半导体封装结构、产品及其制造方法技术

一种半导体封装结构、产品及其制造方法，其中所述半导体封装结构包含衬底、半导体传感器、封盖和透气薄膜。所述半导体传感器位在所述衬底上。所述封盖覆盖所述半导体传感器并且限定通孔。所述透气薄膜覆盖所述封盖的所述通孔并且具有第一表面。所述第一表面是亲水性的。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构、产品及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装结构、产品和制造方法，并且涉及包含具有标记(mark)的透气薄膜(air-permeablefilm)的半导体封装结构、具有形成在物体的油墨层(inklayer)上的产品，以及用于制造半导体封装结构的方法。
技术介绍
示例性半导体封装结构可包含衬底(substrate)、位在衬底上的微机电系统(microelectromechanicalsystems,MEMS)传感器(sensor)、覆盖MEMS传感器并且具有通孔的封盖(lid)，以及覆盖封盖的通孔的透气薄膜。出于识别半导体封装结构的目的，需要形成标记在透气薄膜上。因此，有必要提供用于标记此类透气薄膜的技术。
技术实现思路
在一些实施例中，半导体封装结构包含衬底、半导体传感器、封盖和透气薄膜。所述半导体传感器位在所述衬底上。所述封盖覆盖所述半导体传感器并且具有通孔。所述透气薄膜覆盖所述封盖的所述通孔并且具有第一表面。所述第一表面是亲水性(hydrophilic)的。在一些实施例中，产品包含物体和油墨层。所述物体具有表面并且由疏水性(hydrophobic)材料制成。所述油墨层形成在所述物体的所述表面上并且具有开口以暴露所述物体的所述表面的一部分。所述物体的所述表面的所述暴露部分呈符号(symbol)的形状。在一些实施例中，一种用于制造半导体封装结构的方法包含：(a)提供半导体封装装置，其包含：衬底；半导体传感器，其位在所述衬底上；封盖，其覆盖所述半导体传感器并且具有通孔；以及透气薄膜，其覆盖所述封盖的所述通孔，其中所述透气薄膜具有第一表面；以及(b)亲水改性(hydrophilic-modifying)所述透气薄膜的所述第一表面。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本专利技术的一些实施例的方面。应注意各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见任意增大或减小。图1说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装结构的实例的截面图。图2说明图1中所示的半导体封装结构的俯视图。图3说明沿着图2中的线II-II截取的截面图。图4说明图2中的区的部分放大视图。图5说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装结构的实例的俯视图。图6说明根据本专利技术的一些实施例的产品的实例的截面图。图7说明图6中所示的产品的俯视图。图8说明根据本专利技术的一些实施例的产品的实例的截面图。图9说明图8中所示的产品的俯视图。图10说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。图11说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。图12说明图11中所示的透气薄膜的第一表面上的水接触角的测量的示意图。图13说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。图14a说明在亲水改性之前的图11中所示的透气薄膜的第一表面的可能的化学结构。图14b说明在亲水改性期间的图11中所示的透气薄膜的第一表面的可能的化学结构。图14c说明在亲水改性之后的图11中所示的透气薄膜的第一表面的可能的化学结构。图15说明图13中所示的透气薄膜的第一表面上的水接触角的测量的示意图。图16说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。图17说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体封装结构的方法的实例的一或多个阶段。图18说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造产品的方法的实例的一或多个阶段。图19说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造产品的方法的实例的一或多个阶段。图20说明根据本专利技术的一些实施例的用于制造产品的方法的实例的一或多个阶段。具体实施方式贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本专利技术的实施例。以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来阐释本专利技术的某些方面。当然，这些仅是实例且并不意图是限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可以包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或安置使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本专利技术可能在各个实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。示例性半导体封装结构可包含衬底、微机电系统传感器、封盖和膨体聚四氟乙烯(expandedpolytetrafluoroethene,ePTFE)薄膜。微机电系统传感器位在衬底上。封盖覆盖MEMS传感器和衬底，并且具有在MEMS传感器上方的通孔。ePTFE薄膜覆盖封盖的通孔。ePTFE薄膜是透气的并且是疏水性的，因此它能够保护MEMS传感器免受灰尘和湿气的影响。ePTFE薄膜的厚度可以是约20μm。出于识别半导体封装结构的目的，需要形成标记在ePTFE薄膜上。半导体封装结构的大小非常小，例如，约1mm*1mm、约2mm*2.5mm、约3mm*3mm或约5mm*5mm。因此，ePTFE薄膜上的标记区域(markingarea)可能相应地非常小，例如，约0.4mm*1.6mm。此外，需要形成至少四到六个字母在标记区域内。因此，难以在标记区域内的ePTFE薄膜上形成清晰且可识别的标记(例如，四到六个字母)。在示例性制程中，利用激光源(lasersource)以移除ePTFE薄膜的部分，在ePTFE薄膜上形成标记。然而，因为ePTFE薄膜是白色的，并且ePTFE薄膜的厚度是仅20μm，所以ePTFE薄膜是透光的。因此，激光束可容易地通过ePTFE薄膜。换句话说，ePTFE薄膜的光吸收(lightabsorption)是相对低的。由于ePTFE薄膜的光吸收不佳，激光源可能无法在ePTFE薄膜上有效地留下清晰的标记而不损坏ePTFE薄膜。在另一示例性制程中，使用热固化(heatcurable)油墨进行ePTFE薄膜上的标记的正打印(positiveprinting)。然而，因为ePTFE薄膜是疏水性的，所以在打印和热固化期间打印标记(即，固化油墨)可能出现收缩(shrinkage)。因此，标记可能仍然不清晰。此外，因为打印的精度是相对低的，所以标记可能无法精确地位在ePTFE薄膜上的标记区域内。在又一示例性制程中，使用紫外固化(UVcurable)油墨进行ePTFE薄膜上的标记的正打印。紫外固化油墨可以在打印期间通过紫外源(UVsource)立刻固化，因此减少打印标记(即，固化油墨)的收缩。然而，由于ePTFE薄膜的疏水性，标记的分辨率可能较低。通过此类过程形成的字母的最小大小是约1mm*0.6mm。由于分辨率不佳，具有例如约0.8mm*0.5mm的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其包括：/n衬底；/n半导体传感器，其位在所述衬底上；/n封盖，其覆盖所述半导体传感器并且具有通孔；以及/n透气薄膜，其覆盖所述封盖的所述通孔并且具有第一表面，其中所述第一表面是亲水性的。/n

【技术特征摘要】
20190401 US 16/372,1071.一种半导体封装结构，其包括：
衬底；
半导体传感器，其位在所述衬底上；
封盖，其覆盖所述半导体传感器并且具有通孔；以及
透气薄膜，其覆盖所述封盖的所述通孔并且具有第一表面，其中所述第一表面是亲水性的。


2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述透气薄膜由疏水性材料制成，并且所述透气薄膜的所述第一表面是亲水改性的。


3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括覆盖所述透气薄膜的油墨层。


4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中所述油墨层形成在所述透气薄膜的所述第一表面上。


5.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中所述油墨层具有至少一个开口以暴露所述透气薄膜的所述第一表面的至少一个部分。


6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中所述油墨层的所述至少一个开口包含对应于所述封盖的所述通孔的第一开口。


7.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其中所述油墨层的所述至少一个开口包含具有符号的形状的第二开口。


8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其中所述符号的大小等于或小于约0.4mm*0.3mm。


9.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中所述油墨层具有标记区域，并且所述标记区域的大小等于或小于约0.4mm*1.6mm。


10.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中所述透气薄膜的所述第一表面具有亲水性官能团。


11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述亲水性官能团包含C＝O键。


12.根据权利要求11所述的半导体封装结构，其中所述油墨层形成在所述C＝O键上。


13.一种产品，其包括：
物体，其具有表面并且由疏水性材料制成；以及
油墨层，其形成在所述物体的所述表面上并且具有开口以暴露所述物体的所述表面的一部分，其中所述物体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昱名，林育嵩，郭泰宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71