本发明关于一种堆栈式封装结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：覆晶接合数个第一晶粒至一晶圆；进行回焊；形成一第一保护层于这些第一晶粒及该晶圆之间；薄化该晶圆；切割该晶圆以形成数个复合晶粒；形成一第二保护层于一基板；将这些复合晶粒接合至该...

本发明公开一种引脚框架封装结构及其制作方法。该封装结构包括一具有一第一中心块、多个第一金属块、一第二中心块以及多个第二金属块的金属片、一第一饰面层以及一第二饰面层、至少一配置于金属片上的芯片以及一包覆芯片的封装体。封装结构可还包括至少一...

本发明公开一种发光模块，其整合了多个发光二极管元件的封装，可采用多种不同的串联或并联方式，有助于缩小封装体积与制作工艺成本。此外，此发光模块直接采用承载座来承载发光二极管元件，因而可具有良好的散热表现。再者，此发光模块集合了多个发光二极...

一种半导体装置封装件及其制造方法。半导体装置封装件包括基板、缓冲结构、二主动芯片及桥接芯片。基板具有凹部及相对的第一面与第二面。凹部从第一面往第二面延伸，缓冲结构设于凹部。二主动芯片机械性地设置于且电性连接于第一面，二主动芯片环绕凹部，...

本发明关于一种半导体封装工艺及用于半导体封装工艺的模具。该模具用以夹持一半成品，且包括一上模及一下模。该上模具有一第一基底及一压合部，该压合部凸出于该第一基底，且具有一压合表面及至少一模穴。该下模具有一第二基底及一承载部，该承载部凸出于...

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括一金属环绕部、一芯片、一封胶、一介电层及一图案化导电层。金属环绕部环绕出一凹部。芯片设于凹部，芯片包括数个接垫。封胶形成于凹部并包覆芯片的侧面并露出接垫。介电层形成于芯片，介电层具有数个开孔...

本发明关于一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：（ａ）提供一第一晶圆及一第二晶圆；（ｂ）配置该第一晶圆于该第二晶圆上；（ｃ）移除部分该第一晶圆，以形成一沟槽；（ｄ）形成一穿导孔于该沟槽内；及（ｅ）形成至少一电性连接组件于该...

一种封装工艺如下：首先，提供载具。接着，在载具上配置线路母板，线路母板包括多个线路板。然后，提供多个半导体元件，且各半导体元件具有相对的顶面与底面，各半导体元件具有多个导电通道，各导电通道具有相对的第一端面与第二端面，且各半导体元件的底...

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括一芯片、一封胶及一图案线路并具有一凹槽。芯片包括相对设置的一第一基板及一第二基板，第二基板包括一接垫。封胶包覆芯片并具有一导通贯孔及相对应的一第一封胶表面与一第二封胶表面。第一封胶表面露出第...

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括第一基板、第二基板、第一芯片及第二芯片。第二基板设于第一基板上并定义一容置空间。第二基板包括基材、导通孔结构及绝缘结构。基材具有贯孔，导通孔结构形成于贯孔内，绝缘结构隔离导通孔结构与基材。第...

本发明公开一种具有金属边框的半导体结构。该半导体结构包括一基板、至少一芯片及一金属边框。该基板具有一第一表面。该芯片位于该基板的第一表面，且电连接至该基板。该金属边框具有一第一部分及一第二部分，该第一部分位于该基板的第一表面，且具有一第...

一种堆栈封装组件的一实施例，包括一第一半导体封装件、一第二半导体封装件、一导电凸块、一第二导电接触件、及一导线。第一半导体封装件包括一半导体装置、一封装体及一第一导电接触件。半导体装置包括后及侧表面。封装体包括一上表面，且实质上覆盖装置...

在此说明用于遮蔽电磁干扰的半导体装置封装件以及其相关的方法。在一实施例中，一半导体装置封装件包括一接地组件，此接地组件设置邻接于一基板单元的周围并且至少部分延伸于基板单元的上表面和下表面之间。此接地组件包括一凹陷部分，此凹陷部分设置邻接...

本发明涉及一种半导体封装件的制造方法及制造其的封装模具，制造方法包括以下步骤。首先，提供散热片。然后，提供待封装元件，待封装元件包括基板及数个半导体元件，半导体元件设于基板上。然后，形成封装体于散热片与待封装元件之间，其中封装体包覆半导...

本发明有关于一种堆叠式封装结构、其封装结构及封装结构的制造方法，该堆叠式封装结构包括一下封装结构及一上封装结构。该下封装结构包括一基板本体、一焊罩层、多个铜柱及一下晶片。该焊罩层具有多个焊罩层开口，以显露该基板本体的焊垫。这些铜柱位于部...

本发明公开了一种四方扁平无引脚封装及其制作方法。该四方扁平无引脚封装包括引脚框架、芯片、封装胶体以及保护层。引脚框架包括多个引脚。每一引脚具有下表面且下表面区分为接触区与非接触区。芯片配置于引脚框架上，且电性连接至引脚框架。封装胶体包覆...

本发明关于一种用于半导体工艺的载体分离方法，包括以下步骤：（ａ）设置一半导体晶圆的一第一表面于一第一载体上；（ｂ）于该半导体晶圆的一第二表面进行表面处理，该第二表面相对于该第一表面；（ｃ）设置一第二载体于该半导体晶圆的该第二表面；（ｄ）...

本发明关于一种具有穿导孔的半导体装置及具有穿导孔的半导体装置的封装结构及其制造方法。该具有穿导孔的半导体装置包括一硅基材及至少一穿导孔。该硅基材的厚度为７５至１５０微米（μｍ）。该穿导孔包括：一第一阻绝层及一导电金属，该第一阻绝层的厚度...

本发明关于一种堆栈式封装结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成且固化一第一保护层以覆盖一第一晶圆的第一凸块；切割该第一晶圆，以形成数个第一晶粒；形成一第二保护层以覆盖一第二晶圆的第二凸块；利用一接合头通过该第一保护层吸附该第一晶粒，...

本发明关于一种具有金属柱的芯片及具有金属柱的芯片的封装结构。该芯片包括一芯片本体、一保护层及至少一金属柱。该保护层邻接于该芯片本体的表面，该保护层具有至少一开口，该开口具有一第一直径。该金属柱对应该开口，且具有一第二直径，其中第二直径／...