日月光半导体制造股份有限公司专利技术

日月光半导体制造股份有限公司共有2576项专利

  • 半导体封装件及其制造方法
    一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括上基板、下基板、封装体、走线及保护层。上基板具有外侧面。下基板具有上表面及外侧面,下基板的上表面与上基板相对且下基板的外侧面突出超过上基板的外侧面。封装体形成于上基板与下基板之间,且具有外侧...
  • 半导体封装件及其制造方法
    一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括第一基板、第一突出部、导电柱、第二基板、第二突出部、焊料、芯片及黏合层。第一电性接点及第一突出部形成于第一基板上。部分导电柱被第一突出部包覆。第二突出部形成于第二基板上且具有容置凹部。焊料容...
  • 本发明公开了一种能带隙参考电压产生电路与使用其的电子系统。能带隙参考电压产生电路包括三端电流源电路、缓冲器、差动放大电路、反馈电路、第一晶体管、第二晶体管、第三电阻与第四电阻。三端电流源电路用以提高能带隙参考电压产生电路的电源抑制比以稳...
  • 电子装置、光学模块及其制造方法
    本发明涉及一种光学模块,包含:载体、发光元件、光学传感器以及封装材料。所述载体具有第一表面。所述发光元件位于所述第一表面上方。所述光学传感器位于所述第一表面上方。所述封装材料位于所述第一表面上方且包覆或至少侧向包围所述发光元件,并暴露出...
  • 内埋式半导体封装件的制作方法
    本发明公开一种内埋式半导体封装件的制作方法。该半导体封装件包括具有电性接点的半导体元件、上方图案化导电层、介于上方图案化导电层与半导体元件之间的介电层、第一内层电性连接层、下方图案化导电层、导通孔以及第二内层电性连接层。介电层具有暴露出...
  • 元件嵌入式封装结构、其半导体装置及其制造方法
    本发明提供一种元件嵌入式封装结构、其半导体装置及其制造方法,所述元件嵌入式封装结构包括:裸片,安置于一裸片承座上;第一引脚及第二引脚,安置于裸片承座的周围;第一电介质层,覆盖裸片、裸片承座、第一引脚及第二引脚,且具有第一通孔,露出至少部...
  • 半导体封装件及其制造方法
    一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、芯片及底胶。基板具有分割道,分割道垂直地贯穿基板,且沿着基板的上表面横向地从基板的一边缘侧面延伸至基板的另一边缘侧面,使基板形成数个彼此分离的子基板。芯片设于基板上。底胶形成于芯片与基...
  • 本发明涉及一种元件嵌入式封装结构和其制造方法。所述元件嵌入式封装结构包含:衬底,具有第一表面和相对于所述第一表面的第二表面,和从所述第一表面延伸到所述第二表面的通孔;第一电性互连件,从所述第一表面延伸到所述第二表面;第一图案化导电层设置...
  • 半导体封装结构及半导体工艺
    本发明涉及一种半导体封装结构及半导体工艺。所述半导体封装结构包含第一衬底、第二衬底、裸片、多个互连元件及包覆材料。所述互连元件连接所述第一衬底与所述第二衬底。所述包覆材料包覆所述互连元件。所述包覆材料具有多个容纳槽以容纳所述互连元件,且...
  • 射频功率放大器与电子系统
    本发明公开了一种射频功率放大器与电子系统,所述射频功率放大器包括偏压电路、输出级电路与射频补偿电路。当第一系统电压大于第一电压门限值时,偏压电路产生微幅上升的第一电流。当第一系统电压大于第二电压门限值时,则射频补偿电路接收来自偏压电路所...
  • 半导体基板及其制造方法
    本发明关于一种半导体基板及其制造方法。该半导体基板包括一绝缘层、一第一线路层、一第二线路层、数个导电通道及数个凸块。该第一线路层嵌于该绝缘层的第一表面,且显露于绝缘层的第一表面。该第二线路层位于该绝缘层的第二表面上,且经由该等导电通道电...
  • 功率检测电路与使用其的射频功率放大电路和电子系统
    本发明公开了一种功率检测电路,功率检测电路用于检测射频功率放大电路的射频输出功率并且据此输出双斜率电压以提供不同主芯片的电压斜率曲线需求,其中双斜率电压包括正斜率电压与负斜率电压。功率检测电路包括第一偏压电阻、第一整流电路与第二整流电路...
  • 堆叠式多封装模块及其制造方法
    本发明实施例提供一种堆叠式多封装模块及其制造方法,所述堆叠式多封装模块的制造方法包括将至少一第一电子元件以及至少一第二电子元件装设于基板上,并且第一电子元件与第二电子元件皆与基板电性连接,而第二电子元件高度大于第一电子元件的高度。将导电...
  • 电子模块的制造方法
    本发明公开了一种电子模块的制造方法,包括提供一电路板,电路板具有接垫以及模封区域。装设多个电子元件于电路板上,至少一电子元件位于模封区域内。设置一遮罩件以覆盖模封区域内的电子元件以及接垫。形成保护层于电路板上以覆盖摸封区域外的电子元件。...
  • 本发明公开了一种可变增益低噪声放大电路及其可变增益方法与接收机,可变增益低噪声放大电路包括低噪声放大器、旁路开关电路、第一电源电路与第二电源电路。低噪声放大器接收射频输入信号。旁路开关电路接收开关信号并据此决定导通或截止状态。当射频输入...
  • 射频功率放大器与电子系统
    本发明公开了一种单芯片设计无需参考电压的射频功率放大器,射频功率放大器包括三端电流源电路、电流镜电路与输出级电路。三端电流源电路接收第一系统电压并据此输出第一电流及第二电流,并且第一电流的第一输出端点与第二电流的第二输出端点之间具有源电...
  • 本实用新型涉及一种半导体封装结构,所述半导体封装结构包括:柔性衬底、至少一止档层、至少一电子元件及封装材料。所述柔性衬底具有第一表面、第一区段及至少一弯折区段。所述至少一止档层设置于所述第一表面上及所述至少一弯折区段。所述至少一电子元件...
  • 光学模块及其制造方法以及包括光学模块的电子装置
    本发明涉及一种光学模块,其包含:载体、光源、光检测器以及第一偏光器。所述载体具有第一表面,在其上沉积所述光源及所述光检测器。第一偏光器安置于所述光检测器上。从所述光源发出的光的偏振方向与通过所述第一偏光器的光的偏振方向实质上互相垂直。
  • 堆叠式半导体结构及其制造方法
    一种堆叠式半导体结构及其制造方法。堆叠式半导体结构包括第一基板、第二基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片及表面黏贴元件。第一基板具有上表面。第二基板具有下表面。第一半导体芯片设于第一基板的上表面。第二半导体芯片设于第二基板的下表面。第一...
  • 半导体晶片、半导体工艺和半导体封装
    本发明提供一种半导体晶片、半导体封装和半导体工艺。所述半导体晶片包含衬底、至少一个金属片段和多个电介质层。所述半导体晶片被界定为多个裸片区域和多个沟槽区域,每一所述裸片区域具有集成电路,所述集成电路包含设置于所述电介质层之间的多个图案化...