【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装和其制造方法
本公开大体上涉及一种半导体设备封装和其制造方法，且涉及一种包含两个衬底以限定空腔的半导体设备封装和其制造方法。
技术介绍
移动通信的发展已对较高数据速率和稳定通信质量提出要求，且高频无线发射(例如,28GHz或60GHz)已成为移动通信行业中最重要的课题之一。为实现此类高频无线发射，信号可在具有约十毫米到一毫米的波长(“毫米波”或“mmWave”)的频带中发射。然而，信号衰减是毫米波发射中的问题之一。
技术实现思路
在一或多个实施例中，半导体装置封装包含第一衬底、第二衬底、第一支撑元件、第二支撑元件和电子组件。第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一衬底具有邻近于第一衬底的第一表面的导电垫。第二衬底安置于第一衬底的第一表面上方。第一支撑元件安置于第一衬底与第二衬底之间。第一支撑元件邻近于第一衬底的第一表面的边缘安置。第二支撑元件安置在第一衬底与第二衬底之间。第二支撑元件远离第一衬底的第一表面的边缘安置。电子组件安置在第一衬底的第二表面上。第二支撑元件与导电垫...
【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：/n第一衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一衬底具有邻近于所述第一衬底的所述第一表面的导电垫；/n第二衬底，其安置在所述第一衬底的所述第一表面上方；/n第一支撑元件，其安置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述第一支撑元件邻近于所述第一衬底的所述第一表面的边缘安置；/n第二支撑元件，其安置在所述第一衬底与所述第二衬底与之间，所述第二支撑元件远离所述第一衬底的所述第一表面的所述边缘安置；和/n电子组件，其安置在所述第一衬底的所述第二表面上，/n其中所述第二支撑元件与所述导电垫之间的接触点在所述第一衬底的所述第二表面上的投...
【技术特征摘要】
20190517 US 16/416,0431.一种半导体装置封装，其包括：
第一衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一衬底具有邻近于所述第一衬底的所述第一表面的导电垫；
第二衬底，其安置在所述第一衬底的所述第一表面上方；
第一支撑元件，其安置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述第一支撑元件邻近于所述第一衬底的所述第一表面的边缘安置；
第二支撑元件，其安置在所述第一衬底与所述第二衬底与之间，所述第二支撑元件远离所述第一衬底的所述第一表面的所述边缘安置；和
电子组件，其安置在所述第一衬底的所述第二表面上，
其中所述第二支撑元件与所述导电垫之间的接触点在所述第一衬底的所述第二表面上的投影线与所述电子组件的侧面在所述第一衬底的所述第二表面上的投影线物理地间隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一衬底进一步包括安置在所述第一衬底的所述第一表面上且暴露所述导电垫的至少一部分的阻焊剂。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中
所述阻焊剂和所述导电垫限定凹口；且
所述第二支撑元件的一部分安置在所述凹口内。
4.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述接触点在所述第二支撑元件、所述导电垫与所述阻焊剂之间。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一支撑元件和所述第二支撑元件中的每一个包含塑料芯球。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一支撑元件和所述第二支撑元件中的每一个包含芯、覆盖所述芯的内层和覆盖所述内层的外层。
7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述芯由铜形成，所述内层由镍形成，且所述外层表面由锡形成。
8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一支撑元件及所述第二支撑元件由不同材料形成。
9.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述第二支撑元件的硬度大于所述第一支撑元件的硬度。
10.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述第二支撑元件包含塑料芯球，且所述第一支撑元件包含焊球。
11.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述第二支撑元件包含铜芯球，且所述第二支撑元件包含焊球或塑料芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：林政男，高仁杰，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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