扯，因而产生翘曲的现象，再加上目前的电子产品尺寸越趋轻薄短小，使得半导体封装构造的整体厚度也随着降低，相对导致半导体封装构造的翘曲现象变得更显着。半导体封装构造的翘曲问题往往会导致许多问题，例如可能导致打线封装的半导体封装构造的内部导线结合不良；或可能导致使用倒装芯片技术的半导体封装构造的芯片下方的凸块或凸柱断本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元，所述基板单元的面积介于98平方毫米到412.1平方毫米之间；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量少于210微米。2.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述预定材料为铬；所述预定厚度介于0.5微米到3微米之间。3.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于98平方毫米到150平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于53微米到68微米之间。4.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于150平方毫米到310平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于75微米到111微米之间。5.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于310平方毫米到412.1平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于159微米到209微米之间。6.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于98.01平方毫米到102.01平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于53微米到60微米之间。7.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于141.61平方毫米到146.41平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于64微米到99微米之间。8.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述基板单元的面积介于166.41平方毫米到171.61平方毫米之间，所述半导体封装构造的翘曲改变量介于88微米到143微米之间。9.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：提供一基板条，所述基板条包含多个基板单元，每一所述基板单元的面积介于302.76平方毫米到309.76平方毫米之间；设置多个芯片于所述多个基板单元上；设置一封装胶体于所述基板条上以包覆所述芯片；形成一抗翘曲层于所述封装胶体的一顶面上；以及切割所述基板条以分离所述多个基板单元，进而制成多个半导体封装构造，其中所述抗翘曲层与所述基板单元彼此绝缘，所以抗翘曲层由一预定材料以一预定厚度形成而导致在25℃到260℃之间的温度下所述半导体封装构造的翘曲改变量介于75微米到235微米之间。10.如权利要求9所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述预定材料为铬；所述预定厚度介于0.5微米到3微米之间。11.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈天赐，陈光雄，王圣民，李育颖，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：