本公开提供一种半导体封装结构，其包含：第一半导体裸片，其具有有源表面和与所述有源表面相对的无源表面；导电元件，其与所述第一半导体裸片齐平；第一再分布层RDL，与接近所述有源表面相比，其更接近所述无源表面；第二RDL，其与接近所述无源表面...

本发明描述一种半导体装置封装，其包含第一衬底、第二衬底、第一支撑元件、第二支撑件元件和电子组件。所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一衬底具有邻近于所述第一衬底的所述第一表面的导电垫。所述第二衬底安置于所述第一...

本公开涉及一种布线结构以及一种用于制造布线结构的方法。所述布线结构包含上部导电结构、下部导电结构、下部包封物和中间层。所述上部导电结构包含至少一个上部电介质层，以及与所述上部电介质层接触的至少一个上部电路层。所述下部导电结构包含至少一个...

本公开的至少一些实施例涉及一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含载体、囊封体和天线，所述载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述囊封体安置于所述载体的所述第一表面上。所述天线安置于所述囊封体上。所述天线包含晶种层和导电层。

本发明提供一种布线结构，其包含至少一个上部导电结构、下部导电结构和中间层。所述上部导电结构包含至少一个上部介电层、与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层以及电连接到所述上部电路层的至少一个接合部分。所述下部导电结构包含至少一个下部介电...

一种内埋元件封装结构及其制造方法。内埋元件封装结构包括一介电结构以及一元件。元件内埋于介电结构中并设有多个导电柱，该多个导电柱自介电结构的一上表面露出且分别具有一第一厚度及一第二厚度，第一厚度不等于第二厚度。

本发明提供一种布线结构，其包含上部导电结构、下部导电结构和中间层。所述上部导电结构包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层。所述下部导电结构包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层。所述下...

一种内埋元件封装结构，包括一介电结构、一半导体芯片、一第一高分子层以及一图案化导电层。半导体芯片内埋于介电结构中。第一高分子层覆盖半导体芯片且具有一第一厚度，第一厚度大于对应位于第一高分子层上方的介电结构的一第二厚度，其中第一高分子层具...

本发明提供一种导电结构和包含所述导电结构的布线结构，所述导电结构包含核心部分、多个电子装置和填充材料。所述核心部分界定腔。所述电子装置安置于所述核心部分的所述腔中。所述填充材料安置于所述电子装置与所述核心部分的所述腔的侧壁之间。

本发明提供一种光学模块及一种制造光学模块的方法。所述光学模块包含载体、电子组件、盖、扩散体及接合层。所述电子组件安置于所述载体上。所述盖安置于所述载体上。所述盖具有用以容纳所述电子组件的第一空腔。所述盖限定所述第一空腔上方的第一孔口。所...

一种半导体设备封装包含第一玻璃载体、封装体、第一电路层和第一天线层。所述第一玻璃载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述封装体安置于所述第一玻璃载体的所述第一表面上。所述封装体具有穿透所述封装体的互连结构。所述第一电路层安置...

提供了一种半导体设备封装及其制造方法。所述半导体设备封装包含电路层、第一封装体、第一天线和电子部件。所述电路层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一封装体安置在所述电路层的所述第一表面上。所述第一天线穿透所述第一封装体并电...

一种半导体封装结构、产品及其制造方法，其中所述半导体封装结构包含衬底、半导体传感器、封盖和透气薄膜。所述半导体传感器位在所述衬底上。所述封盖覆盖所述半导体传感器并且限定通孔。所述透气薄膜覆盖所述封盖的所述通孔并且具有第一表面。所述第一表...

一种功率放大器电路，其包含第一晶体管、第二晶体管和偏置电路。所述第一晶体管具有基极，其经配置以接收第一信号。所述第二晶体管具有连接到所述第一晶体管的集极的发射极，以及经配置以输出第二信号的集极。所述偏压电路耦合到所述第一晶体管和所述第二...

本发明涉及一种半导体封装结构以及用于制造半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包含：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一包封物，其安置于所述衬底的所述第一表面上，且界定具有侧壁的腔，其中容纳空间由所述第一包封物的所...

本申请提供一种半导体装置及一种包括所述半导体装置的半导体封装。所述半导体裝置包含：半导体元件；保护层，其被安置邻近于所述半导体元件的表面，所述保护层界定开口以暴露所述半导体元件；第一凸块，其安置于所述半导体元件上；及第二凸块，其安置至所...

一种半导体设备封装包含载体，所述半导体设备封装具备：第一导电元件；第二导电元件，其布置在安置于所述载体上的半导体上；以及第二半导体设备，其安置在所述第一导电元件和第一半导体设备上且横跨所述第一导电元件和第一半导体设备，其中所述第一导电元...

一种半导体装置封装包含第一电子装置和第二电子装置。所述第一电子装置包含第一再分布层，所述第一再分布层包含电路层。所述第二电子装置安置在所述第一电子装置的所述第一再分布层上。所述第二电子装置包含囊封物和经图案化导电层。所述囊封物具有面向所...

本发明实施例涉及一种互连结构、半导体封装及其制造方法。一种互连结构包含第一电介质层和第二电介质层。所述第二电介质层被安置在所述第一电介质层上。所述第二电介质层具有第一表面和第二表面，两者均面朝所述第一电介质层。所述第二电介质层的所述第一...

一种半导体封装结构及其制造方法，所述半导体封装结构包含导电结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一封装体和上部半导体芯片。所述第一半导体芯片电连接到所述导电结构。所述第一半导体芯片包含至少一个第一导电元件邻近于其第二表面。所述第二半导...