布线结构制造技术

本发明专利技术提供一种布线结构，其包含上部导电结构、下部导电结构和中间层。所述上部导电结构包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层。所述下部导电结构包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层。所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层基本上不含玻璃纤维。所述中间层安置在所述上部导电结构与所述下部导电结构之间并且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起。所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。

【技术实现步骤摘要】
布线结构
本公开涉及一种布线结构和一种制造方法，且更特定来说涉及一种布线结构，其包含通过中间层附接在一起的至少两个导电结构，以及一种用于制造所述布线结构的方法。
技术介绍
随着电子工业的快速发展和半导体处理技术的进展，半导体芯片集成数量增加的电子组件，以实现更好的电性能和更多功能。相应地，半导体芯片具备更多的输入/输出(I/O)连接。为了制造包含具有数量增加的I/O连接的半导体芯片的半导体封装，用于承载半导体芯片的半导体衬底的电路层可能相应地增加。因此，半导体衬底的厚度可能相应地增加，并且半导体衬底的良率可能降低。
技术实现思路
在一些实施例中，一种布线结构包括：(a)上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；(b)下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层基本上不含玻璃纤维；和(c)中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。在一些实施例中，一种布线结构包括：(a)上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；(b)下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层；和(c)中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间并且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构，所述上部导电结构的热膨胀系数小于所述中间层的热膨胀系数，且所述中间层的所述热膨胀系数小于所述下部导电结构的热膨胀系数。在一些实施例中，一种布线结构包括：(a)低密度堆叠结构，其包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个低密度电路层，其中所述低密度堆叠结构的所述至少一个介电层包含第一绝缘膜；(b)高密度堆叠结构，其安置在所述低密度堆叠结构上，其中所述高密度堆叠结构包含至少一个介电层和与所述高密度堆叠结构的所述介电层接触的至少一个高密度电路层；和(c)中间层，其安置于所述低密度堆叠结构与所述高密度堆叠结构之间并且将所述低密度堆叠结构和所述高密度堆叠结构接合在一起，其中所述低密度堆叠结构电连接到所述高密度堆叠结构，且所述中间层包含第二绝缘膜。附图说明当结合附图阅读时，可从以下具体实施方式容易地理解本公开的一些实施例的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。图1显示本公开的一些实施例的布线结构的剖视图。图2显示本公开的一些实施例的布线结构的剖视图。图2A显示本公开的一些实施例的上部导电结构的基准标记的实例的俯视图。图2B显示本公开的一些实施例的下部导电结构的基准标记的实例的俯视图。图2C显示图2A的上部导电结构的基准标记和图2B的下部导电结构的基准标记的组合图像的俯视图。图2D显示本公开的一些实施例的上部导电结构的基准标记的实例的俯视图。图2E显示本公开的一些实施例的下部导电结构的基准标记的实例的俯视图。图2F显示图2D的上部导电结构的基准标记和图2E的下部导电结构的基准标记的组合图像的俯视图。图2G显示本公开的一些实施例的上部导电结构的基准标记的实例的俯视图。图2H显示本公开的一些实施例的下部导电结构的基准标记的实例的俯视图。图2I显示图2G的上部导电结构的基准标记和图2H的下部导电结构的基准标记的组合图像的俯视图。图3显示本公开的一些实施例的布线结构的剖视图。图4显示本公开的一些实施例的布线结构的剖视图。图5显示本公开的一些实施例的布线结构的剖视图。图6显示本公开的一些实施例的布线结构的剖视图。图7显示封装结构和衬底的接合的剖视图。图8显示封装结构和衬底的接合的剖视图。图9显示本公开的一些实施例的布线结构的剖视图。图10显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图11显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图12显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图13显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图14显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图15显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图16显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图17显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图18显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图19显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图20显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图21显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图22显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图23显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图24显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图25显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图26显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图27显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图28显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图29显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图30显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图31显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图32显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图33显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图34显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图35显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图36显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图37显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图38显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图39显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图40显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图41显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。图42显示本公开的用于制造布线结构的方法的一些实施例的一或多个阶段。...

【技术保护点】
1.一种布线结构，其包括：/n上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；/n下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层基本上不含玻璃纤维；和/n中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。/n

【技术特征摘要】
20190429 US 16/398,0161.一种布线结构，其包括：
上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；
下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层基本上不含玻璃纤维；和
中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。


2.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层包含绝缘膜。


3.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层的杨氏模量大于或等于约4.0GPa。


4.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构是覆树脂铜箔衬底。


5.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构更包含核心部分，所述下部导电结构的所述至少一个下部介电层和所述至少一个下部电路层与所述核心部分的表面相邻，且所述核心部分基本上不含玻璃纤维。


6.根据权利要求5所述的布线结构，其中所述核心部分包含绝缘膜。


7.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述中间层包含绝缘膜。


8.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构的热膨胀系数小于所述中间层的热膨胀系数，且所述中间层的所述热膨胀系数小于所述下部导电结构的热膨胀系数。


9.根据权利要求8所述的布线结构，其中所述中间层的所述热膨胀系数大于或等于所述下部导电结构的所述热膨胀系数的约0.8倍。


10.根据权利要求1所述的布线结构，其更包括至少一个上部穿导孔，其延伸穿过所述上部导电结构和所述中间层的至少一部分，并且电连接到所述下部导电结构的所述下部电路层。


11.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述下部电路层的线距大于所述上部导电结构的所述上部电路层的线距。


12.一种布线结构，其包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71