【技术实现步骤摘要】
导电结构和包含所述导电结构的布线结构
本公开涉及一种导电结构和包含所述导电结构的布线结构，并且涉及一种包含安置于其腔中的多个电子装置的导电结构，以及包含导电结构的布线结构。
技术介绍
随着电子工业的快速发展和半导体处理技术的进展，半导体芯片集成数量增加的电子组件，以实现更好的电性能和更多功能。相应地，半导体芯片具备更多的输入/输出(I/O)连接。为了制造包含具有数量增加的I/O连接的半导体芯片的半导体封装，用于承载半导体芯片的半导体衬底的电路层的大小可能相应地增加。因此，半导体衬底的厚度和翘曲度可能相应地增加，并且半导体衬底的良率可能降低。
技术实现思路
在一些实施例中，一种导电结构包含核心部分、多个电子装置和填充材料。所述核心部分界定腔。所述电子装置安置于所述核心部分的所述腔中。所述填充材料安置于所述电子装置与所述核心部分的所述腔的侧壁之间。在一些实施例中，一种导电结构包含核心部分、模块和填充材料。所述核心部分界定腔。所述模块安置于所述核心部分的所述腔中。所述模块包含多个已知的良好电子装置和包封...
【技术保护点】
1.一种导电结构，其包括：/n核心部分，其界定腔；/n多个电子装置，其安置于所述核心部分的所述腔中；和/n填充材料，其安置于所述电子装置与所述核心部分的所述腔的侧壁之间。/n
【技术特征摘要】
20190430 US 16/399,9071.一种导电结构，其包括：
核心部分，其界定腔；
多个电子装置，其安置于所述核心部分的所述腔中；和
填充材料，其安置于所述电子装置与所述核心部分的所述腔的侧壁之间。
2.根据权利要求1所述的导电结构，其中所述腔延伸穿过所述核心部分。
3.根据权利要求1所述的导电结构，其中所述核心部分包含环绕所述腔并且延伸穿过所述核心部分的多个互连导孔。
4.根据权利要求1所述的导电结构，其中所述电子装置中的每一个包含从所述填充材料暴露的至少一个电触点。
5.根据权利要求1所述的导电结构，其中所述电子装置是已知的良好电子装置。
6.根据权利要求1所述的导电结构，其另外包括包封物，其包封所述电子装置以形成模块，且所述填充材料安置于所述模块的侧表面与所述核心部分的所述腔的所述侧壁之间。
7.根据权利要求6所述的导电结构，其中所述模块的厚度与所述模块的所述侧表面和所述核心部分的所述腔的所述侧壁之间的间隙的比大于10:1。
8.根据权利要求1所述的导电结构，其中所述电子装置的厚度与所述电子装置的侧表面和所述核心部分的所述腔的所述侧壁之间的间隙的比大于10:1。
9.根据权利要求1所述的导电结构，其中所述填充材料是由墨形成。
10.根据权利要求1所述的导电结构，其另外包括至少一个下部介电层和至少一个下部电路层，其中所述至少一个下部介电层安置于所述核心部分的下表面上，且所述至少一个下部电路层安置于所述至少一个下部介电层上并且电连接到所述电子装置。
11.根据权利要求1所述的导电结构，其另外包括至少一个上部介电层和至少一个上部电路层，其中所述至少一个上部介电层安置于所述核心部分的上表面上，且所述至少一个上部电路层安置于所述至少一个上部介电层上并且电连接到所述电子装置。
12.一种导电结构，其包括：
核心部分，其界定腔；
模块，其安置于所述核心部分的所述腔中，其中所述模块包含...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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