布线结构制造技术

本发明专利技术提供一种布线结构，其包含上部导电结构、下部导电结构和中间层。所述上部导电结构包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层。所述下部导电结构包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层。所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层基本上不含玻璃纤维。所述中间层安置在所述上部导电结构与所述下部导电结构之间并且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起。所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。

【技术实现步骤摘要】
布线结构
本公开涉及一种布线结构和一种制造方法，且更特定来说涉及一种布线结构，其包含通过中间层附接在一起的至少两个导电结构，以及一种用于制造所述布线结构的方法。
技术介绍
随着电子工业的快速发展和半导体处理技术的进展，半导体芯片集成数量增加的电子组件，以实现更好的电性能和更多功能。相应地，半导体芯片具备更多的输入/输出(I/O)连接。为了制造包含具有数量增加的I/O连接的半导体芯片的半导体封装，用于承载半导体芯片的半导体衬底的电路层可能相应地增加。因此，半导体衬底的厚度可能相应地增加，并且半导体衬底的良率可能降低。
技术实现思路
在一些实施例中，一种布线结构包括：(a)上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；(b)下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层基本上不含玻璃纤维；和(c)中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种布线结构，其包括：/n上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；/n下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层基本上不含玻璃纤维；和/n中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。/n

【技术特征摘要】
20190429 US 16/398,0161.一种布线结构，其包括：
上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；
下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层基本上不含玻璃纤维；和
中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。


2.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层包含绝缘膜。


3.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层的杨氏模量大于或等于约4.0GPa。


4.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构是覆树脂铜箔衬底。


5.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构更包含核心部分，所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层和所述至少一个下部电路层与所述核心部分的表面相邻，且所述核心部分基本上不含玻璃纤维。


6.根据权利要求5所述的布线结构，其中所述核心部分包含绝缘膜。


7.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述中间层包含绝缘膜。


8.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构的热膨胀系数小于所述中间层的热膨胀系数，且所述中间层的所述热膨胀系数小于所述下部导电结构的热膨胀系数。


9.根据权利要求8所述的布线结构，其中所述中间层的所述热膨胀系数大于或等于所述下部导电结构的所述热膨胀系数的约0.8倍。


10.根据权利要求1所述的布线结构，其更包括至少一个上部穿导孔，其延伸穿过所述上部导电结构和所述中间层的至少一部分，并且电连接到所述下部导电结构的所述下部电路层。


11.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述下部电路层的线距大于所述上部导电结构的所述上部电路层的线距。


12.一种布线结构，其包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71