半导体设备封装和其制造方法技术

一种半导体设备封装包含第一玻璃载体、封装体、第一电路层和第一天线层。所述第一玻璃载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述封装体安置于所述第一玻璃载体的所述第一表面上。所述封装体具有穿透所述封装体的互连结构。所述第一电路层安置于所述封装体上。所述第一电路层具有电连接到所述封装体的所述互连结构的重布层RDL。所述第一天线层安置于所述第一玻璃载体的所述第二表面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备封装和其制造方法
本公开涉及一种半导体设备封装和其制造方法，且更具体地说，涉及一种包含天线的半导体设备封装和其制造方法。
技术介绍
例如手机等无线通信设备通常包含用于发射和接收射频(RF)信号的天线。类似地，无线通信设备包含各自安置在电路板的不同部分上的天线和通信模块。根据类似的方法，单独地制造天线和通信模块，并在将天线和通信模块放置在电路板上之后将其电连接到一起。因此，所述两组件可能带来单独的制造成本。此外，可能难以减少无线通信设备的大小以达成合适的紧凑型产品设计。为减小成本和封装大小，提供封装中天线(Antenna-in-Package，AiP)方法。一般来说，在AiP系统中普遍使用有机衬底。然而，归因于有机衬底的过程限制，难以达成细间距(小于15/15μm)，且有机衬底的厚度是相对厚的，这将阻碍AiP系统的小型化。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，一种半导体设备封装包含第一玻璃载体、封装体、第一电路层和第一天线层。所述第一玻璃载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述封装体安置于所述第一玻璃载体的所述第一表面上。所述封装体具有穿透所述封装体的互连结构。所述第一电路层安置于所述封装体上。所述第一电路层具有电连接到所述封装体的所述互连结构的重布层(RDL)。所述第一天线层安置于所述第一玻璃载体的所述第二表面上。根据本公开的一些实施例，一种半导体设备封装包含玻璃载体、第一电路层、第一封装体、第二封装体和第一天线。所述玻璃载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电路层安置于所述玻璃载体的第一表面上。所述第一电路层具有重布层(RDL)。所述第一封装体安置于第一电路层上。第一封装体具有穿透第一封装体并且电连接到RDL的互连结构。第二封装体安置于第一封装体上。第二封装体具有穿透第二封装体并且电连接到第一封装体的互连结构的互连结构。第一天线层安置于玻璃载体的第二表面上。根据本公开的一些实施例，一种制造光学模块的方法包含(a)提供具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一玻璃载体；(b)在所述第一玻璃载体的所述第一表面上形成具有重布层(RDL)的电路层；(c)在所述电路层上形成第一封装体，所述第一封装体具有穿透所述第一封装体并且连接到所述RDL的互连结构；(d)在所述第一玻璃载体的所述第二表面上形成第一天线层；(e)将电子组件安置于所述第一封装体上并且电连接到所述第一封装体的所述互连结构；和(f)在所述第一封装体上形成第二封装体并且包封所述电子组件。附图说明图1说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图2说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图3说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图4说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图5说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图6说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图7A说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图7B说明根据本公开的一些实施例的如图7A中所示的半导体设备封装的互连层的俯视图。图7C说明根据本公开的一些实施例的如图7A中所示的天线的放大视图。图7D说明根据本公开的一些实施例的如图7A中所示的天线的透视图。图8说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图9说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图10说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图11说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图12说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面图。图13A、图13B、图13C、图13D和图13E说明根据本公开的一些实施例的半导体制造方法。图14A、图14B、图14C、图14D和图14E说明根据本公开的一些实施例的半导体制造方法。图15A、图15B、图15C和图15D说明根据本公开的一些实施例的半导体制造方法。图16A、图16B、图16C、图16D、图16E和图16F说明根据本公开的一些实施例的半导体制造方法。图17A、图17B、图17C、图17D和图17E说明根据本公开的一些实施例的半导体制造方法。贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易理解本公开。具体实施方式图1说明根据本公开的一些实施例的半导体设备封装1的横截面视图。半导体设备封装1包含载体10、电子组件11、封装体12、电路层13、保护层14和电接点15。在一些实施例中，载体10可以是或包含玻璃衬底。载体10可包含导电衬垫、迹线和互连件(例如通孔)。在一些实施例中，载体10可包含透明材料。在一些实施例中，载体10可包含不透明材料。载体10包含具有小于大致3.5的介电常数(Dk)的材料。载体10包含具有小于大致3的介电常数(Dk)的材料。载体10包含具有小于大致0.005的损耗角正切或耗散因子(Df)的材料。载体10包含具有小于大致0.003的损耗角正切或耗散因子(Df)的材料。载体10具有表面101和与表面101相对的表面102。与有机衬底相比，较容易控制玻璃载体的厚度，这可促进半导体设备封装1的小型化。在一些实施例中，载体10的厚度为约400μm。导电层10p安置于载体10的表面102上。在一些实施例中，导电层10p界定图案化天线，例如定向天线、全向天线、天线阵列。举例来说，导电层10p界定贴片天线。导电层10p是或包含例如金属或金属合金的导电材料。导电材料的实例包含金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、钯(Pd)、其它金属或合金或其两个或多个的组合。电子组件11安置于载体10的表面101上。电子组件11可为有源电子组件，例如集成电路(IC)芯片或裸片。电子组件11具有通过粘附元件11h粘合或附接到载体的表面101的背侧表面。粘附元件11h包含凝胶、裸片附接膜(DAF)等。一或多个互连结构12p(例如，导电柱或导电元件)安置于载体10的表面101上。互连结构12p是或包含例如金属或金属合金的导电材料。导电材料的实例包含Au、Ag、Cu、Pt、Pd或其合金。封装体12安置于载体10的表面101上。封装体12覆盖电子组件11并且暴露电子组件11的主动表面。举例来说，封装体的表面121与电子组件11的主动表面基本上共面。封装体12覆盖互连结构12p的一部分并且暴露互连结构12p的另一部分(例如，顶部部分)以用于电连接。在一些实施例中，封装体12包含具有填料的环氧树脂、模制化合物(例如，环氧模制化合物或其它模制化合物)、聚酰亚胺、酚类化合物或材料、包含分散在其中的硅酮的材料或其组合。电路层13安置于封装体12的表面121上。电路层13包含一或多个互连层(例如，重布层，RDL)13r和一或多个介电层13d。互本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备封装，其包括：/n第一玻璃载体，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；/n封装体，其安置于所述第一玻璃载体的所述第一表面上，所述封装体具有穿透所述封装体的互连结构；/n第一电路层，其安置于所述封装体上，所述第一电路层具有电连接到所述封装体的所述互连结构的重布层RDL；和/n第一天线层，其安置于所述第一玻璃载体的所述第二表面上。/n

【技术特征摘要】
20190418 US 16/388,8281.一种半导体设备封装，其包括：
第一玻璃载体，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
封装体，其安置于所述第一玻璃载体的所述第一表面上，所述封装体具有穿透所述封装体的互连结构；
第一电路层，其安置于所述封装体上，所述第一电路层具有电连接到所述封装体的所述互连结构的重布层RDL；和
第一天线层，其安置于所述第一玻璃载体的所述第二表面上。


2.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其另外包括安置于所述第一玻璃载体的所述第一表面上的电子组件，其中所述电子组件具有面向所述第一电路层并且电连接到所述第一电路层的所述RDL的主动表面。


3.根据权利要求2所述的半导体设备封装，其中所述电子组件被所述封装体包封。


4.根据权利要求2所述的半导体设备封装，其中所述封装体具有穿透所述封装体以暴露所述玻璃衬底的所述第一表面的一部分的空腔，且所述电子组件安置于所述空腔内。


5.根据权利要求4所述的半导体设备封装，其另外包括所述空腔内的导电层，其中所述导电层具有安置于所述空腔的侧壁上的第一部分和安置于从所述封装体暴露的所述玻璃衬底的所述第一表面的所述部分上的第二部分。


6.根据权利要求5所述的半导体设备封装，其中所述电子组件安置于所述导电层的所述第二部分上并且与所述导电层的所述第一部分间隔开。


7.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层的所述RDL和所述封装体的所述互连结构界定偶极天线。


8.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其另外包括：
第二电路层，其安置于所述封装体与所述第一玻璃载体之间，其中所述第二电路层具有电连接到所述封装体的所述互连结构的RDL；和
电子组件，其安置于所述第二电路层上。


9.根据权利要求8所述的半导体设备封装，其另外包括穿透所述第一玻璃载体并且将所述第二电路层的所述RDL电连接到所述第一天线层的穿通孔。


10.根据权利要求8所述的半导体设备封装，其另外包括：
第二玻璃载体，其安置于所述第一天线层上；和
第二天线层，其安置于背对所述第一玻璃载体的所述第二玻璃载体的表面上。


11.根据权利要求8所述的半导体设备封装，其中所述封装体具有容纳所述电子组件的空腔。


12.根据权利要求11所述的半导体设备封装，其另外包括具有第一部分和第二部分的防护罩，其中所述防护罩的所述第一部分安置于所述第二电路层上并且环绕所述电子组件，且所述防护罩的所述第二部分安置于所述电子组件上方并且电连接到所述防护罩的所述第一部分。


13.一种半导体设备封装，其包括：
玻璃载体，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一电路层，其安置于所述玻...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建桦，谢盛祺，王陈肇，李德章，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71